普遍电导率波动（UCFs）是介观电子干扰的最重要表现之一，对于拓扑绝缘子（TIs）的二维表面状态尚未得到证明。 即使通过改善TI晶体的质量来精细地抑制体积电导，体积电导的波动仍保持竞争力，并且难以与所需的表面载体UCF分离。 在这里，我们报告了块状绝缘Bi2Te2Se微薄片中二维表面状态的UCF的实验证据。 实现了唯一B垂直于依赖的UCF，并研究了其对温度的依赖。 通过弱的抗局部定位进一步揭示了表面运输。 表面态的这种幸存的UCF是由于三元晶体中体载流子的有限相移长度而引起的。 电子-声子相互作