分析了高增益本征砷化镓光导开关(PCSS)中的几个重要参量,研究了光导开关的物理机制,发展了以畴电子崩(DEA)为基础的流注理论。提出了畴电子崩的3个必要条件:初始载流子密度nLD≥3×1015 cm-3,耗尽层的空穴密度和积累层的电子密度至少其中之一能够超过畴电子崩的阈值ncs,非平衡载流子密度区域沿电场方向的特征长度ΔZ必须大于畴电子崩转变为局域流注时的生长畴宽度b。揭示了流注的光致电离效应产生的局域平均载流子密度的上限大约为1017 cm-3·ps-1,能够为后代生长畴提供的初始载流子密度
