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搜索资源列表

  1. CMOS低噪声放大器的研究（硕士论文）

  2. 在参阅了大量射频书籍及文献的基础上，首先对射频电路应用之一——无线 局域网做了较详细的论述，分别从无线局域网的标准、特点及优势等方面进行了 较详尽的说明，提供了一个较系统的学习无线局域网的机会。然后对射频电路中 的一些基本知识做了详细介绍，比如噪声理论及噪声计算噪声分析方法、非线性 的来源及其度量方法等，为后面工作的展开打好了基础。

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2011-09-13
    • 文件大小：1mb
    • 提供者：UESTCliang

  1. 无线接收机中低噪声放大器的研究（硕士论文）

  2. 本文分析了低噪声放大器的设计理论、噪声理论、CMOS 工艺中的无源元件 以及亚微米的 MOS 管结构。对螺旋电感的几何参数与 Q 值的关系进行了分析；基于 TSMC 0.18um RF CMOS 工艺设计了一种插入级间匹配电感的差分低噪声放大 器，并对级联级栅宽的选择在传统方法基础上做了优化，

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2011-09-13
    • 文件大小：2mb
    • 提供者：UESTCliang

  1. 4GHz+CMOS低噪声放大器的研究与设计

  2. 4GHz+CMOS低噪声放大器的研究与设计

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2013-12-10
    • 文件大小：2mb
    • 提供者：u013105899

  1. CMOS LAN 设计

  2. 低噪声放大器的设计与研究

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2014-01-23
    • 文件大小：693kb
    • 提供者：u013545090

  1. 低噪声放大器研究与设计

  2. 超宽带（UWB）系统能够传输的数据在很宽的频带的频谱具有非常低功耗和高数据速率的一种新的无线技术。在可能的应用中，UWB技术可以被用于成像系统中，车辆与地面穿透雷达和通讯系统。特别是，它是一个用来在家里或在办公室用，具有每秒数百个数据兆位的无线连接取代几乎所有的电缆。虽然超宽带标准（IEEE802.15.3a标准）尚未完全确定，大部分建议的应用程序被允许发送一个乐队3.1-10.6GHz之间的。两种可能的方法都出现了利用分配的频谱。一个是多频带的方法，以14500MHz的子频带，OFDM调制，

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2014-04-03
    • 文件大小：644kb
    • 提供者：daleloogn

  1. 1.8V 5.2 GHz 差分结构CMOS 低噪声放大器.pdf

  2. 摘要 :无线接收机小型化及低成本的发展趋势 ,要求人们解决高集成度及低功率的问题 ,从而推动了将射频部 分与 基带电路部分实现单片集成的研究 ,我们给出了利用 0.18 μm CMOS 工艺设计的 5.2 GHz 低噪声放大器。在 1.8 V 电压下 ,工作电流为 24 mA 增益为 15.8 dB 噪声系数为 1.4 dB。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-16
    • 文件大小：218kb
    • 提供者：weixin_38743506

  1. 低压低功耗全摆幅CMOS运算放大器设计与仿真.pdf

  2. 低压低功耗全摆幅CMOS运算放大器设计与仿真pdf,ABSTRACT In recent years, more and more electronic products with battery supply are widely used, which cries for adopting low voltage analog circuits to reduce power consumption, therefore low voltage, low power analog circu

  3. 所属分类：其它

  1. 5G通信 Sub 6GHz 宽带 阵列 通信射频收发芯片

  2. 包含内容： 专利 大论文 小论文 5G毫米波射频前端技术复杂度成倍提升.docx Sub-6GHz频段包括800MHz、900MHz、1.8GHz、2.1GHz、2.6GHz、3.5GHz、4.9GHz .docx 3.5GHz_5G大规模MIMO数字多波束阵射频关键技术的研究_黄菲.caj 3_5GHz射频接收前端电路研究与设计_杨丽娟.caj 5G通信6GHz以下频段FBAR滤波器镀膜关键技术研究_兰伟豪.caj LTE多模接收机前端研究与设计_王肖(1).caj U

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2020-06-28
    • 文件大小：136mb
    • 提供者：weixin_44035342

  1. CMOS低中频蓝牙射频收发器电路

  2. CMOS射频收发器原理：传统的射频收发电路普遍采用超外差结构，这种成熟的体系结构需要采用二级混频和片外声表面滤波器，成本高。正在研发的CMOS低中频或直接转换体系结构只需要采用一级混频，同时能节省片外声表面滤波器。但是直接转换的体系结构需要克服直流失调等问题。采用CMOS射频收发电路的最大优点是可以和基带处理器（数字电路）及A/D、D/A转换器（混合信号电路）集成于一个芯片。单片集成的含射频、基带及模数、数模转换电路使电路可靠性好，功耗低和成本低。单片集成CMOS无线通信电路是目前研究热点，正走

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-17
    • 文件大小：50kb
    • 提供者：weixin_38640830

  1. CMOS多频段低噪声放大器设计

  2. 近年来,随着无线通信技术的蓬勃发展,可兼容多种移动通信系统标准的新一代移动终端的研究正逐渐成为热点。要实现多频段的移动终端接收系统,需要解决的首要问题就是如何实现位于该系统第一级的低噪声放大器LNA的多频段化。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-07
    • 文件大小：173kb
    • 提供者：weixin_38712416

  1. 基于噪声消除技术的超宽带低噪声放大器设计

  2. 基于TSMC 0.18 μm工艺研究3 GHz～5 GHz CMOS超宽带无线通信系统接收信号前端的低噪声放大器设计。采用单端转差分电路实现对低噪声放大器噪声消除的目的，利用串联电感作为负载提供宽带匹配。仿真结果表明，所设计的电路正向电压增益S21为17.8 dB～19.6 dB，输入、输出端口反射系数均小于-11 dB，噪声系数NF为2.02 dB～2.4 dB。在1.8 V供电电压下电路功耗为12.5 mW。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：384kb
    • 提供者：weixin_38691703

  1. 用ADS实现一个2.38GHz全集成化低噪声放大器设计

  2. 目前，在高达数GHz的RF频段范围内，广泛使用的是GaAs MESFET LNAs，其优点是能够在功率增益高达20 dB的同时，使噪声系数低至大约1 dB。但随着CMOS电路技术的成熟，近来对RF CMOS电路元件的研究成果越来越多，在无线通信系统上也已经实现了SoC化。如果CMOS制造技术能克服噪声大，功率损耗大等缺点，凭借其低廉的价格，CMOS LNAs将有可能在数GHz的RF频段范围内，逐渐取代GaAs MESFET LNAs。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：238kb
    • 提供者：weixin_38706007

  1. 基于切比雪夫网络修正的噪声优化超宽带LNA设计

  2. 基于TSMC 0.18 μm CMOS工艺的研究，设计了一个应用于3~10 GHz超宽带无线通信系统接收前端的低噪声放大器。以经典的共源共栅的结构作为放大主架构，结合切比雪夫滤波器，实现超宽带输入匹配，并采用噪声消除技术优化LNA噪声性能。电路结构具有工作带宽大、输入匹配简单并且噪声性能优异的优点。仿真结果表明：在3~10 GHz频段内，S11和S22均小于-10 dB，S21为15 dB~10 dB，噪声系数NF为1.5 dB~2.3 dB，在1.8 V供电电压下电路功耗为14.5 mW。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-17
    • 文件大小：410kb
    • 提供者：weixin_38705004

  1. 模拟技术中的采用噪声消除技术的3～5 GHz CMOS超宽带LNA设计

  2. 2002年2月,美国联邦通信委员会( FCC)为超宽带无线通信系统规划了3. 1 - 10. 6GHz的频谱资源,引起了全球性的研究热潮。超宽带技术具有低功耗、高数据传输速率、抗干扰性强等优点。 　　超宽带低噪声放大器是超宽带无线接收前端系统中的第一个模块。它影响着整个系统的带宽、噪声、功耗等性能。本文设计的CMOS低噪声放大器适用于工作频段为3～5GHz的超宽带系统。文章从LNA结构的选取开始,然后进行电路分析与设计及仿真,最后对仿真结果进行分析和总结。 　　1　超宽带LNA结构选取 　

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-03
    • 文件大小：515kb
    • 提供者：weixin_38747592

  1. 模拟技术中的应用于超宽带系统中的可变增益宽带低噪声放大器

  2. 超宽带系统(UWB ) 由于频率宽( 3. 1 ～10. 6GHz)、传输数据率高和抗干扰能力强等优点近年来受到极大关注。随着微电子加工工艺技术的提高，CMOS的工作频率已经到微波毫米波频段，使采用高集成度、低成本和低功耗的CMOS工艺技术实现高性能的超宽带低噪声放大器(LNA)具有了明显的优势，已经成为国际上研究的热点。 　　增益可调LNA可以稳定输出和最大化接收机的动态范围，可以灵活地应用于超宽带系统中。目前实现增益可调方法之一是采用旁路选择法，即通过控制旁路选择电路开关获得很大的增益可变

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-03
    • 文件大小：88kb
    • 提供者：weixin_38618746

  1. 模拟技术中的CMOS多频段低噪声放大器设计

  2. 近年来，随着无线通信技术的蓬勃发展，可兼容多种移动通信系统标准的新一代移动终端的研究正逐渐成为热点。要实现多频段的移动终端接收系统，需要解决的首要问题就是如何实现位于该系统第一级的低噪声放大器LNA的多频段化。传统的方法是将多个单频段的LNA并联起来使用，但会造成较大的功耗，占用较大的芯片面积，增加成本，而且随着接收标准的不断增多，该方法最终将不可行；另外一种实现多频段的方式是采用开关式LNA，但其只能工作于一个频段下，当希望能同时工作于多个频段时，该方法也将不适用；还可以采用宽带LNA来实现多

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-13
    • 文件大小：219kb
    • 提供者：weixin_38588854

  1. 基于3GHz CMOS低噪声放大器优化设计

  2. 摘  要： 基于0.18 μm CMOS工艺，采用共源共栅源极负反馈结构，设计了一种3 GHz低噪声放大器电路。从阻抗匹配及噪声优化的角度分析了电路的性能，提出了相应的优化设计方法。仿真结果表明，该放大器具有良好的性能指标，功率增益为23.4 dB，反向传输系数为-25.9 dB，噪声系数为1.1 dB，1dB压缩点为﹣13.05 dBm。 　　1 引 言 　　现代无线通信技术不断地朝着低成本、便携式的方向发展，使得基于CMOS工艺的射频集成电路成为近年来的研究热点。在射频接收机的设计中，要

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：341kb
    • 提供者：weixin_38667207

  1. 采用噪声消除技术的3～5 GHz CMOS超宽带LNA设计

  2. 2002年2月,美国联邦通信委员会( FCC)为超宽带无线通信系统规划了3. 1 - 10. 6GHz的频谱资源,引起了性的研究热潮。超宽带技术具有低功耗、高数据传输速率、抗干扰性强等优点。 　　超宽带低噪声放大器是超宽带无线接收前端系统中的个模块。它影响着整个系统的带宽、噪声、功耗等性能。本文设计的CMOS低噪声放大器适用于工作频段为3～5GHz的超宽带系统。文章从LNA结构的选取开始,然后进行电路分析与设计及仿真,对仿真结果进行分析和总结。 　　1　超宽带LNA结构选取 　　传统的宽带

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：774kb
    • 提供者：weixin_38655284

  1. 应用于超宽带系统中的可变增益宽带低噪声放大器

  2. 超宽带系统(UWB ) 由于频率宽( 3. 1 ～10. 6GHz)、传输数据率高和抗干扰能力强等优点近年来受到极大关注。随着微电子加工工艺技术的提高，CMOS的工作频率已经到微波毫米波频段，使采用高集成度、低成本和低功耗的CMOS工艺技术实现高性能的超宽带低噪声放大器(LNA)具有了明显的优势，已经成为国际上研究的热点。 　　增益可调LNA可以稳定输出和化接收机的动态范围，可以灵活地应用于超宽带系统中。目前实现增益可调方法之一是采用旁路选择法，即通过控制旁路选择电路开关获得很大的增益可变范围

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：109kb
    • 提供者：weixin_38659805

  1. 基于CMOS LNAs器件实现低噪声放大器电路的设计

  2. 1 引 言　　目前，在高达数GHz的RF频段范围内，广泛使用的是GaAs MESFET LNAs，其优点是能够在功率增益高达20 dB的同时，使噪声系数低至大约1 dB。但随着CMOS电路技术的成熟，近来对RF CMOS电路元件的研究成果越来越多，在无线通信系统上也已经实现了SoC化。如果CMOS制造技术能克服噪声大，功率损耗大等缺点，凭借其低廉的价格，CMOS LNAs将有可能在数GHz的RF频段范围内，逐渐取代GaAs MESFET LNAs。　　由于LNAs通常位于整个接收电路的   级，

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：110kb
    • 提供者：weixin_38714653
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