原来的非接触式电流传感器大致有3种结构模式，如图1所示。在图1中，例1所示为以霍尔元件作为磁场检测元件设置在铁芯的间隙内;例2所示为在铁芯的间隙内设置霍尔元件，而在铁芯上设置反馈线圈：例3所示为在铁芯的间隙内设置磁一光效应元件（应用法拉第效应的元件），用作磁场检测元件。

1 原来状况 　　原来的非接触式电流传感器大致有3种结构模式，如图1所示。在图1中，例1所示为以霍尔元件作为磁场检测元件设置在铁芯的间隙内;例2所示为在铁芯的间隙内设置霍尔元件，而在铁芯上设置反馈线圈：例3所示为在铁芯的间隙内设置磁一光效应元件（应用法拉第效应的元件），用作磁场检测元件。 　　上述3种结构模式的缺点如下： 　　例l中元件的温度特性不佳，输出均匀性较差，因而电流检测精度不高。再者，此种传感器极易受漂移的影响．稍微受点漂移影响就难以测量含直流成分的电流。 　　例2虽可解决例1