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  1. 808nm边发射二极管激光器特征温度

  2. 研究了波导层材料为Al0.65Ga0.35As时的3种不同厚度(0.4,0.5和0.6μm)和3种不同的Al GaAs基大光学腔(Al0.65Ga0.35As-1μm,Al0.6Ga0.4As-1.5μm和Al0.45Ga0.55As-2μm)的808 nm边发射二极管激光器的输出特性。理论计算模拟了不同结构器件的功率-电流特性(P-I)曲线,采用线性拟合的方法计算阈值电流,并计算了器件的特征温度。实验结果验证了理论计算结果。波导层厚度变化的研究说明,当单量子阱的厚度不变时,波导层越厚,器件的特
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-23
    • 文件大小:421kb
    • 提供者:weixin_38516658
  1. 808 nm边发射二极管激光器特征温度

  2. 研究了波导层材料为Al0.65Ga0.35As时的3种不同厚度(0.4,0.5和0.6 μm)和3种不同的AlGaAs基大光学腔(Al0.65Ga0.35As-1 μm,Al0.6Ga0.4As-1.5 μm和Al0.45Ga0.55As-2 μm)的808 nm边发射二极管激光器的输出特性。理论计算模拟了不同结构器件的功率电流特性(P-I)曲线,采用线性拟合的方法计算阈值电流,并计算了器件的特征温度。实验结果验证了理论计算结果。波导层厚度变化的研究说明,当单量子阱的厚度不变时,波导层越厚,器件
  3. 所属分类:其它