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搜索资源列表

  1. 3d-rram 存储技术

  2. NAND闪存在25nm工艺之后出现了严重的性能下滑、寿命缩短问题，RRAM则可以一路走到5nm甚至更远。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2014-06-03
    • 文件大小：6mb
    • 提供者：shookesky

  1. Micron L74A Datesheet

  2. Micron L74A 25nm工艺nand Flash产品说明

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2014-12-03
    • 文件大小：3mb
    • 提供者：baidu_22649081

  1. Micron L74 nand flash

  2. Micron L74 25nm MLC nand flash datasheet

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2015-05-29
    • 文件大小：2mb
    • 提供者：ordman10

  1. 发一个交流电机仿真模型-Motor.mdl

  2. 发一个交流电机仿真模型-Motor.mdl 仿真说明：三相电源频率为50赫兹，电压幅值为311伏特，负载转矩初始值为10NM,在5秒时跳变到25NM。交流电机参数为：定子电阻4.25欧姆，转子电阻3.24欧姆，定子电感0.666亨，转自电感0.671亨，定、转子互感0.65亨，转动惯量0.02NM^2.Simulink最大仿真步长为1e-3，其它参数默认。仿真的部分结果如图所示。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-08-13
    • 文件大小：63kb
    • 提供者：weixin_39840650

  1. SMI慧荣SM3260AB/SM3260AD量产工具v2.3.96_l1012.rar

  2. 软件介绍: 慧荣SMI SM3260AB/3260AD量产工具sm32Xtest_V96-2.exe 版本V2.3.96 V2更新日期2012/10/12 Build，设置密码320更新内容：1.Disable GCG-A die cache program2.Update LED Flash behavior(default support location D1 only)3.Fix Hynix UCG B die fixed capacity issue4.Update Micron L

  3. 所属分类：其它

  1. SSS6692最新量产工具MP_v2182(IM 25nm MLC可量产USBCDROM).rar

  2. 软件介绍: SSS6692最新量产固件发布, IM 25nm MLC 可量产 USB-CDROM 借了好久,终于跟朋友借到了两个镁光的U盘来测试.结果都可以量产CDROM成功.因为镁光 25nm MLC有分成4KB和8KB两种;大致上的区分是4GB U盘选6692_IM25_256P_4KB.INI,8GB以上 U盘选6692_IM25_256P_8KB.INI,不过还是用 Card Info 取得Flash Type的资讯会比较好.记得 CDROM_ISO= 这边要修改,指向正确的量产ISO

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-05
    • 文件大小：373kb
    • 提供者：weixin_38743602

  1. Intel-320系列产品规格

  2. The Intel SSD 320 Series delivers leading performance for Serial Advanced Technology Attachment (SATA)-based computers in capacities up to 600GB. By combining Intel\\\'s leading 25nm NAND flash memory technology with SATA 3Gb/s interface support, t

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-04
    • 文件大小：362kb
    • 提供者：weixin_38601446

  1. 使用说明 BD2-AK04 (05, 06) / SNH... [手册].pdf

  2. 使用说明 BD2-AK04 (05, 06) / SNH... [手册]pdf,DE Achtung usatzliche Warnhinweise auf dem Produkt sind Zu beachten Es sind die Betriebsanleitungen der Gerate zu beachten EN Attention Follow any additional warnings applied to the product. Attention should be

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-10-20
    • 文件大小：881kb
    • 提供者：weixin_38744270

  1. 西门子mmv操作说明书.pdf

  2. 西门子mmv操作说明书pdf,西门子mmv操作说明书重要事项: △竖告 为确保正确的安全操作,必须严格遵守以下条例 用变频器去驱动一合额定功率比它大或额定功率不足其一半的电机是不允许的,只有当P083中设定的额 定电流与电机铬埤上的额定电流相匹配时才能运行。 ·必须正确地设定电机数据参数(P080P085),并且在电机起动前进行自动测定P088=1)。若没有进 行电机测定,会导致不稳定不可预料的运行(例如反向转动如果出现不稳定运行必须立即切断变频 器的主电源。 当使用模拟量输入时,在用Pα06使

  3. 所属分类：其它

  1. 宏美电气 (HOMER)UES5 系列电涌保护器.pdf

  2. 宏美电气 (HOMER)UES5 系列电涌保护器pdf,宏美电气 (HOMER)UES5 系列电涌保护器，设计符合 IEC61643-1、GB18802.1，适合用于交流 50Hz/60Hz，380V 及以下的各种供电系统，产品内置失效脱离装置，可靠指示工作状态，并可带遥信触点功能，实现远程监控；响应时 间低于 25 纳秒，采用 35mm 电气导轨安装，使用安全、安装方便。CONTENTS目录 用途及适用范围 01 产品型号 ………01 产品特点 01 技术参数…02 型号规格 ”” 03 产品

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-10-19
    • 文件大小：424kb
    • 提供者：weixin_38744270

  1. 8MF1 - 机架[手册].pdf

  2. 8MF1 - 机架[手册]pdf,Required tools/ Notwendige Werkzeuge/ Outils necessaires/ Herramientas requeridas/必要工具 T30 13 mm 18 mm cal. ISo 6789 Contents/ Lieferumfang/ Etendue de la livraison/ Contenido/供货范围 8MF1000-2CA 8MF1000-2CK 8MF1000-2HF P40 4x IPXx 4x 1

  3. 所属分类：其它

  1. 雷莫 00/NIM_CAMAC 系列电缆装配说明.pdf

  2. 雷莫 00/NIM_CAMAC 系列电缆装配说明pdf,雷莫 00/NIM_CAMAC 系列电缆装配说明L 带电缆紧固圈的插头和直式插座的装配(焊接针芯) M5 直式插头 浮动插座 2)一 固定式插座 尾盖固定 0三 准各电缆装 C.2 首先将尾护套(如果们选配)穿到电缆上 按照下表尺寸的规定剥好电缆 ±0.2 电缆 M5 TS 1-2-3-4851217 51219 2.完成电缆装配 2.1雨将电统压接管①到电缆上,展开屏蔽网。将电缆穿过针芯② 直到电缆绝缘体完全进入而且导休从针芯上的焊接孔中

  3. 所属分类：其它

  1. 怎样正确使用MOS集成电路

  2. 所有 MOS 集成电路 （包括 P 沟道 MOS， N 沟道 MOS， 互补 MOS — CMOS 集成电路） 都有一层绝缘栅，以防止电压击穿。一般器件的绝缘栅氧化层的厚度大约是 25nm 50nm 80nm 三种。在集成电路高阻抗栅前面还有电阻——二极管网络进行保护，虽然如此，器件内的保护网络还不足以免除对器件的静电损害（ESD），实验指出，在高电压放电时器件会失效，器件也可能为多次较低电压放电的累积而失效。 按损伤的严重程度静电损害有多种形式，最严重的也是最容易发生的是输入端或输出端的完全破

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：72kb
    • 提供者：weixin_38717143

  1. 元器件应用中的怎样正确使用MOS集成电路

  2. 所有 MOS 集成电路 （包括 P 沟道 MOS， N 沟道 MOS， 互补 MOS — CMOS 集成电路） 都有一层绝缘栅，以防止电压击穿。一般器件的绝缘栅氧化层的厚度大约是 25nm 50nm 80nm 三种。在集成电路高阻抗栅前面还有电阻——二极管网络进行保护，虽然如此，器件内的保护网络还不足以免除对器件的静电损害（ESD），实验指出，在高电压放电时器件会失效，器件也可能为多次较低电压放电的累积而失效。 按损伤的严重程度静电损害有多种形式，最严重的也是最容易发生的是输入端或输出端的完全破

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-09
    • 文件大小：75kb
    • 提供者：weixin_38549721

  1. 用散射指示线测量1～25 nm波段的粗糙度

  2. 用散射指示线测量1～25 nm波段的粗糙度

  3. 所属分类：其它

  1. 由于更长的激子扩散长度，磷掺杂提高了双层有机太阳能电池的效率

  2. 我们在结构玻璃/ ITO / PEDOT：PSS / PtOEP：MEH-PPV / C-70 / Al中制造了双层有机太阳能电池（OSC），其中MEH-PPV掺杂了八乙基卟啉铂（PtOEP）。 通过将生成的单重态激子转换为三重态激子来实现增强的激子扩散长度（LD）。 基于转移矩阵模拟的研究表明，与OSC相比，掺杂施主层的激子LD导致短路电流密度（J（SC））和功率转换效率（PCE）有所提高。具有非掺杂的施主层。 由于LD增加，对于具有5wt％的PtOEP掺杂的25nm厚的供体层的器件，J（SC

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-04
    • 文件大小：579kb
    • 提供者：weixin_38620267

  1. 大功率垂直腔面发射激光器中减小p-DBR串联电阻的途径

  2. 为了使垂直腔面发射激光器(VCSEL)实现大功率、高效率的激光输出,对p型分布布喇格反射镜(DBR)形成的同型异质结在界面处存在大势垒导致的高串联电阻和严重发热现象进行了研究。为降低串联电阻,实现VCSEL在室温下的大功率连续发射,分析了p型DBR异质结的势垒结构,对突变异质结的串联电阻进行了计算分析,提出降低势垒高度以及增加扩散浓度是减小串联电阻的主要途径,而漏斗状的掺杂能有效降低体电阻;通过对梯度渐变异质结的分析得出缓变结能有效降低势垒高度;而用Matlab对能带图的数值分析表明,Al0.1

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-22
    • 文件大小：153kb
    • 提供者：weixin_38751861

  1. 以钕激光激发脉冲氙气流为基础的无碎片软X射线源

  2. 由纳秒脉冲激光激发脉冲氙气流(气云),获得“清洁”(无碎片)脉冲软X射线源。用X射线多层聚焦镜得到18nm的射线像。用宽带非周期多层镜和大孔径透射光栅的消像散光谱仪,记录了射线源12.5~25nm区的光谱。借助绝对校准的高速X射线电二极管AXUV-5确定了软X射线产额。

  3. 所属分类：其它

  1. 使用MOS管的注意事项

  2. MOS管由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^7~10^12Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 所有?MOS?集成电路?（包括?P?沟道?MOS，?N?沟道?MOS，?互补?MOS?—?CMOS?集成电路）?都有一层绝缘栅，以防止电压击穿。一般器件的绝缘栅氧化层的厚度大约是?25nm?50nm?80nm?三种。在集成电路高阻抗栅前面还有电阻——二

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：88kb
    • 提供者：weixin_38724535