报道了优化p面电极的高功率高光束质量980nm垂直腔底面发射激光器(VCSEL).采用数学模型对VCSEL的电流密度进行了模拟计算,发现电流密度分布由氧化孔直径和p面电极直径决定.确定氧化孔直径后,优化p面电极直径可以实现电流密度的均匀分布,抑制远场光斑中高阶边模的产生.将p面电极直径优化为580μm,制作的600μm的VCSEL远场发散角从30°减小到15°,优化器件的阈值电流和最高输出功率都略有增加.通过改进器件封装方式后,器件输出功率达到2.01W,激射波长为982.6nm.

据报道，具有p接触直径的980nm底部发射垂直腔表面发射激光器（VCSEL）可实现高功率和良好的光束质量。 对在VCSEL中在有源区和p型分布布拉格反射器之间发生氧化的电流扩散进行了数值模拟。 已经发现，对于特定的氧化物Kong直径，对于具有优化的p接触直径的VCSEL，可以实现某种程度的均匀电流分布。 直径为600μm的VCSEL的远场发散角从30度抑制到15度，并且通过使用优化的p接触直径，在远场图案中没有观察到强烈的旁瓣。 由于p接触优化，阈值和光输出功率略有上升。 通过改进器件封装方法，

利用CCD成像技术,设计出一种简单的测量垂直腔面发射激光器(VCSEL)的光束质量因子M2的方法。在注入电流分别为900 mA,1500 mA,3000 mA和6000 mA时,对出光孔径300μm, 激射波长为980 nm的垂直腔底面发射激光器的束腰等光束参数进行了测量,并应用激光光束传播的高斯方程拟合求得了M2因子的值分别为66,58,44和53。另外,当注入电流为900 mA和3000 mA时,对器件的远场分布进行了分析并测得了器件的远场发散角,测量值与理论计算值吻合较好。