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搜索资源列表

  1. 辨向4倍频芯片 光栅光电解码专用芯片中文资料

  2. 四倍频专用集成电路芯片，光栅尺、光电编码器等4倍频 辨向芯片。 光栅解码，专用芯片。中文资料。

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2011-01-13
    • 文件大小：189kb
    • 提供者：hupeng1986

  1. C8051F120倍频成功

  2. 成功将C8051F120系统时钟 倍频4倍，想要其他倍数调一下系数就可以了

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2014-07-05
    • 文件大小：45kb
    • 提供者：changshu1

  1. FPGA 编码器输入信号4倍频处理

  2. FPGA 对电机的编码器输入的正交编码信号进行4倍频处理

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2018-08-08
    • 文件大小：1kb
    • 提供者：u010870452

  1. 基于STM32F4系列的4个编码器4倍频的转速解析程序

  2. 基于STM32F4系列的4编码器4倍频转速解析程序，程序有效，需要根据自己的配置更改有问题欢迎提问。

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2019-01-03
    • 文件大小：10mb
    • 提供者：numb_zl

  1. 4.单级倍频-单向逆变.zip

  2. 单相逆变，采用单极性倍频调制模式，两电平逆变，si

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2020-05-01
    • 文件大小：322kb
    • 提供者：feiguohailou

  1. C8051F120倍频函数

  2. 函数原型：void ClockConfig(void) 入口参数：无 出口参数：无 功能描述：系统时钟的初始化配置，采用PLL倍频22.1184M*4=88.4736M 完全按照芯片手册上的步骤给C8051F120单片机倍频，在我的单片机上倍频成功

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2014-07-05
    • 文件大小：2kb
    • 提供者：changshu1

  1. 基于平面肖特基二极管的300 GHz平衡式二倍频器

  2. 设计了肖特基二极管的结构和尺寸，采用点支撑空气桥结构降低器件在高频下的损耗，根据二极管测试结果和实际结构，分别建立了肖特基结的非线性模型和三维电磁场模型。依据此模型，采用平衡式电路设计，将二极管放置在波导内，利用模式正交性很好地实现输入与输出信号的隔离，简化了电路结构，降低了损耗，成功设计并制作出300 GHz二倍频器，在312～319 GHz的倍频效率大于5%，最大倍频效率为10.1%316 GHz，在307 GHz～318 GHz的输出功率大于4 mW，最大输出功率为8.7 mW316 GH

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：495kb
    • 提供者：weixin_38519660

  1. Hittite近日推出SMT封装x2倍频器

  2. Hittite Microwave公司近日推出一款采用SMT封装的有源x2倍频器。该倍频器具有较低的SSB相位噪音和输高的出功率，适用于频率范围在8-22GHz之间的点对点、点对多点、VSAT以及军事应用。 　　HMC573LC3B Active x2倍频器由一个输入放大器、一个低转换损耗倍频器和一个输出缓冲放大器组成。采用+5dBm输入信号进行驱动，输出功率为+12dBm ，单边带相位噪音低至-134dBc/Hz。此款宽带有源x2倍频器的输入频率范围为4-11GHz，输出频率范围为8-22GH

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-30
    • 文件大小：38kb
    • 提供者：weixin_38661236

  1. RFID技术中的Hittite发布采用SMT封装的有源x2倍频器

  2. Hittite Microwave公司推出一款采用SMT封装的有源x2倍频器。该倍频器具有较低的SSB相位噪音和输高的出功率，适用于频率范围在8-22GHz之间的点对点、点对多点、VSAT以及军事应用。 　　HMC573LC3B Active x2倍频器由一个输入放大器、一个低转换损耗倍频器和一个输出缓冲放大器组成。采用+5dBm输入信号进行驱动，输出功率为+12dBm ，单边带相位噪音低至-134dBc/Hz。此款宽带有源x2倍频器的输入频率范围为4-11GHz，输出频率范围为8-22GH

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-30
    • 文件大小：32kb
    • 提供者：weixin_38520437

  1. 纯硬件解码2相AB正交编码器，输出四倍频加减脉冲信号

  2. Quartus 完整的工程，verilog HDL语言编写，输入编码器A与B正交信号，通过硬件4倍频后，输出脉冲，编码器正转时输出加脉冲，编码器反转时输出减脉冲，可以自行跟据加减脉冲信号修改并增加内部计数器后输出

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2021-01-04
    • 文件大小：251kb
    • 提供者：yuantielei

  1. 具有基于受激布里渊散射的操作的电可调倍频光电振荡器

  2. 提出并通过实验证明了一种基于可调谐布里渊散射（SBS）和相位调制的电可调倍频光电振荡器（OEO）。 在这种OEO配置中，将相位调制器与光学滤波器结合使用以产生倍频微波信号，而SBS效果提供了窄带滤波并确保了反馈驱动信号在基频处的振荡。 通过改变从双边带载波抑制调制获得的布里渊泵浦信号，可以实现频率可调性。 在我们的实验中，当将应用于强度调制器的调谐信号从200 MHz调谐到2 GHz时，会生成一个从21.4到25 GHz的连续可调倍频信号。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-10
    • 文件大小：419kb
    • 提供者：weixin_38709511

  1. 半导体激光直接倍频的488nm蓝光激光器

  2. 利用波导型准相位匹配周期极化反转铌酸锂(PPLN)晶体直接倍频波长为976 nm的连续半导体激光二极管,在最佳晶体工作温度(28 ℃)下,获得了波长为488 nm的连续蓝光输出,最大输出功率大于20 mW。所用的晶体尺寸为8 mm×1.4 mm×1 mm,波导截面为4.5 μm×3.5 μm,极化周期为5.2 μm。研究了波导型周期极化反转铌酸锂晶体的倍频效率与温度的关系,与普通的周期极化反转铌酸锂相比,倍频效率与温度关系的敏感度较低。同时,由于晶体可以在室温下工作,简化了加温与温控部件,提高了

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-05
    • 文件大小：630kb
    • 提供者：weixin_38691220

  1. 4倍频获得高功率紫外激光

  2. 4倍频获得高功率紫外激光

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-05
    • 文件大小：559kb
    • 提供者：weixin_38747233

  1. 1341.4 nm Nd:YAP激光在KTP晶体中三倍频得到447.1 nm蓝色相干辐射

  2. 本文报道用LiIO3晶体将1341.4 nm Nd:YAP脉冲激光倍频产生的670.7 nm辐射和1341.4 nm激光在KTP晶体中和频得到447.1 nm蓝色相干辐射。计算了上述非线性过程的相位匹配条件和有效非线性系数,计算与实验结果相当吻合。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-05
    • 文件大小：598kb
    • 提供者：weixin_38667408

  1. 高效铜激光倍频及在光刻中的应用

  2. 通过线聚焦将自滤波振荡行波放大后的铜激光在BBO晶体中信频,当基频光功率为5.4 W时,倍频效率达14.4%。用钢激光倍频光进行接触式光刻,刻线分辨率优于1.0 μm。

  3. 所属分类：其它

  1. 偏硼酸钡晶体倍频系数和紫外吸收边的计算

  2. 偏硼酸钡(β-BaB2O4)晶体是我国首创的一种新型非线性光学晶体。实验表明它的透光波段为190～3000nm,宏观倍频系数x(111)~(2ω)=4.6×10~(-9)e.s.u。CNDO/S计算能得到较好的x(111)~(2ω)值但紫外吸收边竟达90nm,离实验值太远。本文从芳香环的EHMO理论出发,比较了几种无机芳香环和有机芳香环的单电子能谱,得到β-BaB2O4晶体的紫外吸收边和倍频系数值,跟实验值非常符合。针对紫外吸收边的争议,我们还用精度较高的SCF-Xa-SW方法计算了该晶体的电子

  3. 所属分类：其它

  1. 一种基于铌酸锂晶体的高效紧凑腔内倍频绿光激光器

  2. 基于周期极化铌酸锂(PPLN)晶体提出并设计了一种高效紧凑腔内倍频绿光激光器。该激光系统采用808 nm激光二极管(LD)端面直接抽运Nd∶YVO4晶体，进而利用极化周期为7 μm 的PPLN 晶体倍频产生532 nm 绿光。通过在Nd∶YVO4和PPLN 晶体端面镀膜构成激光腔镜，无需采用任何光学透镜、反射镜等分立光学元件，大大降低了系统体积和成本。实验结果显示，当激光器谐振腔腔长为12 mm，抽运功率为4.1 W 时，绿光输出功率可达1.343 W，相应的光-光转换效率达32.8%。当LD

  3. 所属分类：其它

  1. 单片集成430 GHz三倍频器的设计及测试

  2. 通过单片集成的方法,将工作于太赫兹频段(430 GHz)的三倍频器的各个功能电路集成在厚度为12 μm的砷化镓薄膜单片上,设计、制造太赫兹三倍频集成电路单片。单片结构采用一对反向并联连接的肖特基二极管,构成串联平衡式电路,电路不需要外加偏置电压。平衡式电路只产生奇数次谐波,简化了电路分析和优化过程。电路设计采用三维电磁仿真软件与谐波非线性仿真软件联合仿真场路的方法,准确模拟单片电路的射频特性。将单片电路安装在中间剖开的波导腔体内制成三倍频器进行测试,在430 GHz处测得输出功率为215.7 μ

  3. 所属分类：其它

  1. 两端支撑夹持结构参数对三倍频转换效率的影响

  2. 在高功率固体激光器的终端光学组件中，为了提升三倍频转换效率，对大口径薄型KDP晶体采取两侧支撑的夹持方法，并利用有限元分析软件建立了夹持系统的仿真模型。在此基础上，计算分析了晶体以不同倾斜角度放置时，支撑条数目和长度等夹持系统结构参数对晶体附加面形、相位匹配角及三倍频转换效率的影响。研究结果表明：晶体两侧支撑条总数为4时，大口径薄型KDP晶体附加面形的峰谷值和均方根值、晶轴变化的平均值和三倍频转换效率随支撑条长度的变化不大，且可获得理想的三倍频转换效率。解决了反复调试KDP晶体面形质量的问题而缩

  3. 所属分类：其它

  1. 基于低速光调相信号注入DFB-LD产生4~16倍频的40 GHz和60 GHz毫米波信号

  2. 提出一种基于低速光调相信号注入半导体分布反馈激光器（DFB-LD）产生最低4倍频，最高16倍频的40 GHz和60 GHz的毫米波调相信号。该方案利用注入光的N阶调相边带锁定DFB-LD的波长，同时DFB-LD放大此调相边带并与原注入光信号通过相干差拍作用在LD腔内形成毫米波调相信号。通过理论建模分析了工作原理，经系统实验验证了此方案的可行性。应用2.5，5和10 GHz的光调相信号均得到40 GHz或60 GHz的毫米波信号，实现了最低4倍频，最高16倍频的毫米波信号产生，并通过单边带相位噪声

  3. 所属分类：其它

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