提出了一个分析模型来描述高压C-SenseFET在线性和饱和区域的导通状态电流。 由于C-SenseFET是重要的感测和充电集成设备，因此将详细分析两个关键参数-感测比K和充电摆幅因子α，并提供一些优化结构。 对于C-SenseFET的实际应用，需要K和α满足0.001的条件