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  1. 基于SRAM批量读写的UART bulk测试

  2. 本文章是关于Xilinx FPGA入门课程，主要内容是基于SRAM批量读写的UART bulk测试

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-21
    • 文件大小：52224
    • 提供者：weixin_38616033

  1. SQL Server Bulk Insert 只需要部分字段时的方法

  2. 上午在找Bulk Insert的资料看，还转了一篇。不巧今天下午就用上了，我遇到的需求是导出表A中的N个字段，然后导入到表B的N个字段当中。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-09-11
    • 文件大小：36864
    • 提供者：weixin_38653602

  1. 使用BULK INSERT大批量导入数据 SQLSERVER

  2. 使用BULK INSERT大批量导入数据 SQLSERVER,需要的朋友可以参考下。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-09-11
    • 文件大小：31744
    • 提供者：weixin_38693589

  1. Oracle BULK COLLECT批量取数据解决方法

  2. 在oracle使用中为了提高取数据效率，本文将详细介绍Oracle BULK COLLECT批量取数据,需要了解跟多的朋友可以参考下

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-09-11
    • 文件大小：23552
    • 提供者：weixin_38694336

  1. Informatica bulk与normal模式的深入详解

  2. 本篇文章是对Informatica bulk与normal模式进行了详细的分析介绍，需要的朋友参考下

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-09-10
    • 文件大小：41984
    • 提供者：weixin_38688969

  1. sql server Bulk Insert命令详细

  2. 主要介绍了sql server Bulk Insert命令详细 ,需要的朋友可以参考下

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-09-10
    • 文件大小：82944
    • 提供者：weixin_38716460

  1. Oracle批量查询、删除、更新使用BULK COLLECT提高效率

  2. BULK COLLECT(成批聚合类型)和数组集合type类型is table of 表%rowtype index by binary_integer用法笔记。对oracle批量查询 删除 更新使用bulk collect提高效果的相关知识感兴趣的朋友通过本文一起学习吧

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-09-09
    • 文件大小：49152
    • 提供者：weixin_38610717

  1. mssql server 存储过程里，bulk insert table from '路径+文件'，路径固定，文件名不固定的实现方法

  2. mssql server 存储过程里，bulk insert table from '路径+文件'，路径固定，文件名不固定的实现方法

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-09-14
    • 文件大小：20480
    • 提供者：weixin_38658405

  1. oracle下巧用bulk collect实现cursor批量fetch的sql语句

  2. oracle下巧用bulk collect实现cursor批量fetch的sql语句,使用oracel的朋友可以试试了

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-09-14
    • 文件大小：32768
    • 提供者：weixin_38550146

  1. 元器件应用中的Vishay推出多款高端应用的Bulk Metal箔表面贴装电阻

  2. Vishay Intertechnology, Inc.目前推出采用Bulk Metal箔技术制造的多款表面贴装电阻，以实现最高端领域对器件高可靠性和高稳定性的严苛要求。这次发布的器件中，包括新改进的VSMP(0805 至 2512)系列、及VCS1625Z和CSM2512S在内，Vishay产品系列均纳入各种超高精度规格和配置，以实现更优异的性能。 　　在为最高端领域(国防及宇航)应用选择电阻时需要考虑多个因素，包括TCR(环境温度)、PCR(自身散热)、负载寿命稳定性、报废容限、热电势(E

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-12
    • 文件大小：72704
    • 提供者：weixin_38590520

  1. 元器件应用中的Vishay推出通过严格军标认证的新型Bulk Metal箔电阻及其代替器件

  2. 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，已将其QPL RNC90Y系列高可靠Bulk Metal箔电阻的容差减小到±0.005%。如果设计者需要的电阻阻值比QPL规定的范围更高或更低，但是要求具有同样的性能，也可采用非QPL版的S555器件。 　　凭借于R级电阻的高可靠性，RNC90Y通过了MIL PRF 55182/9军标认证，该标准主要针对需要更严格容差、更低温度系数和更好的长期稳定率等高级性能的军工和航天应用。这些电阻可以在整个温度变化范围、加负载、频率漂移和

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-12
    • 文件大小：68608
    • 提供者：weixin_38727199

  1. 电子测量中的Vishay推出Bulk Metal箔超高精度Accutrim微调电位器1280G和1285G

  2. Vishay推出两款Bulk Metal®箔超高精度Accutrim微调电位器 --- 1280G和1285G。这两款长3/4英寸的直线型器件在–55 ℃～+125℃温度范围内、+25℃参考温度条件下，分别具有±5 ppm/℃(1285G)和±15 ppm/℃(1280G)的端到端TCR，在滑动端上的TCR为±25ppm/℃，在+25℃、满载额定功率条件下工作2000小时后的典型负载寿命稳定率为0.1%，典型可设定值< 0.05%。 　　Vishay的新款1280G和1285G电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-11
    • 文件大小：62464
    • 提供者：weixin_38518885

  1. 元器件应用中的Vishay发布超高精度Bulk Metal箔四电阻网络SMNH

  2. 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有优异的负载寿命、负载寿命比和贮存寿命稳定性特性的超高精度Bulk Metal箔四电阻网络——SMNH电阻网络。 　　新的气密SMNH电阻网络中每个电阻都在0.1W、+70℃下工作1000小时后，负载寿命稳定率为0.005%，负载寿命稳定性比为0.005%(50ppm)。不仅如此，该器件还具有优异的贮存寿命稳定性，每个电阻的贮存寿命稳定性为0.0002%(2ppm)，在至少6年内贮存寿命稳定性比为0.0001%(1ppm

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-11
    • 文件大小：69632
    • 提供者：weixin_38670949

  1. 元器件应用中的Vishay推出增强型VTAZ系列Bulk Metal Z箔轴向电阻

  2. 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一款改进型VTAZ系列超高精度Bulk Metal Z箔轴向引线电阻，其额定功率已扩展至1.0W，电阻值为300kΩ。 　　典型轴向电阻在2000小时工作量时可实现＞0.1％的负载寿命稳定性；在额定功率及2000小时工作量条件下，Vishay的新器件可在＋70℃时实现±0.005％（50ppm）的改善的负载寿命稳定性。对于高精度应用，这类电阻可实现0℃至＋60℃时±0.05ppm/℃的低典型TCR，以及－55℃至＋125℃

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-09
    • 文件大小：63488
    • 提供者：weixin_38612437

  1. 元器件应用中的Vishay推出副基准、密封充油的Bulk Metal箔电阻

  2. Vishay推出副基准、密封充油的Bulk Metal?箔电阻 --- H和HZ系列，在精度、稳定性和速度上都设定了新的行业基准。新的H和HZ系列具有0.001%(10ppm)的容差，5Ω～1.84MΩ的阻值范围，在至少6年内(未受潮)的工厂寿命稳定率可达2ppm(±0.0002%)，上升时间小于1ns。H系列的最大TCR为±2ppm/℃，Z-Foil HZ系列的最大TCR仅有±0.2ppm/℃。 　　Vishay的H和HZ产品为那些原先因要求过高而无法用电阻实现的应用提供了答案，这些应用包括

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-08
    • 文件大小：107520
    • 提供者：weixin_38687343

  1. 元器件应用中的Vishay推出改进型S系列高精度Bulk Metal箔电阻

  2. 日前，Vishay宣布推出改进的 S 系列高精度 Bulk Metal 箔 (BMF) 电阻，这些电阻在 -55℃～+125℃（+25℃ 参考点）时具有 ±2 ppm/℃ 的军用级典型 TCR、±0.005% 的容差，以及超过 10,000 小时的 ±0.005% 负载寿命稳定性。 　　S 系列包含 12 个型号，电阻值介于 0.5Ω～1MΩ，并且可在该电阻范围内免费提供或在不影响供货周期的情况下提供具任何容差、任何电阻值的器件。在 70℃ 时，这些器件具有高达 2W 的额定功率，并且可经受住

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-19
    • 文件大小：62464
    • 提供者：weixin_38606294

  1. 元器件应用中的Vishay推出改进的 S 系列高精度 Bulk Metal 箔 （BMF） 电阻

  2. Vishay推出改进的 S 系列高精度 Bulk Metal 箔 (BMF) 电阻，这些电阻在 -55°C～+125°C（+25°C 参考点）时具有 ±2 ppm/°C 的军用级典型 TCR、±0.005% 的容差，以及超过 10,000 小时的 ±0.005% 负载寿命稳定性。 　　S 系列包含 12 个型号，电阻值介于 0.5Ω～1MΩ，并且可在该电阻范围内免费提供或在不影响供货周期的情况下提供具任何容差、任何电阻值的器件。在 70°C 时，这些器件具有高达 2W 的额定功率，并且可经受

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-19
    • 文件大小：57344
    • 提供者：weixin_38584731

  1. 元器件应用中的Vishay推出新型VSA101轴向Bulk Metal Z箔电阻

  2. Vishay推出新型 VSA101 轴向 Bulk Metal Z箔电阻，旨在为满足在高可靠性应用中对超高精度电阻的需求。这款新型器件在 0℃～+60℃ 以及 -55℃～+125℃（+25℃ 参考温度）的温度范围内分别具有 ±0.05 ppm/℃ 及 ±0.2 ppm/℃ 的低绝对 TCR、额定功率时 ±5 ppm 的出色 PCR（“ΔR，由于自加热”）、±0.005% 的容差，以及 ±0.005% 的负载寿命稳定性。 　　该新型电阻基于 Vishay 的突破性“Z箔”技术，该技术极大降低了电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-19
    • 文件大小：60416
    • 提供者：weixin_38637272

  1. 元器件应用中的Vishay公司推出Bulk Metal&reg; Z箔电阻（图）

  2. 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代码: NYSE）宣布推出 VSMP1206高精度、表面贴装的 Bulk Metal:registered: Z 箔电阻，这是业界首款具有 300mW 高额定功率、0.01% 负载寿命稳定性，以及 ±0.5ppm/°C 低正常 TCR 值且采用业界标准表面贴装封装的器件。 　　在不同环境温度和电流负载下，Vishay 率先推出的 Bulk Metal Z 箔技术具有史无前例的稳定性，其优越性超越了其它同类技术十倍以

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-28
    • 文件大小：56320
    • 提供者：weixin_38705762

  1. 元器件应用中的Vishay的Bulk Metal Z箔电阻额定功率300mW

  2. 日前，Vishay公司宣布推出VSMP1206高精度、表面贴装Bulk Metal Z箔电阻，据称这是业界首款具有300mW高额定功率、0.01%负载寿命稳定性，以及±0.5ppm/℃低正常TCR值且采用业界标准表面贴装封装的器件。Vishay推出的Bulk Metal Z箔技术有助于大幅降低因功率电阻和电流感应电阻中的电流变化导致的电阻变化，从而改进测量能力。 　　Z箔技术本身具有可预测的±0.5ppm/℃ TCR值。在额定功率为300mW、温度为70℃ 时，VSMP1206具有±0.01

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-28
    • 文件大小：63488
    • 提供者：weixin_38699724
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