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  1. Toshiba 15nm MLC datasheet

  2. toshiba 15nm MLC datasheet
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2017-08-27
    • 文件大小:4mb
    • 提供者:bogwind
  1. THGBMJG7C2LBAU8_15nm 16GB e-MMC Industrial ver 5.1_E_rev.1.0_190215.pdf

  2. TOSHIBA 16GB e-MMC 15nm Industrial THGBMJG7C2LBAU8 DATASHEET
  3. 所属分类:硬件开发

    • 发布日期:2019-07-11
    • 文件大小:1mb
    • 提供者:caodaninternet
  1. ZnO自组装量子点的局域态密度测量

  2. ZnO自组装量子点的局域态密度测量,卢洋藩,陈匆,采用金属有机化学气相沉积方法,在Si(111)及Au(111)衬底表面自组装生长了直径10-15nm的ZnO量子点。SEM图像显示ZnO量子点均匀分布在衬�
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-02-12
    • 文件大小:502kb
    • 提供者:weixin_38596485
  1. 纳米介孔分子筛Sm-MCM的合成与表征

  2. 纳米介孔分子筛Sm-MCM的合成与表征,尹伟,,利用有机相——水相界面共沉淀溶胶支持自组装方法制备了颗粒大小约为10~15nm稀土嵌入纳米介孔分子筛Sm-MCM (1:10)。其BET比表面积、孔容�
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-01-09
    • 文件大小:526kb
    • 提供者:weixin_38640794
  1. 使用说明 BD2-AK04 (05, 06) / SNH... [手册].pdf

  2. 使用说明 BD2-AK04 (05, 06) / SNH... [手册]pdf,DE Achtung usatzliche Warnhinweise auf dem Produkt sind Zu beachten Es sind die Betriebsanleitungen der Gerate zu beachten EN Attention Follow any additional warnings applied to the product. Attention should be
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-10-20
    • 文件大小:881kb
    • 提供者:weixin_38744270
  1. MITSUBISHI MR-C伺服系统选用配件.pdf

  2. MITSUBISHI MR-C伺服系统选用配件pdf,MITSUBISHI MR-C伺服系统选用配件MR-C选用配件 ■电线,无溶丝断路器,磁力接触器 磁力接触器(注2 电线尺寸(注1)(m2 何服放大器元溶丝断路器 1.2 L,V.M⊥ P C 4芯 MR-Cl0A 5AN-30 S-N18 S-N21 S-N21 AuG 18 A帖G18 A贴G18 (注3) R-C20A 0.75MF NR-C40A 10ANF-30 S-N13 S-N21 S-N21 G18 (0.75N2) 0.75
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-10-18
    • 文件大小:799kb
    • 提供者:weixin_38743481
  1. What‘s after FinFET.pdf

  2. 半导体制造技术发展到FinFET以后节点继续scaling的方向,如GAA、NanoSheet等。benefits will be high performance, Jones said. At 5nm, it will cost $476 million to design a mainstream chip, compared to $349.2 million for 7nm and $62.9 million for 28nm, according to IBS 5525M s476.
  3. 所属分类:制造

    • 发布日期:2019-10-15
    • 文件大小:776kb
    • 提供者:u010155987
  1. Leaflet EC-max Program.pdf

  2. Leaflet EC-max Programpdf,Leaflet EC-max ProgramSeit 23 E8.,2斗 1 thr E1+e1 The maxon EC-max program de syste is tha iron sh win- The modular EC motor If basically the power of a motor is high enough, but its spe es such as no detent, Program with con
  3. 所属分类:其它

  1. 无轨导全位置爬行弧焊机器人在造船中的应用.pdf

  2. 无轨导全位置爬行弧焊机器人在造船中的应用pdf,无轨导全位置爬行弧焊机器人在造船中的应用36 CO mm II mm 8 mm 170A 18~19V 8-9 cm/min qp mm mm LA P/MPa O/L min 220~245A 35V UN n/em m 12~13.5cm/min3 113521. 3.7180.700.7 2140-14522.5 3.7200.800.8 3322.58.0.-9.03.7200.400.4 21352246.0 0.500 12 mm 31
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-10-08
    • 文件大小:271kb
    • 提供者:weixin_38744375
  1. 远程开关附件[手册].pdf

  2. 远程开关附件[手册]pdf,Contents / Lieferumfang Required tools/Notwendige Werkzeuge/ Etendue de la livraison Outils necessaires l Contenido/供货范围 Herramientas requeridas/必要工具 5TT4932 5TT4930 5TT4931 PH 1 PZ 1 0.8x 4 mm Assembly/ Montage/ Montage/ Montage/安装 5TT
  3. 所属分类:其它

  1. 施耐德限位开关XCKN及XCNR Osiswitch优化型.pdf

  2. 施耐德限位开关XCKN及XCNR Osiswitch优化型pdf,施耐德限位开关XCKN及XCNR Osiswitch优化型产品∏录 简介 ■紧凑型设计一塑料,XCKN 口简介,一般特性,型号,特性,尺寸.… 4..9 紧凑型设计一塑料,于动复位,XCNR 简介,一般特性,型号,特性,尺寸 10..13 世界级的品质,经济型的价格 新的 CENELEC EN50047 Osiswitch优化紧凑型限位开关秉承了TE产品一贯的可靠 性能,同时产品丰富,价格实惠。 简·易·精·智! 集灵活、智能于
  3. 所属分类:其它

  1. 银灿IS903量产工具V2.11.02.11(15/09/21).rar

  2. 软件介绍: 银灿IS903主控U盘量产工具,本版本支持最新的东芝15NM 9DDL/0DDL闪存颗粒。用于对U盘进行低格开卡操作,可擦除U盘闪存、格式化U盘,进行读写测试,设置LED空闲、读写状态,LED闪烁风格若想创建U盘启动盘,请勾选磁区分割管理,在多媒体类型中选择DVD,并设定分区和分用分割区。编辑密码IS0024(注意是大写的)
  3. 所属分类:其它

  1. N掺杂的TiO2纳米管的制备及光催化脱除NOx性能

  2. 采用浸渍法对TiO2(水热法合成)纳米管进行N修饰,制得N掺杂的TiO2纳米管。通过XRD、TEM、UV-Vis和DRS对样品进行表征。结果表明,500℃热处理后的样品晶型几乎全部为锐钛矿;纳米管长为60~160nm,管径为7~15nm,壁厚为1.5nm左右;N掺杂提高了纳米管在可见光区的光吸收能力。催化实验表明:N掺杂增强了TiO2纳米管在紫外光及可见光下的催化活性;当N掺杂量(质量分数)为15%,煅烧温度为500℃,煅烧时间为2h时,催化效果最佳,紫外光及可见光下氮氧化物(NOx)去除率分别
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-05-26
    • 文件大小:781kb
    • 提供者:weixin_38752907
  1. 尿素-硝酸盐低温燃烧法制备Ce0.8Gd0.2O1.9纳米粉体

  2. 以尿素为还原剂,硝酸盐为氧化剂,利用低温燃烧合成法制备了Ce0.8Gd0.2O1.9纳米粉体。分析了凝胶的热分解行为、合成粉体的物相结构及微观形貌,以及尿素与硝酸盐摩尔比(nU/nN)对凝胶的燃烧特性及合成粉体性能的影响。结果表明:尿素-硝酸盐干凝胶的点火温度约为279.0℃;制得的粉体经600℃焙烧后即形成了单相立方萤石结构的纳米级固溶体;当尿素与硝酸盐摩尔比(nU/nN)为7∶1时,制得的粉体比表面积最大、晶粒尺寸最小,分别为105.71m2/g和20.15nm。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-06-20
    • 文件大小:466kb
    • 提供者:weixin_38584058
  1. 分段表面放电光抽运XeF(C-A)激光器

  2. 阐述了分段表面放电光抽运XeF(C-A)激光器的设计和实验技术。分段表面放电辐射源在140nm~170nm辐射区域亮度温度Tb≈15×103K,用该辐射源作抽运源离解XeF2获得了XeF(C-A)蓝绿(470nm~495nm)激光输出,激光脉宽为340ns、光谱宽度为15nm。
  3. 所属分类:其它

  1. 用带有半导体开关的塞纳克干涉仪转换全光波长和脉宽

  2. 提出用带有半导体光学放大器的塞纳克干涉仪开关对全光波长和脉宽变换.这种开关结构简单,开关速度不受半导体载流子恢复时间限制.输入数据的脉宽1.5ps被变换成2.4~18.1ps.在1539nm输入数据波长变换为可调谐波长,带宽为15nm(1550~1565nm).
  3. 所属分类:其它

  1. 金属超微粒子-介质复合薄膜(Ag-BaO)的光吸收特性

  2. 测量了真空热蒸发沉积法制备的贵金属Ag超微粒子-介质(BaO)复合薄膜近紫外到可见的吸收光谱。这种薄膜的透射电镜显微像表明,Ag在介质中形成了较均匀的超微粒子,粒径为15nm。观察到吸收谱在410nm处有明显的等离子激元共振吸收峰,这是电偶极振荡的吸收。与以往文献的结果做了比较,讨论了吸收光谱对金属微粒尺寸的依赖关系。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-11
    • 文件大小:1002kb
    • 提供者:weixin_38675967
  1. 垂直堆垛InAs量子点的光学性质

  2. 垂直堆跺InAs量子点是用分子束外延(MBE),通过Stranski-Krastanov(S-K)方式生长.利用光致发光(PL)实验对InAs量子点进行了表征.在生长过程中使用对形状尺寸控制的方式来提高垂直堆垛InAs量子点形貌均匀性.样品的外延结构是Si掺杂GaAs衬底生长500nm的过渡层,500nm的GaAs外延层,15nm的Al0.5Ga0.5As势垒外延层,5个周期的InAs量子点生长后2单层GaAs的外延结构,50 nh的Al0.5Ga0.5As势垒外延层,最后是15 m的GaAs覆
  3. 所属分类:其它