随着激光器的发展,需要高重复率的电光调Q器件。 提出了一种新型超快、高重复率的电光调Q技术,这种技术采用V型槽的金属氧化物半导体场效应晶体管(VMOSFET)器件作为调Q模块的主功率开关,运用宽范围可调的高压稳压电源和调Q触发信号整形电路,以及加压调Q和退压调Q的兼容电路。实验中得出：当调Q工作频率为10 kHz时,调Q电压幅度3～5 kV任意可调,电压脉冲宽度小于5 ns,触发抖动时间小于1 μs,且可以长期稳定工作。该调Q模块已经用于激光二极管(LD)抽运的无水冷固体Nd∶YAG激光器和连续

对能输送1焦耳/脉冲的固体激光器系统的需求增加了。要求该系统能在重复率高达60脉冲/秒的条件下操作。这些高平均功率所导致的激光器热负荷要求有更有效的散热方法。此外，热负荷还通过激光棒的光弹性特性干扰激光谐振器。这种干扰要求谐振器设计得对其参数变化不灵敏。其它应该考虑的问题包括激光放大器的能量储存限度和能量提取效率。另外，在1.34微米操作时需要抑制1.06微米辐射的技术。讨论了在输出高达1.0焦耳/脉冲的Nd:YAG和Nd:YAG激光系统中使用的技术。