1 GaN 功率管的发展微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS 管向以碳化硅 （ SiC ）、氮镓 （ GaN ） 为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN 材料，由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，与刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代 Ge、Si 半导体材料、第二代 GaAs、InP 化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。 在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。SiC 功率器件在 C 波段
提出一种机载LPI（ Low Probability of Intercept）雷达HPRF（High Pulse Repetition Frequency）波形，实现了波形设计产生、接收处理，同时对波形抗干扰性能、目标探测性能和LPI性能进行了分析。首先，从原理上对所设计SIMFA（SIMultaneous Frequency Agile）信号的产生方法进行了数学分析，给出波形产生方法；然后，对SIMFA信号的接收及信号处理方法进行研究，实现了单通道接收机对所设计波形的顺利接收；其次，对于电子
