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mos驱动笔记
mos高端驱动笔记 方便参数的计算
所属分类:
硬件开发
发布日期:2013-07-21
文件大小:425kb
提供者:
u011469282
高端MOS管驱动电路应用笔记
几种常见的高端MOS驱动电路心得。IR常见的高端驱动芯片
所属分类:
电信
发布日期:2014-01-25
文件大小:425kb
提供者:
lyk1596325
MOS管发热分析
上图有两个问题:1、浮地电容太大,影响快速开关;2、高端驱动利用的是浮地电容中的电荷,选取电容时要使用漏电流小的瓷片电容,尽量保证高端驱动时有足够的驱动电压。上图在每个高端MOSFET 的栅极和源极之间10K的电阻将迅速将电容中的电荷放光,使得栅极驱动电压下降。在栅极驱动电压下降的过程中,MOSFET进入放大区,管压降迅速增加
所属分类:
硬件开发
发布日期:2016-02-24
文件大小:76kb
提供者:
heikewang19
QX5243降压恒流驱动芯片内置MOS管
QX5243 是一款降压、恒流、高效率的高亮度LED 驱动器。通过外接一个电阻设定输出电流,通过 DIM引脚实现辉度控制功能,输出驱动电流最大 可达800mA。QX5243特别适合宽输入电压范围 的应用。高端电流检测达到±5%的电流精度, 同时只需很少的外接元件。由于采用滞环控制 方式,QX5243对负载瞬变具有非常快的响应速 度,对输入电压具有高的抑制比。电感电流纹 波为20%。最高工作频率可到2MHz。工作温度范 围从-40℃到125℃。采用SOP-8封装。
所属分类:
电子政务
发布日期:2012-06-26
文件大小:219kb
提供者:
hitszlzq
CMOS和TTL集成门电路多余输入端的处理方 法
CMOS和TTL集成门电路在实际使用时经常遇到这样一个问题,即输入端有多余的,如何正确处理这些多余的输入端才能使电路正常而稳定的工作?本文给出了解决这个问题的方法,供大家参考。 CMOS门电路 CMOS门电路一般是由MOS管构成,由于MOS管的栅极和其它各极间有绝缘层相隔,在直流状态下,栅极无电流,所以静态时栅极不取电流,输入电平与外接电阻无关。由于MOS管在电路中是一压控元件,基于这一特点,输入端信号易受外界干扰,所以在使用CMOS门电路时输入端特别注意不能悬空。在使用时应采用以下方法:
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-15
文件大小:59kb
提供者:
weixin_38734008
MOS管寄生二极管的方向如何判断呢?
1. MOS管开关电路学习过模拟电路的人都知道三极管是流控流器件,也就是由基极电流控制集电极与发射极之间的电流;而MOS管是压控流器件,也就是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流。MOSFET管是FET的一种,可以被制造为增强型或者耗尽型,P沟道或N沟道共四种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管。实际应用中,NMOS居多。 图1 左边是N沟道的MOS管,右边是P沟道的MOS管寄生二极管的方向如何判断呢?**它的判断规则就是对于N沟道,由S极指向D极;对于
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-14
文件大小:380kb
提供者:
weixin_38520275
小电流mos管发热分析
小电流mos管发热分析 mos管,做电源设计,或者做驱动方面的电路,难免要用到MOS管。MOS管有很多种类,也有很多作用。做电源或者驱动的使用,当然就是用它的开关作用。 无论N型或者P型MOS管,其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性,不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应,因此在开关应用中,MOS管的开关速度应该比三极管快。其主要原理如图: 在开关电源中常用MOS管的漏极开
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-13
文件大小:74kb
提供者:
weixin_38626179
浅谈MOS管的高端驱动和低端驱动
低端驱动:MOS管相对于负载在电势的低端,其中D通过负载接电源,S直接接地。对于NMOS,只有当Vgs大于开启电压时,MOS管才能导通。所以当未导通时,S处于一个不能确定的电位。若让Vgs大于开启电压,则DS导通,S确定为地电位,此时仍可以保证Vgs大于开启电压,保持DS导通。
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-12
文件大小:99kb
提供者:
weixin_38742656
MOS 与非门或非门构成原理
与非门 与非门(英语:NANDgate)是数字逻辑中实现逻辑与非的逻辑门,功能见左侧真值表。若当输入均为高电平(1),则输出为低电平(0);若输入中至少有一个为低电平(0),则输出为高电平(1)。与非门是一种通用的逻辑门,因为任何布尔函数都能用与非门实现。 与非门工作原理 ①、A、B输入均为低电平时,1、2管导通,3、4管截止,C端电压与VDD一致,输出高电平。 ②、A输入高电平,B输入低电平时,1、3管导通,2、4管截止,C端电位与1管的漏极保持一致,输出高电平。 ③、A输入低电
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-12
文件大小:54kb
提供者:
weixin_38704565
频率可自动调节的高线性度低通滤波器设计
为提高在电力网载波通信系统中发射端低通滤波器的频率响应和线性度, 同时也为了节省成本, 文中给出了把低通滤波器放在芯片里面, 并通过使用电阻和MOS管级联来组成一个可变电阻, 同时把MOS管放在反馈系统中来提高低通滤波器的线性度的低通滤波器的设计方法。
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-31
文件大小:70kb
提供者:
weixin_38500734
怎样用最小的代价降低MOS的失效率?
在高端MOS的栅极驱动电路中,自举电路因技术简单、成本低廉得到了广泛的应用。然而在实际应用中,MOS常莫名其妙的失效,有时还伴随着驱动IC的损坏。如何破?一个合适的电阻就可搞定问题。
所属分类:
其它
发布日期:2020-08-04
文件大小:45kb
提供者:
weixin_38674675
集成电路中的【E问E答】CMOS和TTL集成门电路多余输入端如何处理?
CMOS和TTL集成门电路在实际使用时经常遇到这样一个问题,即输入端有多余的,如何正确处理这些多余的输入端才能使电路正常而稳定的工作? 一、CMOS门电路 CMOS 门电路一般是由MOS管构成,由于MOS管的栅极和其它各极间有绝缘层相隔,在直流状态下,栅极无电流,所以静态时栅极不取电流,输入电平与外接电阻无关。由于MOS管在电路中是一压控元件,基于这一特点,输入端信号易受外界干扰,所以在使用CMOS门电路时输入端特别注意不能悬空。在使用时应采用以下方法: 1、与门和
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-16
文件大小:62kb
提供者:
weixin_38612909
频率可自动调节的高线性度低通滤波器设计
为提高在电力网载波通信系统中发射端低通滤波器的频率响应和线性度, 同时也为了节省成本, 文中给出了把低通滤波器放在芯片里面, 并通过使用电阻和MOS管级联来组成一个可变电阻, 同时把MOS管放在反馈系统中来提高低通滤波器的线性度的低通滤波器的设计方法, 利用该方法设计的四阶切比雪夫Ⅰ型低通滤波器的-3dB截止频率为164kHz, 输入输出摆幅为1Vpp。
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-23
文件大小:385kb
提供者:
weixin_38609089
开关技术中的MOS开关管的选择及原理应用
一般情况下普遍用于高端驱动的MOS,导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同,所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V.如果在同一个系统里,要得到比VCC大的电压,就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵,要注意的是应该选择合适的外接电容,以得到足够的短路电流去驱动MOS管。 MOS管是电压驱动,按理说只要栅极电压到到开启电压就能导通DS,栅极串多大电阻均能导通。但如果要求开关频率较高时,栅对地或VCC可以看做是一个电容,对
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-20
文件大小:188kb
提供者:
weixin_38539053
元器件应用中的怎样用最小的代价降低MOS的失效率?
【前言】 在高端MOS的栅极驱动电路中,自举电路因技术简单、成本低廉得到了广泛的应用。然而在实际应用中,MOS常莫名其妙的失效,有时还伴随着驱动IC的损坏。如何破?一个合适的电阻就可搞定问题。 【问题分析】 上图为典型的半桥自举驱动电路,由于寄生电感的存在,在高端MOS关闭后,低端MOS的体二极管钳位之前,寄生电感通过低端二极管进行续流,导致VS端产生负压,且负压的大小与寄生电感与成正比关系。该负压会把驱动的电位拉到负电位,导致驱动电路异常,还可能让自举电容过充电导致驱动电路或者栅
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-19
文件大小:91kb
提供者:
weixin_38742951
模拟技术中的宽动态范围的高端电流检测:三种解决方案
简介 在电机控制、电磁阀控制、通信基础设施和电源管理等诸多应用中,电流检测是精密闭环控制所必需的关键功能。从安全至关重要的汽车和工业应用,到电源和效率至关重要的手持式设备,都能发现它的身影。利用精密电流监控,设计人员可以获得关键的瞬时信息,例如电机扭矩(根据电机电流)、DC/DC转换器效率、基站LDMOS(横向扩散MOS)功率晶体管的偏置电流,或者短接至地等诊断信息。 为了理解系统设计人员在为电路板选择最精确、最具成本效益的电流传感器时所面对的重要权衡、选择和挑战,我们将仔细讨论蜂窝
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-03
文件大小:408kb
提供者:
weixin_38552083
工业电子中的载流子寿命控制技术加快ST新型场效应MOS管的速度
意法半导体日前推出一款0N沟道场效应MOS晶体管——STx9NK60ZD,可用于高强度放电灯、高端镇流器和采用零压和零流开关技术的开关电源。STx9NK60ZD率先采用SuperFREDMesh新型高压工艺,由于这项先进技术在ST原有的基本高压系列产品SuperMESH上实现了一个新载流子寿命控制过程,新器件具备良好动态性能,并优化了体二极管的反向恢复时间(trr),具有软恢复特性。所有这些都将有助于降低开关损耗。 采用SuperFREDMesh制造技术的器件还可以降低通态电阻,执行齐纳二极
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-29
文件大小:40kb
提供者:
weixin_38593823
宽动态范围的高端电流检测:三种解决方案
简介 在电机控制、电磁阀控制、通信基础设施和电源管理等诸多应用中,电流检测是精密闭环控制所必需的关键功能。从安全至关重要的汽车和工业应用,到电源和效率至关重要的手持式设备,都能发现它的身影。利用精密电流监控,设计人员可以获得关键的瞬时信息,例如电机扭矩(根据电机电流)、DC/DC转换器效率、基站LDMOS(横向扩散MOS)功率晶体管的偏置电流,或者短接至地等诊断信息。 为了理解系统设计人员在为电路板选择、成本效益的电流传感器时所面对的重要权衡、选择和挑战,我们将仔细讨论蜂窝基站功率放
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-20
文件大小:549kb
提供者:
weixin_38606169
浅谈MOS管的高端驱动和低端驱动
低端驱动:MOS管相对于负载在电势的低端,其中D通过负载接电源,S直接接地。对于NMOS,只有当Vgs大于开启电压时,MOS管才能导通。所以当未导通时,S处于一个不能确定的电位。若让Vgs大于开启电压,则DS导通,S确定为地电位,此时仍可以保证Vgs大于开启电压,保持DS导通。 而对于PMOS,只有到Vgs小于一个值,MOS才能导通。此时S处于一个不确定的电位。若让Vgs小于开启电压,即使导通了,S确定下降到地电位,就不能保证Vgs小于开启电压。 高端驱动:MOS
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-20
文件大小:82kb
提供者:
weixin_38551431
MOS管开关的基础知识
一般情况下普遍用于高端驱动的MOS,导通时需要是栅极电压大于源极电压,而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同,所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里,要得到比VCC大的电压,就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵,要注意的是应该选择合适的外接电容,以得到足够的短路电流去驱动MOS管。 MOS管是电压驱动,按理说只要栅极电压到到开启电压就能导通DS,栅极串多大电阻均能导通。但如果要求开关频率较高时,栅对地或VCC可以看做是一个电容,对于一个电
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-20
文件大小:177kb
提供者:
weixin_38711972
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