极紫外光刻技术（EUVL）是半导体制造实现22 nm及其以下节点的下一代光刻技术。在曝光过程中，EUVL物镜的每一面反射镜吸收35%～40%的入射极紫外（EUV）能量，使反射镜发生热和结构变形，影响投影物镜系统的成像性能。基于数值孔径为0.3，满足22 nm技术节点的产业化EUV投影物镜，采用有限元分析(FEA)的方法研究反射镜变形分布，再将变形导入光学设计软件CODE V中，研究反射镜变形其对成像特性的影响。研究结果表明：当达到硅片的EUV能量为321 mW，产量为每小时100片时，反射镜最高