采用Ar等离子体处理GaAs纳米线，通过光致发光测试研究了等离子体偏压功率对GaAs纳米线发光性能的影响。在不同测试温度和不同激发功率密度下，研究了发光光谱各个发光峰的来源和机制。研究结果表明：随着功率增加，GaAs自由激子发光逐渐消失，束缚激子发光强度先减小后增大；当功率增加到200 W时，出现施主-受主对(DAP)发光。通过对比不同样品在283 ℃下的发光光谱，得到了等离子体处理过程中GaAs纳米线的结构变化：当处理功率较小时，Ar等离子体在消除表面态的同时将空位缺陷引入GaAs中；当处理功