报道了一种单片集成的串联DFB激光器芯片，在合适工作条件下，可以在疏波分复用(CWDM)的两个信道波长激射。芯片通过非统一多量子阱有源区拓宽材料增益谱，给DFB激光器的纯折射率光栅引入弱增益耦合，提高DFB激光器的动态单模特性。芯片采用普通DFB激光器的制备工艺制备，工艺简单成本低，重复性高。测试结果表明，芯片能够在1.51 μm和1.53 μm两个波长激射，出光功率均能达到6 mW以上，边模抑制比均达到40 dB。