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  1. CH2 MOS 器件基础物理

  2. 1. MOS结构 2. MOS的I/V特性 2.1MOS的阈值电压Vth、 2.2 I/V特性的推导 3.二阶效应 3.1体效应 、 3.2 亚阈值效应、 3.3 沟道调制效应 4. 小信号模型 5.MOS器件电容

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2020-08-07
    • 文件大小：896kb
    • 提供者：weixin_47373620