对于400 GeV / c质子，由于沟道形成的偏转效率约为61％，最明显的是沿着弯曲的硅晶体的〈110〉轴。 它与平面通道的偏转效率相当，并且比〈111〈轴的偏转效率大得多。 沿着〈110〈轴窜动的质子的非弹性核相互作用的实测概率仅为其非晶态水平的10％左右，而沿着（110）平面窜动的质子大约为25％。 高效的偏转和小的射束损耗使硅晶体的这种轴向取向成为用于控制高能带电粒子的射束的有用工具。