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  1. 高端MOSFET的驱动技术

  2. 本文主要目的是祥述在应用高压门极驱动芯片驱动半桥时所可能遇到的最常见的问题及对策， 应用实例是电机驱动。

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2008-11-07
    • 文件大小：411kb
    • 提供者：BOBONO2

  1. 开关电源测流电阻应放置的6个位置.pdf

  2. 开关电源测流电阻应放置的6个位置pdf,电流模式控制由于其高可靠性、环路补偿设计简单、负载分配功能简单可靠的特点，被广泛用于开关模式电源。电流检测信号是电流模式开关模式电源设计的重要组成部分，它用于调节输出并提供过流保护。图1显示了 ADI LTC3855同步开关模式降压电源的电流检测电路。LTC3855是一款具有逐周期限流功能的电流模式控制器件。检测电阻RS监测电流。在这种配置中,电流检测可能有很高的噪声,原因是顶部 MOSFET的导通边沿 具有很强的开关电压振荡。为使这种影响最小,需要一个较

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：519kb
    • 提供者：weixin_38743737

  1. 高端MOSFET的驱动技术

  2. 本文档是IR高压门极驱动芯片的设计指南，中文版本，值得收藏。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2012-08-23
    • 文件大小：411kb
    • 提供者：naxiecn

  1. 模拟技术中的STM32中GPIO的8种工作模式

  2. 一、推挽输出：可以输出高、低电平，连接数字器件;推挽结构一般是指两个三极管分别受两个互补信号的控制，总是在一个三极管导通的时候另一个截止。高低电平由IC的电源决定。     推挽电路是两个参数相同的三极管或MOSFET，以推挽方式存在于电路中，各负责正负半周的波形放大任务，电路工作时，两只对称的功率开关管每次只有一个导通，所以导通损耗小、效率高。输出既可以向负载灌电流，也可以从负载抽取电流。推拉式输出级既提高电路的负载能力，又提高开关速度。     二、开漏输出：输出端相当于三极管的集电极，

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：110kb
    • 提供者：weixin_38705014

  1. 接口/总线/驱动中的半桥拓扑结构高端MOSFET驱动方案

  2. 在节能环保意识的鞭策及世界各地最新能效规范的推动下，提高能效已经成为业界共识。与反激、正激、双开关反激、双开关正激和全桥等硬开关技术相比，双电感加单电容(LLC)、有源钳位反激、有源钳位正激、非对称半桥(AHB)及移相全桥等软开关技术能提供更高的能效。因此，在注重高能效的应用中，软开关技术越来越受设计人员青睐。     另一方面，半桥配置最适合提供高能效/高功率密度的中低功率应用。半桥配置涉及两种基本类型的MOSFET驱动器，即高端(High-Side)驱动器和低端(Low-Side)驱动器。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：172kb
    • 提供者：weixin_38685832

  1. 电源技术中的75W反激式LED驱动电源电路解析

  2. 本文介绍一种带单级（单开关）PFC的反激式恒压，恒流75WLED驱动电源，其电路如图，AC输入电压范围为208~277V,输出24V、3.125A,用来驱动75W的LED阵列灯。 　　TOP250YN是PI公司推出的一种TOPSwitch-GX离线式开关，采用7脚T0-220-7C封装，内置PWM控制和保护电路及700V的功率MOSFET. 　　利用单级反激式变换器实现高功率因数的方法是单个AC周期内保持UI中MOSFET的开关占空比因数保持恒定，这就要求流入Ul控制端（引脚C）的电流不

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：136kb
    • 提供者：weixin_38663973

  1. 电源技术中的飞兆半导体推出下一代TinyBuck调节器，满载效率达96％

  2. 服务器、平板电脑、笔记本电脑、电信、游戏和通用负载点（POL）调节器应用设计人员正在不断寻找能提升设计中效率的方法，以便满足能源标准、延长电池寿命并降低总体拥有成本。为了帮助设计人员应对这一挑战，飞兆半导体公司开发了下一代TinyBuck调节器系列产品，由集成式POL调节器组成，包含恒定导通时间的PWM控制器，以及带有高端和低端MOSFET的驱动器。 　　FAN23xx系列可极大地提升终端用户应用在非常宽的负载范围内的效率。这种提升是通过多种优化而达到的： 　　微调后的栅极驱动电路针对每款特

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：144kb
    • 提供者：weixin_38684633

  1. 电源技术中的LTC3775 - 高频、同步降压、电压模式 DC/DC 控制器

  2. 描述： 　　LTC:registered:3775 是一款高效率、同步降压型开关 DC/DC 控制器，用于从一个 4.5V 至 38V 的输入电源电压来驱动一个全 N 沟道功率 MOSFET 级。一种获专利的电压前馈补偿电路和一个高带宽误差放大器提供了非常快的电压和负载瞬态响应。 　　利用一个 30ns 的低最小接通时间实现了高降压比，从而提供了极低的占空比。MOSFET RDS(ON)电流检测最大限度地提升了效率。或者，也可以采用一个检测电阻器以实现较高的电流限值准确度。顶端和底端 MOS

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-05
    • 文件大小：104kb
    • 提供者：weixin_38698927

  1. 电源技术中的同步整流技术的应用与实现

  2. 同步整流技术已经成为现代开关电源技术的标志。凡是高水平开关电源，必定有同步整流技术。在使用面上早已不再局限于5V、3.3V、2.5V这些低输出电压领域，现在上至12V，15V，19V至24V以下输出，几乎都在使用同步整流技术。下面介绍和分析各种同步整流技术的优点、缺点及实现方法。 　　一、自驱动同步整流 　　这里给出反激、正激及推挽三种电路的同步整流电路。在正常输入电压值附近工作时，效果十分明显，在高端时，效率变坏而且容易损坏MOSFET。其电路如图1所示。输出电压小于5V时才适用。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-05
    • 文件大小：805kb
    • 提供者：weixin_38623819

  1. 电源技术中的LT3748 - 100V 隔离型反激式控制器

  2. 描述： 　　LT:registered:3748 是一款专为隔离型反激式拓扑结构而设计的开关稳压器控制器，能够提供高功率。它从一个在内部调节的 7V 电源来驱动低端外部 N 沟道功率 MOSFET。由于该器件直接从主端反激波形来检测隔离输出电压，因此无需借助第三绕组或光隔离器来实现稳压。 　　LT3748 运用边界模式操作，旨在提供一款未牺牲负载调节性能的小型磁性解决方案。该器件的工作频率由负载电流和变压器磁化电感来设定。LT3748 的栅极驱动电路与一个合适的外部 MOSFET 相组合，因

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-04
    • 文件大小：109kb
    • 提供者：weixin_38659812

  1. 模拟技术中的LTC4446：N沟道MOSFET驱动器

  2. 描述 　　LTC4446 是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。LTC4446 用于顶端栅极驱动器的上拉电路具有 2.5A 的峰值输出电流，而其下拉电路则具有 1.2Ω 的输出阻抗。用于底端栅极驱动器的上拉电路具有 3A 的峰值输出电流，而其下拉电路则具有 0.55Ω 的输出阻抗。 　　LTC4446 针对两个与电源无关的输入进行配置。高压侧输入逻

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-03
    • 文件大小：102kb
    • 提供者：weixin_38604620

  1. 基础电子中的半桥拓扑结构高端MOSFET驱动方案选择：变压器还是硅芯片

  2. 在节能环保意识的鞭策及世界各地最新能效规范的推动下，提高能效已经成为业界共识。与反激、正激、双开关反激、双开关正激和全桥等硬开关技术相比，双电感加单电容(LLC)、有源钳位反激、有源钳位正激、非对称半桥(AHB)及移相全桥等软开关技术能提供更高的能效。因此，在注重高能效的应用中，软开关技术越来越受设计人员青睐。 　　另一方面，半桥配置最适合提供高能效/高功率密度的中低功率应用。半桥配置涉及两种基本类型的MOSFET驱动器，即高端(High-Side)驱动器和低端(Low-Side)驱动器。高端

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-08
    • 文件大小：211kb
    • 提供者：weixin_38643269

  1. 电源技术中的L5991的驱动输出

  2. L5991的驱动输出（10脚）采用图腾柱式结构，高端为NPN型达林顿管，低端为VDMOS厝，能够直接驱动功率MOSFET管，无须增加外接钳位二极管。芯片内部将栅极驱动电压钳位在13 V。在欠压锁定状态下，输出脉冲将被中止，以防止功率MOSFET管误触发如图所示。 　　图 UVLO状态下输出下拉电路　　  来源:ks99

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-16
    • 文件大小：50kb
    • 提供者：weixin_38730129

  1. 电源技术中的飞兆半导体互补型40V MOSFET优化逆变器设计

  2. 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出互补型40V MOSFET器件FDD8424H，采用双DPAK封装，提供业界领先的散热能力，有助于提高系统可靠性、减小线路板空间及降低系统总体成本。  　　FDD8424H专为半桥和全桥逆变器设计而优化，是液晶电视、液晶显示器所用背光单元(BLU)以及电机驱动和电灯驱动的理想选择。与采用8引脚直插和双SOIC (SO8)封装的替代解决方案相比，双DPAK封装FDD8424H的热阻抗分别是其五分之一及十分之一。此外，FDD8424

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-27
    • 文件大小：64kb
    • 提供者：weixin_38640794

  1. 电源技术中的100V高速同步N 沟道3A MOSFET驱动器用于高效DC/DC 转换器

  2. 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高输入电源电压 (100V) 同步 MOSFET 驱动器 LTC4444，该器件用于在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端功率的 N 沟道 MOSFET。这个驱动器可与功率 MOSFET 以及凌力尔特公司的很多 DC/DC 控制器一起组成完整的高效率同步转换器。　　这个强大的驱动器可采用 1.2Ω 的下拉阻抗和提供高达 2.5A 的电流以驱动高端 MOSFET，而采用 0.55Ω 下拉阻抗可提供 3A 电流以驱

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-26
    • 文件大小：42kb
    • 提供者：weixin_38712908

  1. 电源技术中的Linear推出高输入电源电压MOSFET驱动器LTC4446

  2. Linear公司近日推出高频、高输入电源电压(100V) MOSFET驱动器LTC4446，用来驱动双晶体管正激式转换器中的高端和低端 N 沟道功率 MOSFET。这个驱动器与功率MOSFET和一个凌力尔特公司的DC/DC控制器一起，可组成一个完整的高效率双晶体管正激式转换器，或者可以配置为快速动作的高压 DC 开关。 　　这个强大的驱动器以1.2Ω下拉阻抗驱动高端 MOSFET 时可以提供高达 2.5A 的电流，而以 0.55Ω 下拉阻抗驱动同步 MOSFET时可提供 3A 的电流，从而非

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-20
    • 文件大小：42kb
    • 提供者：weixin_38522214

  1. 电源技术中的Linear推出高速同步N沟道MOSFET驱动器

  2. 凌力尔特推出高速同步 MOSFET 驱动器 LTC4442/-1，该器件用来在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端 N 沟道功率 MOSFET。这种驱动器与凌力尔特公司很多 DC/DC 控制器组合使用时，可组成完整的高效率同步稳压器，该稳压器可用作降压或升压型 DC/DC 转换器。 　　这个强大的驱动器可以吸收高达 5A 电流和提供高达 2.4A 电流，非常适用于驱动大栅极电容、大电流 MOSFET。LTC4442/-1 还可以为较大电流应用驱动多个并联 MOSFET。当驱动 3000pF 负

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-30
    • 文件大小：42kb
    • 提供者：weixin_38556985

  1. 电源技术中的Fairchild推出互补型40V MOSFET改进LCD设计

  2. 飞兆半导体推出互补型40V MOSFET器件FDD8424H，采用双DPAK封装，提供业界领先的散热能力，有助于提高系统可靠性、减小线路板空间及降低系统总体成本。FDD8424H专为半桥和全桥逆变器设计而优化，是液晶电视、液晶显示器所用背光单元 (BLU) 以及电机驱动和电灯驱动的理想选择。与采用8引脚直插和双SOIC (SO8) 封装的替代解决方案相比，双DPAK封装FDD8424H的热阻抗分别是其五分之一及十分之一。此外，FDD8424H在单一封装中集成了一个P沟道高端MOSFET和一个N沟

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-29
    • 文件大小：50kb
    • 提供者：weixin_38677806

  1. 电源技术中的Linear推出100V高速同步N沟道3A MOSFET驱动器

  2. Linear推出100V高速同步N沟道3A MOSFET驱动器 （时间:2007-12-6 8:38:23  来源：电子设计技术）   　　凌力尔特推出高速、高输入电源|稳压器电压 (100V) 同步 MOSFET 驱动器 LTC4444，该器件用于在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端功率的 N 沟道 MOSFET。这个驱动器可与功率 MOSFET 以及凌力尔特公司的很多 DC/DC 控制器一起组成完整的高效率同步转换器。 　　这个强大的驱动器可采用 1.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-28
    • 文件大小：43kb
    • 提供者：weixin_38673812

  1. 电源技术中的凌力尔特推出电源电压 （100V） 同步 MOSFET 驱动器 LTC4444

  2. 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高输入电源电压 (100V) 同步 MOSFET 驱动器 LTC4444，该器件用于在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端功率的 N 沟道 MOSFET。这个驱动器可与功率 MOSFET 以及凌力尔特公司的很多 DC/DC 控制器一起组成完整的高效率同步转换器。 　　这个强大的驱动器可采用 1.2Ω 的下拉阻抗和提供高达 2.5A 的电流以驱动高端 MOSFET，而采用 0.55Ω 下拉阻抗可提供 3A 电流

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-28
    • 文件大小：64kb
    • 提供者：weixin_38576922
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