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  1. 16 nm FinFET工艺信号EM问题的分析和解决

  2. 信号电迁移的问题在先进工艺节点越来越受到重视。通过一个基于16 nm TSMC工艺的SoC芯片,分析了Innovus和Voltus两个工具在信号电迁移分析结果的差异。通过对成因的分析,解决了Innovus存在的问题,使得绝大多数信号电迁移问题在布局布线阶段得到解决,大大缩短了后端设计收敛时间。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-16
    • 文件大小:497kb
    • 提供者:weixin_38718434