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搜索资源列表

  1. sram读取控制verilog代码

  2. sram存储器的读取代码，已测试，为一个FPGA的下载工程。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2009-05-19
    • 文件大小：236544
    • 提供者：fzdxlym

  1. virtes-5 ddr2 sram 操作例程

  2. VHDL语言，一个关于virtes-5 ddr2 sram 采集数据的实例。详细的源代码

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-05-29
    • 文件大小：61440
    • 提供者：ccadaren

  1. FPGA 与SRAM 相结合完成大容量数据存储PDF

  2. 1 引言 随着数字信号处理技术的不断发展，大容量可编程逻辑器件的不断涌现，FPGA 技术越来越多地应用在大规模集成电路设计中。在此硬件系统设计中，经常会遇 到需要大容量的数据存储的情况，下面我们将针对FPGA 中内部Block RAM 有限 的缺点，提出了将FPGA 与外部SRAM 相结合来改进设计的方法，并给出了部分V HDL 程序。 2 硬件设计 这里将主要讨论以Xilinx 公司的 FPGA（XC2S600E-6fg456）和ISSI 公司的SRA M（IS61LV25616AL）为主要

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2009-06-26
    • 文件大小：190464
    • 提供者：mzcry

  1. 用VHDL语言编写的SRAM的读写控制

  2. 这个我花了不少时间，基本可以了，SRAM、FLASH是整个设计的一部分，看到有朋友需要先贴上再说。里面 的REGISTER_CONTROL.GDF（BDF是QUARTUS||格式的）为顶层文件。

  3. 所属分类：Flash

    • 发布日期：2010-06-12
    • 文件大小：304128
    • 提供者：wzh1231986

  1. usb1.1， jtag， i2c， pci， sram等的IP核

  2. IP核: usb1.1， jtag， i2c， pci， sram等IP， verilog代码。 适宜初学者。

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2010-09-21
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：Ralphjh

  1. SDRAM ，SRAM ，FLASH在FPGA中起的作用.doc

  2. SDRAM ，SRAM ，FLASH在FPGA中起的作用，很好的概念文档

  3. 所属分类：网络攻防

    • 发布日期：2011-06-10
    • 文件大小：26624
    • 提供者：weihouzhenzhen

  1. 怎样定制SRAM的Avalon接口IP，以供Nios II使用

  2. 怎样定制SRAM的Avalon接口IP，以供Nios II使用 软件：Quartus II 10.0 + Nios II 10.0 Software Build Tools for Eclipse 参考 1. [原创].怎样制作一个简单ip，以方便在Quartus II和Nios II中使用？.[Nios II][Quartus II][SOPC Builder] 2. Altera.Avalon Interface Specifications

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2011-11-03
    • 文件大小：737280
    • 提供者：liuhy2011

  1. 一种SRAM芯片立体封装大容量的应用研究

  2. 静态随机存储器（static RAM），简称SRAM.在电子设备中，常见的存储器有SRAM（静态随机访问存储器）、FLASH（闪速存储器）、DRAM（动态存储器）等。其中不同的存储器有不同的特性，SRAM无需刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失。与SDRAM相比，SRAM不需要时钟信号，即可保持数据不丢失。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-29
    • 文件大小：689152
    • 提供者：weixin_38519849

  1. 嵌入式系统/ARM技术中的嵌入式MIPS32 M4K处理器内核SRAM接口应用

  2. 微控制器环境要求在尽可能小的封装里实现最多的通用I／O。存微控制器尺寸和成本的限制下，M4K内核内部不支持指令高速缓存（I-cache）或数据高速缓存（D-cache）的标准功能。但MIPS32 M4K内核所具有的一些特点使其非常适用于微控制器应用领域。这就涉及到本文重点讨论的一个内容--SRAM接口，这是MIPS32 M4K内核的一个标准功能。 　　M4K内核SRAM接口基本描述 　　M4K内核SRAM接口是M4K内核的通用高速存储器接口。它可为指令存储器和数据存储器路径提供低延迟接口，支持单

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：112640
    • 提供者：weixin_38527978

  1. 嵌入式MIPS32 M4K处理器内核SRAM接口应用

  2. M4K内核SRAM接口是M4K内核的通用高速存储器接口。它可为指令存储器和数据存储器路径提供低延迟接口，支持单周期和多周期存储器存取。 必须指出，SRAM接口不能直接与外部存储器件连接，若要实现外部存储连接，需使用一个外部存储控制器。必须使用固定映射表(FMT)和SRAM接口，以提供完整的存储器控制逻辑。一种是置于CPU与主存间的高速缓存，它有两种规格：一种是固定在主板上的高速缓存(Cache Memory );另一种是插在卡槽上的COAST(Cache On A Stick)扩充用的高速缓存，

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：139264
    • 提供者：weixin_38645373

  1. 存储/缓存技术中的一种SRAM芯片立体封装大容量的应用研究

  2. 摘要：静态随机存储器（static RAM），简称SRAM.在电子设备中，常见的存储器有SRAM（静态随机访问存储器）、FLASH（闪速存储器）、DRAM（动态存储器）等。其中不同的存储器有不同的特性，SRAM无需刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失。与SDRAM相比，SRAM不需要时钟信号，即可保持数据不丢失。 　　1、VDMS16M32芯片介绍 　　VDSR16M32是一款工作电压3.3V,16Mbit,32位数据总线的立体封装

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：500736
    • 提供者：weixin_38631197

  1. HOLTEK新增HT46R003B A/D单片机，极适合行动电源

  2. 导读：Holtek Cost-Effective A/D Type OTP MCU新增HT46R003B MCU。HT46R003B内建有12-bit A/D与8-bit PWM，可减少外围零件、缩小PCB Size及降低成本，并集成高精准度的系统频率振荡器，非常适合各式行动电源的应用。     HT46R003B的特点在于工规(-40~85℃)、工作电压2.3V~5.5V、具有1K Words程序内存，SRAM为64 Bytes，I/O功能复用及极大化、快速12-bit A

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：55296
    • 提供者：weixin_38609913

  1. 嵌入式系统/ARM技术中的SOC中多片嵌入式SRAM的DFT实现方法

  2. 摘要：多片嵌入式SRAM的测试一般由存储器内建自测试MBIST设计来完成。为了迎接多片SRAM的测试给DFT设计带来的挑战。文中以一款基于SMIC O．13um工艺的OSD显示芯片为例，从覆盖率、面积、测试时间、功耗等方面分析了多片SRAM的MBIST设计，提出了一种可实现多片SRAM的快速高效可测试设计实现方法。 　　0 引言 　　随着集成电路的发展，越来越多的ASIC和SoC开始使用嵌入式SRAM来完成数据的片上存取功能。但嵌入式SRAM的高密集性物理结构使得它很容易在生产过程中产生物理

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-05
    • 文件大小：232448
    • 提供者：weixin_38713167

  1. 基于位线循环充电SRAM模式的自定时电路设计

  2. 近些年来，随着集成电路制造工艺和制造技术的发展，SRAM存储芯片在整个SoC芯片面积中所占比例越来越大，而SRAM的功耗也成为整个SoC芯片的主要部分。同时，CPU的工作频率逐年提高，从1999年的1．2 GHz增长到2010年的3．4 GHz。而且，这一趋势还在进一步加强。CPU工作频率的增加对SRAM的工作频率提出很高的要求。 　　针对以上，提出位线循环充电(CRSRAM)SRAM结构，它主要是通过降低位线电压的摆幅来降低功耗。采用双模式自定时电路(DMST)则主要是根据读写周期的不同来产

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-04
    • 文件大小：162816
    • 提供者：weixin_38725086

  1. 嵌入式系统/ARM技术中的IBM已生产出首个22纳米工艺SRAM芯片

  2. IBM周一宣布，已生产出首个22纳米工艺SRAM(静态存储器)单元。 　　据国外媒体报道，SRAM芯片是半导体产业试验新工艺的设备，速度更快、体积更小且技术更复杂，主要负责在数据被处理之前暂时存储数据。 　　IBM认为SRAM芯片的生产是缩小整个微处理器体积的重要一步。SRAM芯片将使22纳米处理器性能大幅提高，并减少耗电。 　　IBM希望，到2011年能够制造出22纳米制程处理器。IBM研究机构副总裁陈博士表示：“随着处理器内核数量增多，人们对微处理器中存储器的需求也在日渐增加。为

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-18
    • 文件大小：47104
    • 提供者：weixin_38566318

  1. Coo1Runner-Ⅱ器件实现SRAM控制器

  2. DMA传输时，16位的SRAM用来存储来自CPU/IDE的数据。SRAM分为两个块，分别是Buffer1(0x00～0xff)和Buffer2(0x100～Oxlff)。　　如图所示为SRAM控制器状态机，读写SRAM都是由此状态机完成的。 　　如图 SRAM控制器状态机　　DMA访问SRAM的优先级高于CPU。当DMA状态机正在访问SRAM时，如果发生CPU请求SRAM访问，连接到CPU的ready信号将一直保持低电平，等待DMA完成；当DMA访问SRAM时，ready信号有效，告诉CPU可

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-17
    • 文件大小：313344
    • 提供者：weixin_38565631

  1. WiFi_access_control_system:WIFI门禁考勤系统，主控为STM32F103ZET6，使用国产RT-Thread操作系统-源码

  2. #WiFi无线门禁考勤系统 1.系统介绍 本系统采用stm32f103zet6作为控制器，可以刷卡，刷指纹验证用户身份，通过ESP8266 Mesh组网与服务器通讯。 服务器端可以添加，删除，修改人员信息，读取设备考勤信息，并输出excel表格。 2.版本更新说明 V0.1版 完成RT-Thread v2.1.0 beta版的移植 完成STemWin5.28的移植 完成触摸屏，液晶，SD卡，SRAM，RC522，DS1307，蜂鸣器的驱动 完成人员信息数据库的编写 完成考勤数据库的编写 完成ES

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-11
    • 文件大小：39845888
    • 提供者：weixin_42097533

  1. 基于字线负偏压技术的低功耗SRAM设计

  2. 随着工艺节点的进步，SRAM中静态功耗占整个功耗的比例越来越大，纳米尺度的IC设计中，漏电流是一个关键问题。为了降低SRAM静态功耗，本文提出一种字线负偏压技术，并根据不同的工艺角，给出最合适的负偏压大小，使得SRAM漏电流得到最大程度的降低。仿真结果表明，SMIC 40nm工艺下，和未采用字线负偏压技术的6管SRAM存储单元相比，该技术在典型工艺角下漏电流降低11.8%，在慢速工艺角下漏电流降低能到达29.1%。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-27
    • 文件大小：661504
    • 提供者：weixin_38665122

  1. HOLTEK新增HT46R003B A/D单片机，极适合行动电源

  2. 导读：Holtek Cost-Effective A/D Type OTP MCU新增HT46R003B MCU。HT46R003B内建有12-bit A/D与8-bit PWM，可减少外围零件、缩小PCB Size及降低成本，并集成高精准度的系统频率振荡器，非常适合各式行动电源的应用。     HT46R003B的特点在于工规(-40~85℃)、工作电压2.3V~5.5V、具有1K Words程序内存，SRAM为64 Bytes，I/O功能复用及极大化、快速12-bit A

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：55296
    • 提供者：weixin_38731075

  1. 什么是ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的区别

  2. ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。 　　RAM有两大类，一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM)，SRAM速度非常快，是目前读写快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的缓冲，二级缓冲。另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/D

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：124928
    • 提供者：weixin_38659159
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