齐纳二极管在正向偏置时的行为类似于具有 PN 结的普通硅二极管，允许电流从阳极流向阴极。但在反向偏置时，齐纳二极管不同于普通二极管阻止电流流动，而是在达到一定反向电压阈值时，开始导通，允许反向电流流过。　　当施加到齐纳二极管的反向电压超过其典型极限阈值时，在半导体耗尽区会发生称为雪崩击穿的过程，随后二极管会产生电流来限制电压的升高。在此过程中，电荷通过自由电子与相邻原子的碰撞而产生，并因此产生热量，有可能对器件造成不可逆转的损坏。　　但是，如果二极管的耗尽区非常薄且高掺杂，则可能由于结中产生的高