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搜索资源列表

  1. 应变式传感器，具体介绍传感器的设计

  2. 应变式传感器应用举例 ，具体介绍传感器的设计，其中包括弹性限度、悬臂梁等内容的介绍。弹性元件上应变片的粘贴，等强度梁、它的特点是灵敏度比较高。所以多用于较小力的测量。当力F（例如苹果的重力）以垂直方向作用于电子秤中的铝质悬臂梁的末端时，梁的上表面产生拉应变，下表面产生压应变，上下表面的应变大小相等符号相反。粘贴在上下表面的应变片也随之拉伸和缩短。得到正负相间的电阻值的变化，接入桥路后，就能产生输出电压。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-05-20
    • 文件大小：185kb
    • 提供者：hyfang0724

  1. 高应变、低应变及表面波测试方法简介

  2. 介绍高应变拟合分析过程、低应变定量分析方法以及表面波测试分析方法

  3. 所属分类：专业指导

  1. AD624集成放大器及在应变仪中的应用

  2. 介绍了AD I 公司的集成精密仪表放大器AD 624 的工作原理及使用要点, 给出了以该芯片为核心的一种低噪声、宽带、高增益精密应变测试仪的设计电路。

  3. 所属分类：系统集成

    • 发布日期：2012-09-09
    • 文件大小：221kb
    • 提供者：a493993836

  1. 高低应变-超声CT-表面波

  2. 高应变承载力分析软件、低应变定量分析软件、表面波测试分析软件及超声、地震波CT成像软件介绍

  3. 所属分类：VB

    • 发布日期：2015-05-28
    • 文件大小：8mb
    • 提供者：chaiyf94

  1. 高应变率单轴压缩下岩体裂隙扩展的细观位移模式

  2. 为了研究动态荷载作用下岩体裂隙扩展机制,通过细观颗粒平行黏结模型(PBM)的模拟,分析了高应变率单轴压缩条件下单裂隙岩样的损伤演化及细观位移场。高应变率大小对岩样最终破裂形态影响不大,但随应变率的增大,细观裂纹越多且局部化程度越强。随着裂隙倾角的增大,裂纹分叉交织越密,并在裂隙倾角≤45°和≥60°范围内分别具有相似的破裂形态。裂隙尖端翼裂纹是倾斜裂隙面相对滑移致使尖端撕裂的结果,高应变率下翼裂纹在峰后不再扩展。应变率越小,裂隙倾角越小,翼裂纹扩展的长度越长。定义了3类细观颗粒间的位移模式及其所

  3. 所属分类：其它

  1. 高应变曲线拟合分析方法的探析

  2. 高应变曲线拟合分析方法的探析，宝鹏辉，杜思义，高应变法是检测基桩承载力唯一的动测方法，改善高应变曲线拟合法的拟合质量是提高高应变结果精度的关键环节。本文统计分析国内基

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-09
    • 文件大小：301kb
    • 提供者：weixin_38734200

  1. ZK40镁合金高应变速率高温压缩变形行为和组织演变

  2. ZK40镁合金高应变速率高温压缩变形行为和组织演变，吴远志，严红革，在变形温度250-400℃、应变速率0.01-50/s的条件下，研究了ZK40镁合金高温压缩变形行为和组织演变，并通过建立本构方程得到了ZK40镁合金热

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-19
    • 文件大小：906kb
    • 提供者：weixin_38617615

  1. 钛合金切削加工中大应变、高应变率、高温材料本构模型的构建

  2. 钛合金切削加工中大应变、高应变率、高温材料本构模型的构建，杨勇，李明，针对钛合金在切削加工中大应变、高应变率、高温材料本构模型的缺乏，提出了基于正交切削理论的材料本构模型构建方法。根据正交切

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-16
    • 文件大小：397kb
    • 提供者：weixin_38681082

  1. 高应变速率变形对超细晶纯铜力学性能的影响

  2. 高应变速率变形对超细晶纯铜力学性能的影响，王稳稳，董月成，在等径角变形（equal channel angular pressing, ECAP）方法制备超细晶纯铜的基础上，进一步通过分离式霍普金森压杆设备（Split Hopkinson bar, SHPB�

  3. 所属分类：其它

  1. 金属材料的高应变率塑性变形及纳米化

  2. 金属材料的高应变率塑性变形及纳米化，屠风华，潘晶，塑性变形方法是目前研究与制备金属纳米晶材料的技术方法之一，包括低应变率变形和高应变率变形两种。本文对金属材料在表面机械研

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-05
    • 文件大小：594kb
    • 提供者：weixin_38570202

  1. 三维正交机织玄武岩纤维/不饱和聚酯树脂复合材料的高应变率压缩性能

  2. 三维正交机织玄武岩纤维/不饱和聚酯树脂复合材料的高应变率压缩性能，牛智林，孙宝忠，为了研究三维正交机织玄武岩纤维/不饱和聚酯树脂复合材料在不同应变率下的压缩性能及压缩破坏模式，本文采用分离式Hopkinson杆（SHPB�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-27
    • 文件大小：710kb
    • 提供者：weixin_38705762

  1. 高应变率下的扩散型相变：绝热剪切形变过程中铝合金沉淀相的瞬间溶解

  2. 高应变率下的扩散型相变：绝热剪切形变过程中铝合金沉淀相的瞬间溶解，杨扬，罗淑洪，采用分离式霍普金森压杆对2195-T6态铝锂合金帽型试样进行动态加载，利用光学显微镜和透射电镜研究动态剪切变形区的微观结构变化。�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-07
    • 文件大小：759kb
    • 提供者：weixin_38552292

  1. 基于内部变量模型的高熵合金变形分析

  2. 使用内部状态变量本构模型评估模型高熵合金CoCrFeMnNi中的变形。 这些合金的显着特性是它们在应力应变曲线的塑性区域中经历的异常高的应变硬化速率。 分析了在一定温度范围内发布的应力应变测量结果。 位错障碍相互作用和观察到的高应变硬化速率通过状态变量及其演变来表征。 结合短程障碍物和长程障碍物的模型显示出可以在宽范围的温度和晶粒尺寸上匹配实验测量结果。 远距离障碍被认为代表位错与不完全混合或部分偏析区域的相互作用。 在较高温度下也观察到动态应变时效。 与奥氏体不锈钢的测量值进行比较显示出一些共

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-06-04
    • 文件大小：346kb
    • 提供者：weixin_38637805

  1. 煤体应变对渗透率的影响分析

  2. 煤的渗透率受到骨架应力与孔隙压力的共同作用,并与煤的吸附变形有关。通过实验方法研究了煤体渗透率与变形之间的关系,结果表明:相同气体组分相同围压条件下,应变与渗透率的变化关系呈"V"字形曲线,应变有一临界范围,大于这一范围随应变的增大渗透率变化不大,而小于这一值时,渗透率变化很大;气体组分不同时,高应变条件下,CO2的渗透率略微大于N2的渗透率,这与孔隙压力与渗透率的变化关系是有区别的。

  3. 所属分类：其它

  1. 高应变 InxGa1-xAs 薄膜的结晶质量及光学特性

  2. 高应变 InxGa1-xAs 薄膜的结晶质量及光学特性

  3. 所属分类：其它

  1. 铋表面活性剂对InP基高应变InAs / InGaAs三角量子阱的影响

  2. 铋表面活性剂对InP基高应变InAs / InGaAs三角量子阱的影响

  3. 所属分类：其它

  1. 通过在高应变BiFeO3薄膜中通过高场电荷注入来改善极化保持力，该薄膜具有较好的畴取向

  2. 我们将富漏铁的铋铁氧体薄膜的纳秒铁电畴切换电流转移到极化电（PE）磁滞回线中，从中提取纳秒范围的极化保持力和压印。 由于出现了由冻结的补偿电荷和大的晶格失配应力引起的强去极化场，所有薄膜在4μs后都遭受了快速剩余的极化损失。 然而，在相反的场应力下，极化通过近电极电荷注入增强，并在1000 s后接近理论值，这为对称化高应变铁电薄膜的PE环路提供了一种有效的方法。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-05
    • 文件大小：33kb
    • 提供者：weixin_38670318

  1. 铋表面活性剂对InP基高应变InAs / InGaAs三角量子阱的影响

  2. 铋表面活性剂对InP基高应变InAs / InGaAs三角量子阱的影响

  3. 所属分类：其它

  1. 纳秒脉冲激光诱导冲击波作用下TC17钛合金高应变率本构模型参数辨识

  2. 基于Johnson-Cook(J-C)本构模型，提出了基于有限元模型和修正Levenberg-Marquard(L-M)算法的参数辨识方法。对TC17材料进行不同参数、不同工艺的激光冲击，得到了高应变率条件下的残余应力场分布；利用霍普金森压杆得到了中应变率条件下TC17材料的动态响应曲线；将上述两个测试结果作为辨识目标。引入低应变率条件下材料的响应曲线作为约束条件，辨识得到了TC17钛合金高应变率条件下的J-C本构模型参数。实验和计算结果对比验证表明，辨识得到的参数能比较准确地描述TC17钛合金

  3. 所属分类：其它

  1. 高应变InxGa1-xAs薄膜的结晶质量及光学特性

  2. 通过分子束外延(MBE)生长技术，在GaAs(100)基片上生长出单晶InxGa1-xAs薄膜，利用反射高能电子衍射仪(RHEED)实时监控薄膜生长情况。对InxGa1-xAs薄膜进行了X射线衍射(XRD)测试，结果显示该薄膜为高质量薄膜，且In组分(原子数分数)为0.51。光致发光(PL)光谱测试结果表明，室温下发光峰位约为1.55 μm；由于InxGa1-xAs薄膜中存在压应变，光谱峰位出现蓝移。Raman光谱显示GaAs-like横向光学声子(TO)模式的峰出现了明显展宽，验证了InxGa

  3. 所属分类：其它

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