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搜索资源列表

  1. 过饱和状态下交叉口车辆延误和排队长度模型研究_李凤.caj

  2. 数学建模A 排队长度 过饱和状态下交叉口车辆延误和排队长度模型研究_李凤.caj

  3. 所属分类：交通

    • 发布日期：2013-09-14
    • 文件大小：1mb
    • 提供者：zhiyun0088

  1. 聚磁式OCT铁心饱和特性的非线性数字补偿

  2. 聚磁式OCT铁心饱和特性的非线性数字补偿，韦兆碧，马志瀛，论文选用聚磁式OCT进行研究，针对聚磁铁心的饱和特性提出了一种非线性数字补偿方法，通过软件实现了聚磁式OCT铁心低饱和状态下的非

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-27
    • 文件大小：550kb
    • 提供者：weixin_38735782

  1. 三极管饱和状态的讨论

  2. 三极管的饱和状态的判定与用法，看完以后茅塞顿开

  3. 所属分类：硬件开发

  1. UDF 饱和蒸汽密度随温度的变化

  2. 饱和状态条件下蒸汽密度随温度的变化，采用分段线性差分的方法

  3. 所属分类：教育

    • 发布日期：2012-10-09
    • 文件大小：2kb
    • 提供者：xjthtian

  1. 关于三极管饱和及深度饱和状态的理解和判断

  2. 本文主要讲了关于三极管饱和及深度饱和状态的理解和判断，希望对你的学习有所帮助。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-15
    • 文件大小：298kb
    • 提供者：weixin_38741317

  1. 关于三极管的工作状态

  2. 三极管的工作状态 三极管有三种工作状态：截止状态、放大状态、饱和状态。当三极管用于不同目的时，它的工作状态是不同的三极管的三种状态也叫三个工作区域 1. 截止状态  当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。一般将IB≤0的区域称为截止区， 在图中为IB＝0的一条曲线的以下部分。此时IC也近似为零。由于各极电流都基本上等于零， 因而此时三极管没有放大

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：124kb
    • 提供者：weixin_38649091

  1. 三极管饱和和深度饱和状态的理解和判断

  2. 本文介绍了三极管饱和及深度饱和状态的理解和判断。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-20
    • 文件大小：92kb
    • 提供者：weixin_38631738

  1. 9013基极电流达到多少才能饱和

  2. 1.在实际工作中，常用Ib*=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和；倍数越大，饱和程度就越深。 2.集电极电阻 越大越容易饱和； 3.饱和区的现象就是：二个PN结......

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-18
    • 文件大小：66kb
    • 提供者：weixin_38692707

  1. 三极管的饱和状态讨论

  2. 下面我们来讨论下究竟什么叫三极管的饱和，到底什么是饱和压降，BE正偏，BC反偏就是饱和呢，还是当晶体管处于饱和状态时，其基极电流对晶体管的控制将失去作用呢。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-29
    • 文件大小：51kb
    • 提供者：weixin_38655484

  1. 三极管饱和及深度饱和状态的理解和判断

  2. 三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-04
    • 文件大小：72kb
    • 提供者：weixin_38685876

  1. 三极管饱和及深度饱和状态的理解和判断!

  2. 这是我当年教电子技术时的一点心得，谈到三极管，初学的人很难理解。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-03
    • 文件大小：92kb
    • 提供者：weixin_38746701

  1. 三极管饱和及深度饱和状态的理解和判断！

  2. 三极管饱和问题总结及相关问题解答。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-12
    • 文件大小：296kb
    • 提供者：weixin_38698403

  1. 三极管饱和条件是什么

  2. 1.在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和；倍数越大，饱和程度就越深。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-27
    • 文件大小：37kb
    • 提供者：weixin_38732463

  1. 基础电子中的MOSFET和三极管ON状态有什么区别？

  2. MOSFET和三极管，在ON 状态时，MOSFET通常用Rds，三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况，三极管用饱和Rce，而MOSFET用饱和Vds呢? 　　三极管ON状态时工作于饱和区，导通电流Ice主要由Ib与Vce决定，由于三极管的基极驱动电流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能简单的仅 由Vce来决定，即不能采用饱和Rce来表示(因Rce会变化)。由于饱和状态下Vce较小，所以三极管一般用饱和Vce表示。 　　MOS管在ON状态时工作于线性区(相当于三极管的饱和区)

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：58kb
    • 提供者：weixin_38657102

  1. 元器件应用中的三极管饱和和深度饱和状态的理解和判断

  2. 本文介绍了三极管饱和及深度饱和状态的理解和判断。 　　三极管饱和问题总结： 　　1.在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和;倍数越大，饱和程度就越深。 　　2.集电极电阻 越大越容易饱和; 　　3.饱和区的现象就是：二个PN结均正偏，IC不受IB之控制 　　问题：基极电流达到多少时三极管饱和? 　　解答：这个值应该是不固定的，它和集电极负载、β值有关，估

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：265kb
    • 提供者：weixin_38707192

  1. 基础电子中的三极管饱和及深度饱和状态的理解和判断！

  2. 三极管饱和问题总结： 　　1.在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和；倍数越大，饱和程度就越深。 　　2.集电极电阻 越大越容易饱和。 　　3.饱和区的现象就是：二个PN结均正偏，IC不受IB之控制。 　　问题：基极电流达到多少时三极管饱和？ 　　解答：这个值应该是不固定的，它和集电极负载、β值有关，估算是这样的：假定负载电阻是1K,VCC是5V,饱和时电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：272kb
    • 提供者：weixin_38539018

  1. 基础电子中的三极管的三种工作状态

  2. 1)在放大状态下，三极管处于线性放大状态，当有交流信号输人时，三极管便对信号进行放大，输出放大的信号。　　　　2)在饱和状态下，三极管处于非线性工作状态，此时管子的电流很大 (比放大状态大)，当有交流信号输入时便进入饱和区，输出的信号便会产生非线性失真。　　　　3)在截止状态下，三极管的各极电流都很小或为零，此时输入给三极管的信号便进入截止区，输出的信号要产生很大的非线性失真。上述三种状态中，只有放大状态下才能很好的放大信号，收音机、录音机、电视机等家用电器就是应用这个原理对接受的电信号进行放大

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-24
    • 文件大小：21kb
    • 提供者：weixin_38733367

  1. 过饱和状态下道路单交叉口的延误模型建立

  2. 针对排队车辆在一个绿灯相位内不能完全消散的情况，建立了过饱和状态下道路单交叉口的延误模型。随着物联网技术及数据采集与处理精度的提高，可主要分析测量断面车辆到达率和离开率的相关规律，经机理分析，分别对单相位路口、两相位单交叉口和四相位单交叉口进行建模。采用所建立的过饱和交叉口延误模型，可寻求最小延误重新分配各路口的绿灯时间，以缓解城市道路过饱和的状况。仿真结果验证了所建模型的准确性。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：756kb
    • 提供者：weixin_38572960

  1. 三极管饱和及深度饱和状态的理解和判断！

  2. 三极管饱和问题总结： 　　1.在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和；倍数越大，饱和程度就越深。 　　2.集电极电阻 越大越容易饱和。 　　3.饱和区的现象就是：二个PN结均正偏，IC不受IB之控制。 　　问题：基极电流达到多少时三极管饱和？ 　　解答：这个值应该是不固定的，它和集电极负载、β值有关，估算是这样的：假定负载电阻是1K,VCC是5V,饱和时电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：293kb
    • 提供者：weixin_38504417

  1. 晶体管的饱和状态和饱和压降

  2. 众所周知，一个普通的双极型晶体管有二个PN结、三种工作状态（截止、饱和、放大）和四种运用接法（共基、共发、共集和倒置）。对这两个PN结所施 加不同的电位，就会使晶体管工作于不同的状态：两个PN结都反偏——晶体管截止；两个PN结都导通——晶体管饱和：一个PN结正偏，一个PN结反偏——晶 体管放大电路（注意：如果晶体管的发射结反偏、集电结正偏，就是晶体管的倒置放大应用）。要理解晶体管的饱和，就必须先要理解晶体管的放大原理。 　　从 晶体管电路方面来理解放大原理，比较简单：晶体管的放大能力

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：105kb
    • 提供者：weixin_38673909
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