SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA The 4N29/A, 4N30, 4N31, 4N32(1) and 4N33(1) devices consist of a gallium arsenide infrared emitting diode optically coupled to a monolithic silicon photodarlington detector.

ic芯片资料，对你讲非常有用，请下载，多下载

远程测量温度时，传输线上存在着较高的共模电压，须用光耦合器（以下简称光耦）对输出端进 行隔离。三种光耦隔离电路分别如图1（a）、（b）、（c）所示。 　　（a）图为普通光耦隔离电路。TMP03能够承受5 mA以下的灌电流，可直接与光耦中LED发光二极管的阴极连通。此时上拉电阻 R1还起到限流作用，防止LED过流损坏。取 R1=620欧姆，当DOUT端呈低电平时，灌电流小于1 mA,LED上的正向压降仅为1 V左右。需要注意的是，光耦合器的开启和关闭时间必须完全相同，否则会导致被传输的数据 发生

远程测量温度时，传输线上存在着较高的共模电压，须用光耦合器（以下简称光耦）对输出端进 行隔离。三种光耦隔离电路分别如图1（a）、（b）、（c）所示。 　　（a）图为普通光耦隔离电路。TMP03能够承受5 mA以下的灌电流，可直接与光耦中LED发光二极管的阴极连通。此时上拉电阻 R1还起到限流作用，防止LED过流损坏。取 R1=620欧姆，当DOUT端呈低电平时，灌电流小于1 mA,LED上的正向压降仅为1 V左右。需要注意的是，光耦合器的开启和关闭时间必须完全相同，否则会导致被传输的数据 发生