从数十年前被发明以来，MOS晶体管的尺寸已经被大大缩小。门氧化层厚度、通道长度和宽度的降低，推动了整体电路尺寸和功耗的大大减少。由于门氧化物厚度的减小，  可容许电源电压降低，而通道长度和宽度的缩减则缩小了产品的外形并加快了其速度性能。这些改进推动了高频率CMOS轨到轨输入/输出放大器的性能发展，以满足当今系统设计者对于某种新型模拟电路日益增加的需求，这种电路必须能够以和数字电路同样低的电源电压进行工作。　　本应用笔记解答了有关  一代CMOS轨到轨放大器的一些独特问题。文章一开始大致讨论并讲述