分析了含有4个晶体管的钳位光电二极管有源像素传感器（4T-PPD-APS）的结构特点以及γ射线光子在像元内的能量沉积过程。通过建立传感器像元及像素阵列仿真计算模型，并结合γ射线辐射响应实验，对有源像素传感器（APS）在不同光子能量及不同放射性水平条件下的响应特性进行了研究。研究结果表明：γ光子在光电二极管空间电荷区内沉积能量并形成扩散光电流是APS发生光子响应现象的根本原因；像素值的平均值随剂量率的增大呈先增大后趋于饱和的趋势；当典型事件区域内出现多个峰值时，像素值的统计值不能准确反映辐射场放射