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  1. linux内核 0.11版本源码 带中文注释

  2. 目录树 下面再给个样例 ├─Makefile │ ├─boot │ bootsect.s │ head.s │ setup.s │ ├─fs │ bitmap.c │ block_dev.c │ buffer.c │ char_dev.c │ exec.c │ fcntl.c │ file_dev.c │ file_table.c │ inode.c │ ioctl.c │ Mak efile │ namei.c │ open.c │ pipe.c │ read_write.c │ stat.

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2009-08-31
    • 文件大小：284kb
    • 提供者：paomadi

  1. CMOS图像传感器的基本原理及设计考虑

  2. CMOS 图像传感器的一个很大的优点就是它只要求一个单电压来驱动整个装置。不过设计 者仍应谨慎地布置电路板驱动芯片。根据实际要求，数字电压和模拟电压之间尽可能地分离开以 防止串扰。因此良好的电路板设计，接地和屏蔽就显得非常重要。尽管这种图像传感器是一个 CMOS 装置并具有标准的输入/输出（I/O）电压，但它实际的输入信号相当小，而且对噪声也很 敏感。

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2010-05-31
    • 文件大小：311.51kb
    • 提供者：itczzz

  1. 低压低功耗全摆幅CMOS运算放大器设计与仿真.pdf

  2. 低压低功耗全摆幅CMOS运算放大器设计与仿真pdf,ABSTRACT In recent years, more and more electronic products with battery supply are widely used, which cries for adopting low voltage analog circuits to reduce power consumption, therefore low voltage, low power analog circu

  3. 所属分类：其它

  1. 总结一些常用的电平标准

  2. 现在常用的电平标准有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等，还有一些速度比较高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面简单介绍一下各自的供电电源、电平标准以及使用注意事项。TTL：Transistor-Transistor Logic三极管结构。Vcc：5V;VOH>=2.4V;VOL=2V;VIL=2.4V;VOL=2V;VIL=2.0V;VOL=1.7V;VILCMOS输入。CMOS：Compleme

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-14
    • 文件大小：33kb
    • 提供者：weixin_38712908

  1. 简析一些常用的电平标准

  2. 现在常用的电平标准有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等，还有一些速度比较高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面简单介绍一下各自的供电电源、电平标准以及使用注意事项。TTL：Transistor-Transistor Logic三极管结构。Vcc：5V;VOH>=2.4V;VOL=2V;VIL=2.4V;VOL=2V;VIL=2.0V;VOL=1.7V;VILCMOS输入。CMOS：Compleme

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：33kb
    • 提供者：weixin_38747126

  1. 基础电子中的一些常用的电平标准

  2. 现在常用的电平标准有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等，还有一些速度比较高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面简单介绍一下各自的供电电源、电平标准以及使用注意事项。 　　TTL：Transistor-Transistor Logic 三极管结构。 　　Vcc：5V;VOH>=2.4V;VOL=2V;VIL=2.4V;VOL=2V;VIL=2.0V;VOL=1.7V;VILCMOS输入。 　　

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：40kb
    • 提供者：weixin_38604916

  1. 数据转换/信号处理中的信号逻辑电平标准详解

  2. 信号的逻辑电平经历了从单端信号到差分信号、从低速信号到高速信号的发展过程。最基本的单端信号逻辑电平为CMOS、TTL，在此基础上随着电压摆幅的降低，出现LVCMOS、LVTTL等逻辑电平，随着信号速率的提升又出现ECL、PECL、LVPECL、LVDS、CML等差分信号逻辑电平。     1.信号逻辑电平参数概念定义     逻辑电平是指数字信号电压的高、低电平，相关参数定义如下：     (1)输入高电平门限Vih：保证逻辑门的输入为高电平时所允许的最小输入高电平，当输入电平高于Vih时

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：47kb
    • 提供者：weixin_38640473

  1. 一种轨至轨输入的低压低功耗运放的设计

  2. 本文采用0.35mm的CMOS标准工艺，设计了一种轨至轨输入，静态功耗150mW，相位增益86dB，单位增益带宽2.3MHz的低压低功耗运算放大器。该运放在共模输入电平下有着几乎恒定的跨导，使频率补偿更容易实现，可应用于VLSI库单元及其相关技术领域。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：100kb
    • 提供者：weixin_38656395

  1. 一种带AGC功能的RGC输入前置放大器设计

  2. 基于标准CMOS 0.18 μm工艺，设计了一种带AGC功能的光接收机RGC输入前置放大器。该放大器采用电压并联负反馈结构；输入级采用RGC结构以拓展带宽，从而解决了宽带宽与高跨阻之间的矛盾；输出级接入单端转差分结构，使输出的信号能直接输入到后续的主放大器中；嵌入自动增益控制技术AGC，以解决输入动态范围与高跨阻、低噪声之间的矛盾。同时，选用SIMC 0.18 μm工艺库进行了模拟仿真。结果显示，当光接收机输入光功率为-10 dBm、电源电压为1.8 V、光检测器的寄生电容为0.5 pF时，此放

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-17
    • 文件大小：306kb
    • 提供者：weixin_38622777

  1. 一种宽输入范围8 bit循环TDC

  2. 设计了一种适用于时域ADC的基于电容-比较器型TDA的循环TDC。循环TDC重复使用单增益级可降低量化时间差量器件的匹配需求，可克服传统延时线TDC中大量延时线变换引起的时间不确定性。同时，循环结构只占用较小的芯片面积而更加适用于片上系统。循环TDC采用不加校准的电容-比较器型TDA来增加线性输入范围，TDA以小于2%的增益误差来放大时间差量。通过0.18 μm标准CMOS工艺完成了电路设计和仿真，在1.3 MS/s的采样速率下，TDC获得了±20 ns输入范围和8 bit的分辨率，INL和DN

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-17
    • 文件大小：519kb
    • 提供者：weixin_38735782

  1. 模拟技术中的CMOS 超宽带低噪声放大器的设计

  2. 摘　要：由于超宽带技术能够在短距离内传输几百兆的数据，帮助人们摆脱对导线的依赖，因此使得大带宽数据的无线传输从几乎不可能变为现实。尽管目前超宽带技术的标准还没有统一，但是低噪声放大器终归是其接收机中一个不可或缺的重要模块。文章介绍了一种基于0.18 μm CMOS 工艺、适用于超宽带无线通信系统接收前端的低噪声放大器。结合计算机辅助设计，该超宽带低噪声放大器输入、输出均实现良好的阻抗匹配，在3GHz~10GHz 的频带范围内实现了增益G=29 ± 1dB，噪声系数小于4dB。在1.8V 工作电压

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-03
    • 文件大小：259kb
    • 提供者：weixin_38679651

  1. 工业电子中的CMOS标准输入

  2. CMOS标准输入 　　金属—氧化物—半导体结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而由PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS。 　　CMOS是互补型金属氧化物半导体的简称，与TTL一样，它也是一种半导体的制造工艺，电源电压可以是＋3～＋15V不等，对不同的电源电压其高电平和低电平的定义也是有区别的，高逻辑电平电压接近于电源电压，低逻辑电平接近于0V，而且具有很宽的噪声容限。 　　CMOS集成电路，单门静

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-15
    • 文件大小：35kb
    • 提供者：weixin_38717171

  1. GCT公布业界首个移动WIMAX IEEE 802.16e WAVE2标准的2.5GHz单芯片

  2. 韩国2.3 GHz Wibro Wave1设备提供商GCT半导体公司(GCT Semiconductor)日前公布了业界首个移动WiMAX 2.5GHz WAVE2单芯片GDM7205 ，该芯片把射频(RF)、媒体访问控制(MAC)和物理层(PHY)都整合到一块单片电路板上。GDM7205遵循了WiMAX论坛标准，旨在支持便携应用、漫游应用和固定应用。         基于GCT公司业界证明的CMOS射频技术，GDM7205实现了WiMAX Forum Wave 2认证所要求的多输入多输出(

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-03
    • 文件大小：47kb
    • 提供者：weixin_38698943

  1. 模拟技术中的一种轨至轨输入的低压低功耗运放的设计

  2. 摘  要：本文采用0.35mm的CMOS标准工艺，设计了一种轨至轨输入，静态功耗150mW，相位增益86dB，单位增益带宽2.3MHz的低压低功耗运算放大器。该运放在共模输入电平下有着几乎恒定的跨导，使频率补偿更容易实现，可应用于VLSI库单元及其相关技术领域。关键词：低功耗 ；轨至轨；恒定跨导 引言 　　电源电压逐步下降，晶体管的阈值电压并没有减小，但是运放的共模输入范围越来越小，这使设计出符合低压低功耗要求，输入动态幅度达到全摆幅的运放成为一种必须。本文所设计的具有轨至轨(R-R)输入

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-13
    • 文件大小：115kb
    • 提供者：weixin_38686557

  1. 模拟技术中的CMOS-IC电路

  2. 你知道什么是 CMOS-IC 吗? 点开看看不就知道了?CMOS-IC 为什么会成为当今微电子领域的一大热点呢?当然是由于它优良的 性能特点 决定的喽!告诉你CMOS电路的使用规则吧!设计CMOS电路时，应了解 JEDEC最低工业标准在使用CMOS电路时, 应注意 输入/输出信号规则!什么是CMOS-IC？ screen.width-333)this.width=screen.width-333" border=0> 金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semicond

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：59kb
    • 提供者：weixin_38670186

  1. 完全集成的60GHz四通道CMOS接收器，具有7GHz超宽带宽，适用于IEEE 802.11ad标准

  2. 在本文中，以90nm CMOS技术设计和实现了以60GHz毫米波（mmW）频带为中心的高速短程无线应用的完全集成CMOS接收器前端。 60GHz接收器基于超外差架构设计，该架构由具有级间峰值技术的低噪声放大器（LNA），单平衡RF混频器，IF放大器和双平衡I / Q下变频组成中频混频器。拟议的60GHz接收器前端源自滑动IF结构，并以60GHz左右的7GHz超宽带宽设计，支持IEEE 802.1 lad标准的四个2.16GHz接收通道，用于下一代高速Wi-Fi应用。测量结果表明，整个接收器实现了

  3. 所属分类：其它

  1. 一些常用的电平标准

  2. 现在常用的电平标准有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等，还有一些速度比较高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面简单介绍一下各自的供电电源、电平标准以及使用注意事项。 　　TTL：Transistor-Transistor Logic 三极管结构。 　　Vcc：5V;VOH>=2.4V;VOL=2V;VIL=2.4V;VOL=2V;VIL=2.0V;VOL=1.7V;VILCMOS输入。 　　

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：32kb
    • 提供者：weixin_38723691

  1. CMOS 超宽带低噪声放大器的设计

  2. 摘　要：由于超宽带技术能够在短距离内传输几百兆的数据，帮助人们摆脱对导线的依赖，因此使得大带宽数据的无线传输从几乎不可能变为现实。尽管目前超宽带技术的标准还没有统一，但是低噪声放大器终归是其接收机中一个不可或缺的重要模块。文章介绍了一种基于0.18 μm CMOS 工艺、适用于超宽带无线通信系统接收前端的低噪声放大器。结合计算机辅助设计，该超宽带低噪声放大器输入、输出均实现良好的阻抗匹配，在3GHz~10GHz 的频带范围内实现了增益G=29 ± 1dB，噪声系数小于4dB。在1.8V 工作电压

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：338kb
    • 提供者：weixin_38697063

  1. 采用开关电流技术和CMOS数字工艺实现甲乙类SI存储单元的设计

  2. 开关电流技术是一种模拟取样信号处理新技术，主要应用于开关电流滤波器和模数转换器设计。由于开关电流电路无需使用双层多晶硅电容，因此电路可以采用标准的CMOS数字工艺实现，从而降低了制造成本；采用开关电流技术可以缩小芯片尺寸，满足现代SoC系统低电压、低功耗需求。开关电流电路的建立时间由环路带宽f∞决定：　　　　式中的μ为沟道电荷迁移率，Vgs为MOS管的栅一源电压，VT为开启电压，L为沟道长度。根据式（1）确定的关系，表明开关电流电路完全可以在数百兆赫兹的高频下正常工作，因此可以用于高速电路的设计

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：294kb
    • 提供者：weixin_38644141

  1. CMOS标准输入

  2. CMOS标准输入 　　金属—氧化物—半导体结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而由PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS。 　　CMOS是互补型金属氧化物半导体的简称，与TTL一样，它也是一种半导体的制造工艺，电源电压可以是＋3～＋15V不等，对不同的电源电压其高电平和低电平的定义也是有区别的，高逻辑电平电压接近于电源电压，低逻辑电平接近于0V，而且具有很宽的噪声容限。 　　CMOS集成电路，单门静

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：34kb
    • 提供者：weixin_38643401
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