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霍尔效应实验数据处理程序
霍尔效应实验数据处理程序,VB写的,欢迎大家拍砖
所属分类:
VB
发布日期:2009-10-07
文件大小:132kb
提供者:
jenson2008
霍尔效应参考实验报告
大学物理实验,霍尔效应实验报告,参考 实验目的 1.了解霍尔效应实验原理。 2.测量霍尔电流与霍尔电压之间的关系。 3.测量励磁电流与霍尔电压之间的关系。 4.学会用“对称测量法”消除负效应的影响。 5.会确定样品的导电类型。 下载资源后评价 == 评论+ 评星 “☆☆☆☆☆ ” “发表评论”上面有个☆☆☆☆☆ 点一下 评价后 ★★★★☆ 只评论不评星不返还分
所属分类:
专业指导
发布日期:2009-11-11
文件大小:85kb
提供者:
mm124634323
霍尔效应及材料中载流子输运特性实验
霍尔效应的物理原理;导电材料的霍耳系数和电导率的测量方法;进一步理解半导体的导电机制;测量分析霍尔系数随温度的变化关系
所属分类:
专业指导
发布日期:2010-04-15
文件大小:1mb
提供者:
sevencoolmax
霍尔效应及材料中载流子输运特性实验
理解霍尔效应的物理原理;掌握导电材料的霍耳系数和电导率的测量方法;进一步理解半导体的导电机制;测量分析霍尔系数随温度的变化关系。
所属分类:
专业指导
发布日期:2010-04-15
文件大小:1mb
提供者:
sevencoolmax
霍尔传感器的原理及其应用实例
霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种,这一现象是霍尔(A.H.Hall,1855—1938)于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应,而半导体的霍尔效应比金属强得多,利用这现象制成的各种霍尔元件,广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数,能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。…………
所属分类:
嵌入式
发布日期:2011-03-26
文件大小:45kb
提供者:
buaaable
智能型霍尔效应实验仪及无线联网系统.pdf
智能型霍尔效应实验仪及无线联网系统.pdf
所属分类:
机器学习
发布日期:2020-05-05
文件大小:1mb
提供者:
anitachiu_2
霍尔效应在电磁测量中的应用
霍尔效应在电磁测量中的应用,陈波,刘佳伟,本文通过叙述霍尔效应以及霍尔效应测螺线管磁场的实验,简单介绍了霍尔效应的基本原理和霍尔效应在测量磁场方面的应用,以及电磁
所属分类:
其它
发布日期:2020-02-06
文件大小:308kb
提供者:
weixin_38577648
霍尔效应实验
霍尔效应实验,大学普通物理的课程。普通物理是物理学的基本课程。
所属分类:
专业指导
发布日期:2013-02-26
文件大小:126kb
提供者:
lanyinginfj
霍尔效应-大学物理实验之霍尔效应原理介绍
三分钟带你了解霍尔效应是磁电效应的一种,霍尔效应实验原理,测量霍尔电流与霍尔电压之间的关系,测量励磁电流与霍尔电压之间的关系,得到详细的霍尔效应实验报告。如果想要更多霍尔效应资源、请访问CSDN下载频道。
所属分类:
其它
发布日期:2011-11-21
文件大小:4mb
提供者:
shengyoudeng
变温霍尔效应实验报告
本文数据没有收录,只收录了数据的matlab图形,为word文档,其他的俱全。
所属分类:
其它
发布日期:2010-06-25
文件大小:164kb
提供者:
ywd55828892
在电动车窗的防夹系统中霍尔传感器
霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种,这一现象是霍尔(A.H.Hall,1855—1938)于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应,而半导体的霍尔效应比金属强得多,利用这现象制成的各种霍尔元件,广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数,能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-13
文件大小:384kb
提供者:
weixin_38681147
7.霍尔效应实验.docx
大物实验报告 —— 霍尔效应 95分
所属分类:
教育
发布日期:2020-07-24
文件大小:1mb
提供者:
Carizy
解析霍尔传感器的原理及应用
霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。 霍尔效应是磁电效应的一种,通过霍尔效应实验测定的霍尔系数,能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-20
文件大小:90kb
提供者:
weixin_38635794
传感技术中的一文看懂霍尔传感器的大作用
霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器,广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。那么霍尔传感器的工作原理是什么?这种传感器都有哪些优点?主要参数有哪些?本文将一一解答。 (霍尔效应的本质是:固体材料中的载流子在外加磁场中运动时,因为受到洛仑兹力的作用而使轨迹发生偏移,并在材料两侧产生电荷积累,形成垂直于电流方向的电场,最终使载流子受到的洛仑兹力与电场斥力相平衡,从而在两侧建立起一个稳定的电势差即霍尔电压。) 通过霍尔效应实验测定的霍尔系数,能够判断半导体材料的导电
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-15
文件大小:94kb
提供者:
weixin_38689736
模拟技术中的霍尔传感器在电动车窗防夹系统中的应用
霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种,这一现象是霍尔(A.H.Hall,1855—1938)于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应,而半导体的霍尔效应比金属强得多,利用这现象制成的各种霍尔元件,广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数,能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。 引言 随着现代汽车电
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-22
文件大小:380kb
提供者:
weixin_38683721
霍尔传感器显示系统设计
霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种,这一现象是霍尔于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应,而半导体的霍尔效应比金属强得多,利用这现象制成的各种霍尔元件,广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数,能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。 随着传感器技术的不断发展,特别是单片机技术的广泛应用,采用单片机与PC
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-20
文件大小:311kb
提供者:
weixin_38637998
元器件应用中的霍尔传感器的原理及应用
导读:霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。 霍尔效应是磁电效应的一种,通过霍尔效应实验测定的霍尔系数,能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。 霍尔效应的原理 霍尔效应是磁电效应的一种,这一现象是霍尔(A.H.Hall,1855-1938)于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应,而半导体的霍尔效应比金属强得多,利用这现象制成的各种霍尔元件,广泛地应用于工
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-20
文件大小:221kb
提供者:
weixin_38745925
柱矢量光束在透射时的自旋霍尔效应
有限光束矢量特性可以由全局化的特征单位矢量和广义琼斯矢量完整地描述,特征单位矢量平行于传播轴的光束为柱矢量光束。通过这种表示理论描述了在近轴近似条件下柱矢量光束的透射情况。在透射过程中光束的特征单位矢量发生了变化,透射光束的特征单位矢量既不平行于传播轴,也不垂直于传播轴。特征单位矢量的变化导致光束产生了一个与入射面垂直的横向位移,同时这个横向位移和光束的偏振椭圆率有关,不同圆偏振态(左旋和右旋)的透射光束所产生的横向位移的方向相反。这一结果和近年来在实验中检测到的均匀偏振光束的自旋霍尔效应类似,
所属分类:
其它
发布日期:2021-03-04
文件大小:857kb
提供者:
weixin_38703866
转换反射中光自旋霍尔效应的自旋堆积方向
从理论上和实验上研究了转换反射中光自旋霍尔效应的自旋堆积方向的方法,建立了描述光束在空气棱镜界面反射的自旋堆积模型,揭示了横移与光束入射偏振角的定性关系。研究发现,当入射角小于布儒斯特角时,随着入射偏振角的逐渐增大,自旋堆积的方向发生反转。而当入射角大于布儒斯特角时,自旋堆积的方向不再随入射偏振角的变化而反转。结果表明,在光束入射角为确定值且小于布儒斯特角的情况下,可以通过调控光束的入射偏振角转换自旋堆积的方向。转换自旋堆积方向的研究为有效调控光自旋霍尔效应提供了新的途径。
所属分类:
其它
发布日期:2021-02-09
文件大小:1mb
提供者:
weixin_38724247
纳米金属薄膜中光子自旋霍尔效应的最佳弱测量
光子自旋霍尔效应是一种潜在的精密测量工具,在探测微结构材料结构参数变化的研究中具有重要的物理意义。基于光子自旋霍尔效应的弱测量模型研究了纳米金属薄膜中的光子自旋霍尔效应,研究结果表明当弱测量中放大角取相应的特殊值时(即最佳弱测量点),纳米金属薄膜中光子自旋霍尔效应的放大后横移值可达到最大,大大提高了光子自旋霍尔效应的探测精度;在最佳弱测量点得到的放大后横移可以更精确地推断出金属薄膜的实际厚度。实验结果与理论分析符合较好,该方法为研制基于光子自旋霍尔效应的精密测量工具提供了理论与实验基础。
所属分类:
其它
发布日期:2021-02-05
文件大小:2mb
提供者:
weixin_38657984
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