您好,欢迎光临本网站![请登录][注册会员]  

搜索资源列表

  1. pspice噪声分析详解

  2. 对于电路设计较为简单或大部分噪声都集中在平坦频带之内的放大器来说,要评估其输出噪声 可说较为容易,但如果来源各异的噪声如热噪声及1/f噪声各有不同的带宽,又或者噪声并不集中 在放大器的平坦频带范围内,在这两种应用情况下,要评估放大器的输出噪声将变得相当复杂
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2011-02-06
    • 文件大小:853kb
    • 提供者:w3e4n5
  1. 频域整形法构造1/f噪声

  2. 利用频域的波形,将白噪声整形成为1/f噪声,并逆变换出时域噪声。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2018-08-14
    • 文件大小:3kb
    • 提供者:guochande007
  1. 【matlab代码】pink noise&red; noise&blue; noise generation

  2. 产生1/f噪声(pink noise)以及red noise,blue noise和violet noise,内附实例。
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2018-08-28
    • 文件大小:7kb
    • 提供者:u014681156
  1. 运放电路的1/f噪声- 闪烁的烛光存在的探讨

  2. 运算放大器的1/f (one-over-f)低频区域噪声好像有一些神秘。1/f噪声也被称作闪烁噪声,像一道闪烁的烛光。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-07-16
    • 文件大小:171kb
    • 提供者:weixin_38552239
  1. 如何降低运放电路中的电源噪声

  2. 在这里,我们将噪声定义为任何在运放输出端的无用信号。噪声可以是随机信号或重复信号,内部或外部产生,电压或电流形式,窄带或宽带,高频或低频。噪声通常包括器件的固有噪声和外部噪声,固有噪声包括:热噪声、散弹噪声和低频噪声(1/f噪声)等,在这里我们不予讨论。外部的噪声通常指电源噪声、空间耦合干扰等,通常通过合理的设计可以避免或减小影响。降低外部噪声的影响对发挥低噪声运放的性能至关重要。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-07-25
    • 文件大小:69kb
    • 提供者:weixin_38663029
  1. 噪声生成代码 matlab 1/f噪声 包含Pink, Red, Blue and Violet Noise

  2. 噪声生成代码 matlab 1/f噪声 包含Pink, Red, Blue and Violet Noise 噪声生成代码 matlab 1/f噪声 包含Pink, Red, Blue and Violet Noise
  3. 所属分类:制造

    • 发布日期:2020-09-08
    • 文件大小:48kb
    • 提供者:qq_15087217
  1. 电源技术中的一种晶圆级1/f噪声测量的实现

  2. 1. 引言   数位科技的进步,如微处理器运算效能不断提升,带给深入研发新一代MOSFET更多的动力,这也使得MOSFET本身的操作速度越来越快,几乎成为各种半导体主动元件中最快的一种。MOSFET在数位讯号处理上最主要的成功来自CMOS逻辑电路的发明,这种结构最大的好处是理论上不会有静态的功率损耗,只有在逻辑门(logic gate)的切换动作时才有电流通过。CMOS逻辑门最基本的成员是CMOS反相器(inverter),而所有CMOS逻辑门的基本操作都如同反相器一样,同一时间内必定只有一种晶
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-22
    • 文件大小:207kb
    • 提供者:weixin_38500090
  1. 集成电路中的运放的噪声源以及系统噪声最小化

  2. 丹尼尔?笛福和本杰明?富兰克林曾说,生命中只有两件事情是确定的:死亡与税收;不幸的是,对于与电子产品打交道的人来说,还有另外一个:噪声。虽然电噪声不可避免,但是设计人员更好地了解各个噪声源以及它们对整个系统噪声水平的影响,有助于将其影响降至最低。从系统角度来看,噪声的来源多种多样。比如,运放内部产生的噪声源,以及运放电路内使用的无源元件产生的噪声。还有各种外部噪声源,如无线电波或交流电源。本文将探索其中一些与运放的内部工作相关的噪声源。  1 闪烁噪声  闪烁噪声(又称为1/f噪声)是一种由传导
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-19
    • 文件大小:144kb
    • 提供者:weixin_38653694
  1. 1/f噪声- 闪烁的烛光

  2. 作者:TI专家BruceTrump翻译:TI信号链工程师RickeyXiong(熊尧)运算放大器的1/f(one-over-f)低频区域噪声好像有一些神秘。1/f噪声也被称作闪烁噪声,像一道闪烁的烛光。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-17
    • 文件大小:164kb
    • 提供者:weixin_38601878
  1. 一种新的晶圆级1/f噪声测量方法

  2. MOSFET在模拟和射频电路中得到了广泛的应用。但是,MOSFET中的低频噪声,尤其是较高频率的1/f噪声,是模拟和射频电路应用中人们关注的重要因素。此外,随着器件特征尺寸的缩小,1/f噪声会大大增加。因此,在测量1/f噪声时设计一套可靠的、重复性好的、精确的测量方法和系统是非常必要的。本文提出了一种新的可靠的晶圆级1/f噪声测量方法和相应的测试架构,能够测量低于100 Hz的低频1/f噪声。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-25
    • 文件大小:197kb
    • 提供者:weixin_38688097
  1. OP27(低噪声精密高速运算放大器).pdf

  2. 失调电压低至25 µV,最大漂移为0.6 µV/°C,因而该器件是精密仪器仪表应用的理想之选。极低噪声(10 Hz时en=3.5nV/√Hz), 低1/f噪声转折频率(2.7Hz)以及高增益(180万),能够使低电平信号得到精确的高增益放大。
  3. 所属分类:电信

    • 发布日期:2021-01-05
    • 文件大小:324kb
    • 提供者:ZLI18772823800
  1. 间歇混沌合成1/f噪声的相关性分析

  2. 间歇混沌合成1/f噪声的相关性分析
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-19
    • 文件大小:731kb
    • 提供者:weixin_38658564
  1. 大功率半导体激光二极管中测得的1 / f噪声的成因分析远低于阈值电流

  2. 大功率半导体激光二极管中测得的1 / f噪声的成因分析远低于阈值电流
  3. 所属分类:其它

  1. 考虑迁移率幂律参数的有机TFT的1 / f噪声分析

  2. 考虑迁移率幂律参数的有机TFT的1 / f噪声分析
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-14
    • 文件大小:614kb
    • 提供者:weixin_38625416
  1. 考虑串联电阻噪声的非晶InGaZnO薄膜晶体管的阈值1 / f噪声表达式

  2. 考虑串联电阻噪声的非晶InGaZnO薄膜晶体管的阈值1 / f噪声表达式
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-14
    • 文件大小:423kb
    • 提供者:weixin_38522636
  1. 考虑迁移率幂律参数的多晶硅TFT的1 / f噪声分析

  2. 考虑迁移率幂律参数的多晶硅TFT的1 / f噪声分析
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-14
    • 文件大小:162kb
    • 提供者:weixin_38522552
  1. 多晶硅薄膜晶体管的简单泄漏电流和1 / f噪声表达式

  2. 多晶硅薄膜晶体管的简单泄漏电流和1 / f噪声表达式
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-07
    • 文件大小:316kb
    • 提供者:weixin_38648396
  1. 阈值以上条件下考虑迁移率幂律参数的非晶InGaZnO TFT的1 / f噪声表达式

  2. 阈值以上条件下考虑迁移率幂律参数的非晶InGaZnO TFT的1 / f噪声表达式
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-04
    • 文件大小:515kb
    • 提供者:weixin_38504417
  1. 1/f噪声的精确测量及其在太阳能电池可靠性筛选中的应用

  2. 为了实现对太阳能电池可靠性的筛选分类,建立了一套低频噪声自动测试系统。首先,根据太阳能电池1/f噪声的来源,确定了在大电流密度情况下以1/f噪声功率谱作为太阳能电池可靠性指示的可行性。然后,由测试得到的功率谱曲线明确了通过比较在f为1Hz频点处的1/f噪声功率谱值大小可以区分太阳能电池的可靠性。最后,根据半导体器件可靠性试验验证的分类标准,给出了确定筛选阈值的方法。实验结果表明:该方法可以在短时间内无损地完成一批太阳能电池3个等级的可靠性分类,平均每个太阳能电池的测试时间只需5min。采用该筛选
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-24
    • 文件大小:616kb
    • 提供者:weixin_38560107
  1. 大功率InGaAsP/GaAs量子阱半导体激光器的直流和1/f噪声性质

  2. 对大功率InGaAsP/GaAs量子阱(QW)半导体激光器(LD)的直流(DC)特性和小注入下的低频噪声(LFN)特性进行了实验研究。DC检测发现,V-I和IdV/dI-I可以对LD的电流泄漏作出判断。LFN检测发现,小注入下的1/f低频电压噪声幅值BV(I)∝IβV。理论分析和老化实验均表明,电流指数βV与载流子输运和电流泄漏机制之间有很好的相关性,存在电流泄漏和无辐射复合的器件其βV较小,可靠性较差。
  3. 所属分类:其它

« 12 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 18 »