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搜索资源列表

  1. OP放大器应用技巧100例（松井邦彦）

  2. 本书是“图解实用电子技术丛书”之一。本书主要介绍op放大器在电子技术应用领域中100个应用技巧。针对在使用过程中可能出现的问题，结合op放大器特性，进行简要分析，并给出最终解决的方法。同时，尽可能地提供完整的op放大器的性能参数。全书共分11章，第1章介绍op放大器应用技巧须知，第2章介绍单电源/低功率op放大器的应用技巧，第3章介绍op放大器的应用技巧，第4章介绍微小电流op放大器的应用技巧，第5章介绍低噪声op放大器的应用技巧，第6章介绍高速op放大器的应用技巧，第7章介绍op放大器的稳定

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2012-02-18
    • 文件大小：18mb
    • 提供者：zhenggujianke

  1. ti系统级静电保护指南

  2. ti系统级静电保护指南 传统的ESD保护方法包括齐纳二极管、金 属氧化物可变电阻器(MOV)，瞬态电压抑 制二极管(TVS)，常规CMOS和双极性钳位 二极管。在更高的数据速率下，这些方法 会引起信号质量的失真和劣化。德州仪器 (TI)提供多种应用在高速数据速率下的ESD 保护方案和易于设计的二极管阵列芯片。

  3. 所属分类：硬件开发

  1. 基于单片机的LED显示系统

  2. 单片机led滚动显示屏设计主要应用于显示屏，它是利用发光二极管点阵模块或像素单元组成的平面式显示屏幕。由于它具有发光效率高、使用寿命长、组态灵活、色彩丰富以及对室内室外环境适应能力强等优点，自20世纪80年代后期开始，随着LED制造技术的不断完善，在国外得到了广泛的应用。在我国改革开放之后，特别是进入90年代国民经济高速增长，对公众场合发布信息的需求日益强烈，LED显示屏的出现正好适应了这一市场形势，因而在LED显示屏的设计制造技术与应用水平上都得到了迅速的提高。LED显示屏经历了从单色、双色

  3. 所属分类：C++

    • 发布日期：2014-12-25
    • 文件大小：1mb
    • 提供者：qq_24810143

  1. DLS中英文资料.rar

  2. 1-Wire?器件列表 DS1990R: 序列号iButton DS28E01-100: 1k位、保护型1-Wire EEPROM，带有SHA-1引擎 DS2413: 1-Wire双通道、可编址开关 DS28E04-100: 4096位、可寻址、1-Wire EEPROM，带有PIO DS2482-100: 单通道1-Wire主控制器 DS2482-800: 八通道1-Wire主控制器 DS2431: 1024位、1-Wire EEPROM DS9090K: 1-Wire器件评估板, B版 D

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2009-04-25
    • 文件大小：5mb
    • 提供者：linyujiang

  1. 和利时（HOLLiAS）MACS-S控制系统简明选型手册.pdf

  2. 和利时（HOLLiAS）MACS-S控制系统简明选型手册pdf,和利时（HOLLiAS）MACS-S控制系统简明选型手册：HOLLiAS MACS-S系统是和利时公司集多年的开发、工程经验而设计的大型综合控制系统，是一个完善、经济、可靠的控制系统。该系统采用了目前世界上先进的现场总线技术(ProfiBus-DP总线)，支持 FF、DEVICENET、CANBUS 、PA等主流总线，支持HART标准协议，智能化仪表可以方便的和系统相连。采用成熟的先进控制算法，全面支持IEC61131-3标准。支持

  3. 所属分类：其它

  1. Novotechnik TMI系列传感器 手册.pdf

  2. Novotechnik TMI系列传感器 手册pdf,Novotechnik TMI系列传感器 手册novotechnik 电气连接 101型:8针圆形接头EC130-9 电气零点 135 C.5 O型垫圈0154x2.1 X 磁决7M|-P0?或7-TM-1 电气连接 102型:8针圆形接头M12x1 70±1 6 到上妻 电气连接 201型:NT标准电缆长1米 标准电缆长1米 24±3 (3 群三申 注:其他连接方式的机械图纸可通过网址www.novotechnik.cn下载获得 novo

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-10-19
    • 文件大小：626kb
    • 提供者：weixin_38744435

  1. 高速双二极管

  2. 高速共阴极开关二极管，正向导通电压为0.7V。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2013-09-04
    • 文件大小：60kb
    • 提供者：wanchy2008

  1. 基于可见光色分双工的井下定位系统收发机

  2. 现有的井下无线定位系统收发机通信主要采用无线电波,由于井下巷道狭小、岩石成分复杂等因素,无线电波的通信距离、通信质量都会受到影响。针对以上问题,设计了基于可见光色分双工的井下定位系统收发机。该收发机采用LED的高速闪烁携带信息,并用光电二极管接收光信号,实现了无线可见光通信。收发机通信的上下行信道采用色分双工的方式,将2个方向上的信号分别调制在2个相互分离的不同颜色的可见光信道上,以实现数据的接收和发送。试验结果表明,该收发机功耗小,抗电磁干扰性能好,接收稳定,并兼有照明作用。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-17
    • 文件大小：543kb
    • 提供者：weixin_38727980

  1. 江崎二极管 什么是江崎二极管

  2. 它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。其P型区的N型区是高掺杂的（即高浓度杂质的）。隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生。发生隧道效应具备如下三个条件：①费米能级位于导带和满带内；②空间电荷层宽度必须很窄（0.01微米以下）；简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。江崎二极管为双端子有源器件。其主要参数有峰谷电流比（IP／PV），其中，下标“P”代表“峰”；而下标“V”代表“谷”。江崎二极管可以被应用于低噪声高频放大器及高频振荡

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-12
    • 文件大小：37kb
    • 提供者：weixin_38547035

  1. AW7-一款高速双整流二极管

  2. 一款高速双整流二极管的性能详细资料。。。。。。。。。。。。。。。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2011-04-14
    • 文件大小：111kb
    • 提供者：chitru

  1. 模拟技术中的ADUM2200: 双通道数字隔离器特性/电路框图

  2. ADuM220x*是基于ADI公司iCoupler:registered:技术的双通道数字隔离器。通过将高速CMOS工艺和单片空芯变压器技术结合在一起，较之传统光耦合器件等其他元件来说，这些隔离器件能提供更加优异和杰出的工作特性。 　　由于在iCoupler器件中无需使用LED和光电二极管，所以避免了光耦合器设计中的一些常见困难，例如电流传输率的不确定性、非线性传递函数以及温度与使用寿命的影响等问题，而当使用简单和具有稳定工作特性的iCoupler数字接口电路时，这些问题将迎刃而解。采用iCo

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-04
    • 文件大小：94kb
    • 提供者：weixin_38720256

  1. 元器件应用中的MOSET中加速二极管的效果

  2. 功率MOSFET与场效应晶体管相比，可以说速度较快，其原因是由于用于ON的时间。tf及下降时间较快。一般的是努力加快上升时间ton及下降时间幻，但实际上辐更重要。 　　MOSFET是双极型的没有载流子积蓄时间，因此可以高速，但它用于OFF的时间。存在，这个是低速的。 　　功率MOSFET的开关特性根据门驱动电路、条件变化很大，所以要进行高速的开关动作，需要很多的知识。 　　图1是将高耐压的功率MOSFET 2SK894(500V、8A)，采用和前面的晶体管相同条件地进行开关时的电路。门极电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-17
    • 文件大小：198kb
    • 提供者：weixin_38569219

  1. 显示/光电技术中的集电极形成的PIN光电二极管

  2. 在不对工艺做任何修改的情况下，N＋埋层集电极可以被用做光电二极管的阴极，N型外延集电区可用做PIN光电二极管中的I层，而基极注入区则可以被用做阳极，如图1所示。这样就使得在标准的双极工艺中能够集成带有薄本征层的光电二极管［37～38］。 　　图1  基极－集电极形成的PIN光电二极管 　　高速双极工艺中N型外延层厚度大约在1 gm左右，这样小的厚度会使得探测器在黄色到红外光谱范围（580～1100 nm）内量子效率较低。而光脉冲信号引起的光生电流的上升时间和下降时间同样会由于薄外延层的原

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：72kb
    • 提供者：weixin_38713306

  1. 显示/光电技术中的Hamamatsu推出小封装的高敏感度高速光电IC

  2. Hamamatsu公司推出的S9684系列光电IC (photo ic)敏感度高，速度快，封装尺寸小，适合激光束检测产品，可用于激光打印机、数字复印机和传真机。     S9684采用双元件硅(Si) PIN光二极管，它通过比较来自双元件Si PIN光二极管的信号，即便当激光功率或环境温度变化时，也可提供稳定的数字输出。这种表面安装的器件采用3 (D)×1.3 (H)×4mm (W)封装，适合于无铅回流焊处理。     该系列中两款光电IC使用具有两个增益级的电流放大器。S9684提供2

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-02
    • 文件大小：43kb
    • 提供者：weixin_38576922

  1. 单纵模光纤激光器及其高速传输性能

  2. 设计了一种基于光纤饱和吸收效应的环形单纵模光纤激光器结构, 以可调谐光纤布拉格光栅作为波长选择器件, 与2 m未抽运掺铒光纤一起位于环形腔反射臂上。采用980 nm激光二极管注入环形腔抽运高掺铒光纤形成激光增益, 在饱和吸收体中形成驻波干涉, 实现1550 nm波段单纵模激光输出, 可调谐范围达42 nm。饱和吸收体对激光的吸收系数随抽运光强的增加而减小, 形成了输出激光的光学双稳态特性。为了提高单纵模激光的稳定性、抑制跳模产生的噪声, 采用一只抽运源通过光纤分路器分光, 同时抽运光纤激光器和光

  3. 所属分类：其它

  1. 隧道二极管脉冲电路

  2. 由于隧道二极管的脉冲电路，结构简单，变化速度快，功耗小，因此在高速脉冲技术中得到广泛的应用，可以用隧道二极管构成双稳电路，单稳电路，多谐振荡电路，以及用作整形和分频电路等。一、隧道二极管的伏安特性及其参数隧道二极管的伏安特性[见图一（a）]是一条S型特性曲线。曲线中最大电流点P，称为峰点；最小电流点V，称为谷点，隧道二极管的主要参数：（1）峰点电压Up，约几十毫伏，谷点电压Uv，约几百毫伏（2）峰点电流Ipi，约几毫安，谷点电流Iv约几百微安（3）峰谷电流比，约为5-6，越大越好（4）谷点电容C

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-03
    • 文件大小：96kb
    • 提供者：weixin_38719702

  1. 中红外甲烷二氧化碳双气体传感系统的研制

  2. 为了实现对甲烷和二氧化碳双气体一体化测量,设计了以两个窄带中红外发光二极管(LED)作为甲烷和二氧化碳测量光源、以两个光电二极管(PD)作为探测器敏感元件的双LED-PD光学测量结构,研制了中红外甲烷二氧化碳双气体传感系统。对谱线及光学器件的选择、双LED光源脉冲电流调制、温度补偿算法进行了研究。根据甲烷和二氧化碳气体的红外线吸收光谱特征进行光学测量结构的设计,利用LED器件高速响应特性完成双光源脉冲电流调制时序算法,即采用窄脉冲模式进行电流驱动。在温度实验分析的基础上,采用中值归一数据预处理得

  3. 所属分类：其它

  1. ADUM2200: 双通道数字隔离器特性/电路框图

  2. ADuM220x*是基于ADI公司iCoupler:registered:技术的双通道数字隔离器。通过将高速CMOS工艺和单片空芯变压器技术结合在一起，较之传统光耦合器件等其他元件来说，这些隔离器件能提供更加优异和杰出的工作特性。 　　由于在iCoupler器件中无需使用LED和光电二极管，所以避免了光耦合器设计中的一些常见困难，例如电流传输率的不确定性、非线性传递函数以及温度与使用寿命的影响等问题，而当使用简单和具有稳定工作特性的iCoupler数字接口电路时，这些问题将迎刃而解。采用iCo

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：110kb
    • 提供者：weixin_38543293

  1. 意法半导体50MHz高运放提升高速信号调理和电流检测性能

  2. 意法半导体的 TSV792 5V双运算放大器（op amp）具有50MHz的增益带宽积和低输入失调电压、10pA输入偏置电流等高  特性。　　(25°C)典型输入失调电压保证芯片  地放大低振幅信号。30V/?s的快速压摆率使TSV792适用于调理电池供电烟感器的光电二极管输出信号。通过有效地处理光电烟感器的输出信号，TSV792节省的电能可以驱动无线网络等额外功能，增加智能家居产品的用途。　　TSV792的输入电压噪声极低，在10kHz时的典型值仅为6.5nV/√Hz，可用于 电机控制应用 和

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：124kb
    • 提供者：weixin_38499732

  1. 集电极形成的PIN光电二极管

  2. 在不对工艺做任何修改的情况下，N＋埋层集电极可以被用做光电二极管的阴极，N型外延集电区可用做PIN光电二极管中的I层，而基极注入区则可以被用做阳极，如图1所示。这样就使得在标准的双极工艺中能够集成带有薄本征层的光电二极管［37～38］。 　　图1  基极－集电极形成的PIN光电二极管 　　高速双极工艺中N型外延层厚度大约在1 gm左右，这样小的厚度会使得探测器在黄色到红外光谱范围（580～1100 nm）内量子效率较低。而光脉冲信号引起的光生电流的上升时间和下降时间同样会由于薄外延层的原

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：77kb
    • 提供者：weixin_38580959
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