您好,欢迎光临本网站![请登录][注册会员]  

搜索资源列表

  1. As-grown defects in highly phosphorus-doped Czochralski silicon

  2. 重掺磷直拉硅单晶中的原生缺陷,曾俞衡,马向阳,本文研究了重掺磷直拉硅单晶中的原生缺陷.结果表明,重掺磷直拉硅单晶相对于轻掺磷直拉硅单晶有更高的原生缺陷,这些原生缺陷主要容
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-01-07
    • 文件大小:766kb
    • 提供者:weixin_38745891