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  1. 40Gb/s 2:1 Multiplexer and 1:2 Demultiplexer in 120-nm Standard CMOS

  2. 40Gb/s 2:1 Multiplexer and 1:2 Demultiplexer in 120-nm Standard CMOS

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2012-11-09
    • 文件大小：2mb
    • 提供者：wjm_zhixian

  1. 纳米级柯肯达尔效应通过单毛细管静电纺丝制成的管中线结构：以镍锌铁氧体为例

  2. 先前已经使用电纺丝方法通过调节前体溶液的水解/醇解来制备管中线结构。 镍锌铁氧体（Ni0.5Zn0.5Fe2O4）纳米线在纳米管中的制备已作为演示。 全面研究了纳米管中Ni0.5Zn0.5Fe2O4纳米线的详细纳米级表征，形成过程和磁性能。 Ni0.5Zn0.5Fe2O4纳米线纳米管的外管和内线的平均直径分别约为120 nm和42 nm。 每个完全煅烧的纳米管中的单个纳米线，无论是外管还是内线，均由Ni0.5Zn0.5Fe2O4单晶构成，它们沿纵向方向以无规取向堆叠。 可以将煅烧电纺聚合物复合纳

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：271kb
    • 提供者：weixin_38575456

  1. 周期性chi光子晶体的多光子带隙及其动态调制

  2. 提出了周期性chi光子晶体结构，其中通过使用转移矩阵法建立结构的数学模型，获得了多光子带隙的特性，并且谐振波长与各层厚度之间的关系模型具有已设置。 利用逆压电效应，在光子晶体上产生应变，并且每一层的厚度都会改变，这将导致多光子带隙的移动。 从仿真结果表明，通过调整光子晶体结构中的层数，可以优化半峰全宽（FWHM），并可以改善品质因数（Q值）。 与普通的压电陶瓷相比，利用压电陶瓷叠层，可以在较低的电压下获得更高的应变，波长偏移可以达到120 nm，灵敏度约为0.6 nm / V。 周期性chi光子

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：687kb
    • 提供者：weixin_38699352

  1. 含氟聚酰亚胺光波导120 nm宽带耦合器的抗温度变动设计

  2. 提出一种适合于宽带光波导耦合器的抗温度变动的优化设计理论和方法。使用该理论和方法,在1490～1610 nm带域上,对含氟聚酰亚胺光波导做了宽带光波导3 dB耦合器的抗温度变动设计。器件经三维波束传播法模拟运行验证,结果表明,在120 nm带宽上,从零下10 ℃至零上40 ℃的温度变动中,器件实现了(0.500±0.007)功率输出比的良好特性。同时报道了含氟聚酰亚胺薄膜波导的制备工艺及其温度特性和色散特性的测试。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-05
    • 文件大小：451kb
    • 提供者：weixin_38582716

  1. Anti-reflection coating at 550 nm fabricated by atomic layer deposition

  2. Trimethylamine (TMA), TiCl4, and water are applied as the precursors to deposit Al2O3 and TiO2. With different substrate temperatures, the optical properties and surface morphologies of the two oxides TiO2 and SiO2 are studied, respectively. With sub

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-25
    • 文件大小：602kb
    • 提供者：weixin_38674115

  1. 1250~1370 nm波带PbSe量子点宽带光纤放大器

  2. 实现了一种硒化铅(PbSe)量子点掺杂的光纤放大器(QDFA)。以直径为4 nm 的PbSe 量子点作为光纤增益介质，由量子点掺杂光纤、980 nm 单模激光器、波分复用器、隔离器等组成全光传输结构，在1250~1370 nm 的宽带区间实现了信号光的放大。实验表明：对于纤芯直径为50 μm 的多模量子点掺杂光纤，激励阈值为62 mW，-3 dB 宽带达120 nm，-1 dB 平坦带宽为90 nm，增益可达12 dB。与传统的掺铒光纤放大器相比，QDFA 的带宽更宽，增益更平坦，噪声也较低。该

  3. 所属分类：其它

  1. 波导耦合多层结构光学微球腔性能分析

  2. 利用时域有限差分(FDTD)法模拟了均匀结构、双层结构和三层结构光学微球腔，得到了各自的能量密度分布，通过对比发现多层结构具有更高的最大能量密度与存储能量和较小的模式体积。波导与多层微球腔之间存在一个最佳间隙，模拟结构的最佳间隙在60~120 nm。改变高折射层的厚度和折射率，在特定波长的入射光下可以获得具有较高最大能量密度(大于360)或者较小模式体积的(小于0.03)的微球腔，确定了优化的厚度和折射率。分析高斯光激励的带有导出波导的微球腔，导出波导与微球腔中的光具有相似的激发频谱，表明多层微

  3. 所属分类：其它

  1. 120-nm, 10-GHz supercontinuum generation in a dispersion-shifted fiber pumped by a three-stage compressed gain-switched

  2. The supercontinuum (SC) generation in conventional dispersion-shifted fiber (DSF) at the repetition rate of 10 GHz with a three-stage compressed gain-switched distributed feedback (DFB) laser as pump source was demonstrated. A novel SC pulse source w

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：400kb
    • 提供者：weixin_38696590

  1. 抗偏振温度变动的聚酰亚胺波导宽带耦合器

  2. 提出了一种适合于宽带光波导耦合器的抗偏振变动、抗温度变动的优化设计理论和方法。使用该理论和方法,在1490～1610 nm带域上,对氟化聚酰亚胺光波导做了3 dB耦合器的消偏振和温度依存设计。器件经三维波束传播法(BPM)模拟运行验证,结果表明,120 nm带宽上,在-10～40 ℃的环境下,两个正交偏振态均实现了(50±0.8)%功率输出比的良好特性。

  3. 所属分类：其它

  1. 可调谐窄线宽钛宝石激光脉冲的放大和频率展宽

  2. 在频域上进行了光参变激光器对钛宝石激光脉冲作选取放大并频率扩展的理论分析和数值模拟.实验上实现了用BBO光学参变振荡器作钛宝石激光脉冲选取、频率展宽为120 nm的连续可调谐窄线宽(小于0.02 nm)激光输出.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：119kb
    • 提供者：weixin_38705873

  1. 双啁啾介质镜的设计与分析

  2. 从双啁啾膜系原理出发,经过自行编制的软件优化计算,得到了由54层介质膜组成的具有色散补偿功能的宽带高反镜,高反射率(大于99.9%)带宽宽达120 nm,群延迟色散量为-50 fs2.对基于耦合模理论和传输线理论的双啁啾镜的原理和设计思路进行了分析,并通过计算机模拟验证了设计结果,分析了膜系各参量的改变对膜系的反射率和时延特性的影响.另外,在优化计算过程中发现了一些值得注意的有用的规律.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：190kb
    • 提供者：weixin_38693589

  1. 4～120 nm波段的单色仪光束线设计

  2. 合肥国家同步辐射实验室(NSRL)在表面物理光束线中应用了新的简单平面光栅单色仪作为分光仪器。 它采用平面光栅和球面镜组成光学成像系统, 波长选择由光栅绕其中心轴转动和球面镜绕一镜面外的轴转动完成。 单色仪在4～120 nm光谱范围内具有高的光学传输效率、 高的光谱分辨率。

  3. 所属分类：其它

  1. 中心波长121.6 nm 的真空紫外窄带滤光片设计和制备

  2. 采用双半波法布里-珀罗(F-P)干涉滤光片结构设计了中心波长在121.6 nm 的窄带滤光片,其峰值透射率为6.78%,通带半宽度为10.7 nm。通过设计、制备和测量峰值波长在217 nm的滤光片验证了设计用到的光学常数和膜厚定标都比较精确。在此基础上制备了121.6 nm的窄带滤光片,到合肥同步辐射实验室测量的结果是中心波长在120.74 nm,峰值透射率为5.94%,通带半宽度为12 nm。可以看出实际制备的滤光片和预先设计的基本吻合但还是有一定的偏差,最后对实际测量的和理论设计的偏差进行

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-10
    • 文件大小：779kb
    • 提供者：weixin_38614268

  1. 基于迈克耳孙干涉仪的二维光子晶体传感器

  2. 在基于自准直效应的二维空气柱型光子晶体迈克耳孙(Michelson)干涉仪的基础上设置一块传感区域, 改变传感区折射率从而引起一路光的相位发生变化,导致干涉之后输出光束的能量也随之改变。利用平面波展开法计算得到的等频面确定了入射光的自准直频率范围, 运用时域有限差分法分析该传感器的灵敏度最高可达120 nm/RIU, 通过单频光入射实现了该传感器的传感模拟。该传感器完全依赖自准直导光, 不需构造任何缺陷波导, 对制造工艺的要求大大降低。对于1.55 μm的中心工作波长, 传感器大小只有几十微米,

  3. 所属分类：其它

  1. 单脉冲飞秒激光作用下晶态GeSb

  2. 利用飞秒激光的抽运探测技术，研究了单脉冲飞秒激光作用下GeSb2Te4相变薄膜的非晶化过程，测量了相变薄膜的时间分辨光学显微图。所研究的系统为多层薄膜结构100 nm ZnS-SiO2/ 35 nm GeSb2Te4 /120 nm ZnS-SiO2/0.6 mm ，飞秒激光的脉冲宽度为108 fs，波长为800 nm。实验发现相变薄膜从晶态至非晶态的相转变过程可以在 2.6 ns内完成。讨论了相变薄膜的厚度对系统的热传递、快速凝固过程的影响，分析了相关热过程和热效应，解释了抽运探测实验数据，并

  3. 所属分类：其它

  1. High power doubly resonant all-intracavity deep blue laser at 447 nm based on sum-frequency-mixing technology

  2. A high power continuous-wave deep blue laser at 447 nm is obtained by using a doubly cavity and a type critical phase matching KTP crystal for intracavity sum-frequency-mixing. With the incident pump power of 240 W for the Nd:YAP crystal and 120 W fo

  3. 所属分类：其它

  1. High power linearly polarized Raman f iber laser at 1 120 nm

  2. An all-fiber linearly polarized Raman fiber laser at 1 120 nm is demonstrated. With a 1 070-nm linearly polarized Yb-doped fiber laser as pump source, an output of up to 7.7 W at 1 120 nm is obtained with an optical efficiency of 55%. The polarizatio

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-09
    • 文件大小：265kb
    • 提供者：weixin_38690089

  1. 二极管泵浦的Nd:YAG倍频功率达120 mW

  2. 麻省Acton公司用1 W二极管激光泵浦微型Nd:YAG,已在532 nm产生l20 mW稳定输出，稳定性达0.2%均方根，总体效率约4%。为了克服二极管泵浦的倍频YAG激光器输出的下降，激光器由西德Adlas用专门技术制造。公司打算于明年初提供激光器，但立即准备商谈特别订货。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-08
    • 文件大小：552kb
    • 提供者：weixin_38581992

  1. 354.7 nm的产生及其泵浦的可调谐染料激光器

  2. 用和频的方法从Nd:YAG激光器中产生出三次谐波,输出功率为1.7兆瓦,并用它泵浦了染料激光器。染料激光的波长可调谐范围为409.3～682.3 nm。Coumarin47染料的中心波长450.0 nm处的峰值功率大于0.60兆瓦。仅用Coumarin152一种染料,调谐范围宽达104.2 nm,与其荧光谱线宽度120.0 nm相近。

  3. 所属分类：其它

  1. Analysis of TM/TE mode enhancement and droop reduction by a nanoporous n-AlGaN underlayer in a 290 nm UV-LED

  2. A full structure 290-nm ultraviolet light-emitting diode (UV-LED) with a nanoporous n-AlGaN underlayer was fabricated by top via hole formation followed by high-voltage electrochemical etching. The 20 to 120 nm nanopores were prepared in regular dope

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-26
    • 文件大小：927kb
    • 提供者：weixin_38746293
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