利用基于广义梯度近似和混合函数法的第一性原理，系统地研究了Cu2ZnSnS4（CZTS）在平面双轴应变下的电子结构和光学性质。发现在Γ点的基本带隙随着垂直于c轴的拉伸双轴应变的增加而线性减小。但是，当压缩双轴应变为1.5％时，会出现带隙最大值。压缩应变的进一步增加减小了带隙。另外，还计算了CZTS在双轴应变下的光学性质，并且双带应变的光学带隙的变化趋势与基带隙一致。