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  1. 0.1μmT型栅PHEMT器件

  2. 0.1微米T型栅工艺及器件性能研究,良好的器件性能
  3. 所属分类:教育

    • 发布日期:2012-10-12
    • 文件大小:1mb
    • 提供者:ramble2010
  1. 电压调整模块(VRM)和企业电压调节器模组(EVRD)10.1

  2. Intel至强处理器MP是基于Intel NetBurst微体系结构的。在Intel至强处理器MP商标名下现有两个处理器家族:第一个处理器家族的现有速度从1.40GHz到1.60GHz,并且有256KB二级高速缓存和512KB或1MB三级高速缓存,这一至强处理器MP家族使用0.18微米制程制造。Intel至强处理器MP的第二个处理器家族的速度高达3GHz,该处理器家族拥有512KB二级高速缓存和1MB、2MB或4MB的三级高速缓存,使用0.13微米制程制造。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-03-04
    • 文件大小:338kb
    • 提供者:weixin_38705723
  1. 主频为1.40 GHz、1.50 GHz和1.60Ghz的英特尔64位至强处理器MP数据表

  2. Intel至强处理器MP是基于Intel NetBurst微体系结构的。在Intel至强处理器MP商标名下现有两个处理器家族:第一个处理器家族的现有速度从1.40GHz到1.60GHz,并且有256KB二级高速缓存和512KB或1MB三级高速缓存,这一至强处理器MP家族使用0.18微米制程制造。Intel至强处理器MP的第二个处理器家族的速度高达3GHz,该处理器家族拥有512KB二级高速缓存和1MB、2MB或4MB的三级高速缓存,使用0.13微米制程制造。
  3. 所属分类:其它

  1. Elpida推出一款节能型1.8V、256Mb SDRAM

  2. Elpida存储器公司为需要低功率和高密度的电池供电产品推出一款256Mb SDRAM,工作电压为1.8V和2.5V。   这款256Mb SDRAM的器件号为EDS2532EEBH和EDS2532JEBH,支持X32-位配置,小型封闭即可达到高速性能,缩小了电路板面积,它们采用8M×32位配置形式,工作频率高达166MHz。这些器件采用高级0.10微米处理工艺技术,FBGA封装,或采用裸片形式用于封装内系统(SiP)或多芯片封装(MCP)设计。   EDS2532EEBH采用90引脚F
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-26
    • 文件大小:38kb
    • 提供者:weixin_38515897
  1. 通信与网络中的华虹NEC推出0.25微米平台USB片间PHY IP

  2. 专业集成电路晶圆代工企业之一,上海华虹NEC电子有限公司(以下简称“华虹NEC”)日前宣布,公司在0.25um嵌入式Flash平台上推出USB Inter-Chip PHY IP(HQUSBFI001),该IP为片上芯片之间的通信提供了良好的解决方案。        HQUSBFI001具有低功耗的特点,挂起时可以设置为标准和超低功耗模式,在超低功耗模式下的功耗小于1uA。这为一些便携式应用产品设计者提供了帮助。HQUSBFI001的接口和华虹NEC的USB1.1 PHY的接口基本保持一致,
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-03
    • 文件大小:40kb
    • 提供者:weixin_38552239
  1. NEC推出4款0.25微米工艺门阵列CMOS-10HD产品

  2. 为了进一步丰富采用0.25微米工艺的门阵列CMOS-10HD系列产品,NEC电子完成了2款用户可使用门数为6,793门的产品及2款门数21,118门的产品,并将从即日起开始接受订单。     新产品的主要特征为:(1)交货期最短为6周,与用通用逻辑芯片实现电路相比,可将成本缩减1/2-1/3;(2)封装面积比传统的封装品缩小35%。     新产品的价格根据门数、封装种类、生产数量等的不同而有所差异,其中生产5,000片6,793门、36引脚的QFN封装的产品时,样品价格为180日元/个。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-01
    • 文件大小:56kb
    • 提供者:weixin_38545961
  1. 基于USB2.0标准的闪存移动存储器控制芯片

  2. 1、产品及其简介   芯邦自主设计的第一个产品CBM2080型是基于USB2.0标准的闪存移动存储控制芯片,采用0.18微米工艺。该领域打破了外国芯片垄断的格局而且性能指标超过国际同类芯片。芯邦的芯片包含芯邦一系列自主知识产权的核心技术和取得的多项专利成果,并于2004年初被评为“深圳市高新技术项目”,2005年1月,芯邦的usB2.0/1.1控制芯片获得中国半导体行业协会和863超大规模集成电路设计专家组颁发的“孵化创新产品优秀奖一,并得到政府的专项资金资助。2007年被中国半导体行业协会
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-06
    • 文件大小:108kb
    • 提供者:weixin_38613154
  1. 2.1微米单纵模Ho:LuAG激光

  2. 2.1微米单纵模Ho:LuAG激光
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-07
    • 文件大小:479kb
    • 提供者:weixin_38597533
  1. 由2.1微米Ho:YAG激光器泵浦的10至11微米CdSe可调光学参量振荡器

  2. 由2.1微米Ho:YAG激光器泵浦的10至11微米CdSe可调光学参量振荡器
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-07
    • 文件大小:558kb
    • 提供者:weixin_38500944
  1. Tarea1MurilloVasquez:Tarea 1微米-源码

  2. Tarea1MurilloVasquez:Tarea 1微米
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-05
    • 文件大小:74kb
    • 提供者:weixin_42131705
  1. 适用于超宽带接收机的3.1-10.6GHz高线性低噪声放大器

  2. 本文介绍了一种超宽带(UWB)3.10至10.6 GHz低噪声低噪声放大器(LNA)。 以共栅结构作为输入级,宽带输入匹配网络也非常简单,反射系数好。 设计输出匹配模块是为了在整个带宽上实现平坦增益并产生更多输出电流。 该LNA是基于CHAT 0.18微米混合信号/ RF过程进行仿真的。 它提供了11.3的换能器增益,相当于15.3dB,在整个频率范围内的输入反射系数均低于-9.5dB,最小噪声系数等于2.75dB,以输入为参考的三阶交调点为19 dBm,功耗使用1.5 V电源时,不带输出缓冲器
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-23
    • 文件大小:197kb
    • 提供者:weixin_38739044
  1. 倍频激光薄膜——1.06微米与0.53微米双波长增透膜

  2. 我们用等厚度三层膜制备了双波长增透膜,在1.06微米与0.53微米波长所达到的剩余反射率为0.1~0.2%。
  3. 所属分类:其它

  1. 能聚焦到1微米光斑的半导体激光器

  2. 日本电气公司研制成一种用作光信息处理机光源的新结构短波长GaAlAs激光器。由于釆用了台面细腰形掩埋结构(BCM结构),该器件可聚焦成直径为1微米的小光斑,基横模输出功率超过50毫瓦,波长为0.81微米波段。
  3. 所属分类:其它

  1. KMS聚变公司计划进行0.35微米聚变试验

  2. 据KMS公司聚变实验部主任F. J. 迈耶说,在 该公司进行的一系列聚变实验中,除了激光波长保持不变外,其他所有主要可变量都作了变动,实验表明,钕玻璃激光的二次谐波0.53微米比基波1.06微米“好得多”。他说,这是第一次使用球面靶进行的实验,类似的使用平面靶的实验是由法国综合技术大学的E.法布里及其同事进行的。KMS公司计划下一步用钕玻璃的三次谐波0.35微米进行一系列类似的实验,为此,正在建造全反射系统。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-08
    • 文件大小:678kb
    • 提供者:weixin_38618315
  1. 2微米军用激光测距机

  2. 1.06微米Nd:YAG激光测距机已成批生产,大量装备部队。但此类测距机(包括0.69微米的红宝石测距机)还存在一些缺点,其中较为突出的是:①1.06微米和0.69微米的激光对人眼不安全;②这两种波长的激光穿透战场硝烟和雾、霾的能力差。
  3. 所属分类:其它

  1. 在激光靶丸压缩实验中获得亚微米分辨率X射线成象技术的光学模拟

  2. 在拟议中的用几千焦耳的多光束激光驱动的靶丸压缩实验中,预计高温压缩核心尺寸约为1微米。目前使用三类仪器来获得在此种实验中该核发出的X射线辐射的空间的信息:(a)针孔照相机,(b)X射线掠入射显微镜;(c)菲涅耳波带片。
  3. 所属分类:其它

  1. 美国无线电公司加强单模激光器和1.3微米激光器的竞争

  2. 二极管激光器的竞争在继续激烈进行。美国无线电公司说,它在下月将引入发射0.82微米至0.86微米的新设计的单模激光器。此外,据电光产品部销售经理乔治. S. 布罗迪(George S. Brody)说,发射1.3微米的发光二极管在上月已投入市场。他还说,到年底将提供1.3微米激光器。所有三种器件都由美国无线电公司在宾夕法尼亚州兰开斯特的电光分公司作为研制器件提供。
  3. 所属分类:其它

  1. 在氖放电中高至133微米的光激射作用

  2. 我们用纯氖放电获得了波长高达133微米(0.133毫米)的连续波光激射作用。这里报导的14种新激射跃迁中,四种波长长于100微米(0.1毫米),其余在50微米与100微米之间。上次我们巳经报导部分跃迁的光激射作用达87微米。所有新近覌察到的光激射跃迁,都属于氖跃迁的p-d群类型。本文报导的三种跃迁暂时还不能归类。
  3. 所属分类:其它

  1. 倍频激光薄膜——1.06微米高透与0.53微米高反膜

  2. 在λ/4多层膜上增加一层附加层,获得了1.06微米波长高透和0.53微米波长高反,其主要结果:1.06微米,T>99.3%;0.53微米,R>99.6%。
  3. 所属分类:其它

  1. 用激光扫描器测量1微米粒子

  2. 英国Hewlett Packard公司研制的一种系统能测量光滑反射面上的粒子。最初需要采用粒子束扫描器的是一台装置用以测量一秒钟内薄膜盘基赓表面上直径1微米或稍大的粒子数百。此外,为了安全起见,应避免使甩需高压的大功率激光器和高灵敏探测器。
  3. 所属分类:其它

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