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  1. 模拟CMOS集成电路设计1

  2. 本书介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计。从直观和严密的角度阐述了各种模拟电路的基本原理和概念,同时还阐述了在SOC中模拟电路设计遇到的新问题及电路技术的新发展。本书由浅入深,理论与实际结合,提供了大量现代工业中的设计实例。全书共18章。前10章介绍各种基本模块和运放及其频率响应和噪声。第11章至第13章介绍带隙基准、开关电容电路以及电路的非线性和失配的影响,第14、15章介绍振荡器和锁相环。第16章至18章介绍MOS器件的高阶效应及其模型、CMOS制造工艺和混合信号电路的版图与封装。
  3. 所属分类:制造

    • 发布日期:2009-07-15
    • 文件大小:8mb
    • 提供者:brucezhan
  1. PT22622272编解码集成电路介绍

  2. 编码解码芯片PT2262/PT2272芯片原理简介: PT2262/2272是台湾普城公司生产的一种CMOS工艺制造的低功耗低价位通用编解码电路,PT2262/2272最多可有12位(A0-A11)三态地址端管脚(悬空,接高电平,接低电平),任意组合可提供531441地址码,PT2262最多可有6位(D0-D5)数据端管脚,设定的地址码和数据码从17脚串行输出,可用于无线遥控发射电路。
  3. 所属分类:嵌入式

    • 发布日期:2009-10-06
    • 文件大小:719kb
    • 提供者:feysans
  1. CMOS集成电路(IC)制造工艺

  2. 主要介绍硅衬底上的CMOS集成电路制造的工艺过程
  3. 所属分类:制造

    • 发布日期:2010-02-08
    • 文件大小:442kb
    • 提供者:grh2001
  1. 超大规模集成电路--系统和电路的设计原理.pdf

  2. 序言 1.集成电路的发展与意义 2.超大规模集成电路的优点 3.集成电路工艺分类 4.集成电路的规模 5.ASIC技术的发展 MOS器件和电路 1.MOS晶体管 2.nMOS晶体管的伏安特性 3.CMOS基本电路 集成电路的制造 1.概述 2.集成电路的基本工艺 3.nMOS集成电路加工过程 4.CMOS加工过程 5.成品率 6.集成电路经济分析 MOS电路基本特性和性能分析 4.1电阻估算 2.MOS器件的电容 3.延迟时间 4.反相器延时 5.多晶硅长线的影响 6.导电层的选用 7.大电容
  3. 所属分类:制造

    • 发布日期:2010-04-21
    • 文件大小:6mb
    • 提供者:yangshuyin520
  1. 集成电路版图设计入门

  2. 版图设计概念; • CMOS VLSI制造工艺; • Tanner版图流程举例(反相器
  3. 所属分类:制造

    • 发布日期:2011-03-03
    • 文件大小:720kb
    • 提供者:ppp_p
  1. [模拟CMOS集成电路设计].Design.Of.Analog.CMOS.Integrated.Circuits.-.Behzad.Razavi

  2. 介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计。从直观和严密的角度阐述了各种模拟电路的基本原理和概念,同时还阐述了在SOC中模拟电路设计遇到的新问题及电路技术的新发展。《模拟CMOS集成电路设计》由浅入深,理论与实际结合,提供了大量现代工业中的设计实例。全书共18章。前10章介绍各种基本模块和运放及其频率响应和噪声。第11章至第13章介绍带隙基准、开关电容电路以及电路的非线性和失配的影响,第14、15章介绍振荡器和没相环。第16章至18章介绍MOS器件的高阶效应及其模型、CMOS制造工艺和混合信号电路的
  3. 所属分类:硬件开发

    • 发布日期:2014-07-12
    • 文件大小:41mb
    • 提供者:a370690317
  1. 集成电路制造工艺原理

  2. 集成电路制造工艺原理 第一章 外延及CAD-- ----4学时 第二章 氧化、扩散及离子注入-8学时 第三章 光刻---------4学时 第四章 刻蚀---------2学时 第五章 金属化、封装与可靠性-2学时 第六章 N阱CMOS工艺流程--2学时 第七章 硅器件制造的关键工艺-4学时
  3. 所属分类:制造

    • 发布日期:2008-12-21
    • 文件大小:3mb
    • 提供者:jucaiju
  1. 模拟CMOS集成电路设计]Behzad.Razavi

  2. tica, Arial, sans-serif">《模拟CMOS集成电路设计》介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计。从直观和严密的角度阐述了各种模拟电路的基本原理和概念,同时还阐述了在SOC中模拟电路设计遇到的新问题及电路技术的新发展。《模拟CMOS集成电路设计》由浅入深,理论与实际结合,提供了大量现代工业中的设计实例。全书共18章。前10章介绍各种基本模块和运放及其频率响应和噪声。第11章至第13章介绍带隙基准、开关电容电路以及电路的非线性和失配的影响,第14、15章介绍振荡器和没相环
  3. 所属分类:讲义

    • 发布日期:2019-03-14
    • 文件大小:41mb
    • 提供者:scyyj520
  1. CMOS集成电路的版图设计

  2. 集成电路制造工艺中,通过光刻和刻蚀将掩膜版上的图形转移到硅片上。这种制造集成电路时使用的掩膜版上的几何图形定义为集成电路的版图。 版图要求与对应电路严格匹配,具有完全相同的器件、端口、连线
  3. 所属分类:讲义

  1. 低压低功耗全摆幅CMOS运算放大器设计与仿真.pdf

  2. 低压低功耗全摆幅CMOS运算放大器设计与仿真pdf,ABSTRACT In recent years, more and more electronic products with battery supply are widely used, which cries for adopting low voltage analog circuits to reduce power consumption, therefore low voltage, low power analog circu
  3. 所属分类:其它

  1. CMOS集成电路制造工艺

  2. 主要介绍硅衬底上的CMOS集成电路制造的工艺过程。
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2012-06-04
    • 文件大小:442kb
    • 提供者:shenkaijie
  1. 工业电子中的半导体电镀工艺解析

  2. 金镀层具有接触电阻低、导电性能好、可焊性好、耐腐蚀性强,因而电镀金在集成电路制造中有着广泛的应用,例如:在驱动IC封装中普遍使用电镀金凸块;在CMOS/MEMS中应用电镀金来制作开关触点和各种结构等;在雷达上金镀层作为气桥被应用;电镀还被用于UBM阻挡层的保护层,以及用于各种引线键合的键合面等等。     1  电镀金工艺1.1 电镀金工艺流程集成电路中的金电镀工艺流程:     ①在硅片上溅射钛、钛钨等金属作为黏附层,再溅射很薄的一层金作为电镀的导电层;②涂布光刻胶,光刻显影出电镀所需的图
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-15
    • 文件大小:97kb
    • 提供者:weixin_38743391
  1. 集成电路中的CMOS集成电路中ESD保护技术分析

  2. 为适应VLSI集成密度和工作速度的不断提高,新颖的集成电路NSD保护电路构思不断出现。本文将对ESD失效模式和失效机理进行了介绍,着重从工艺、器件和电路3个层次论述ESD保护模块的设计思路。   静电在芯片的制造、封装、测试和使用过程中无处不在,积累的静电荷以几安培或几十安培的电流在纳秒到微秒的时间里释放,瞬间功率高达几百千瓦,放电能量可达毫焦耳,对芯片的摧毁强度极大。所以芯片设计中静电保护模块的设计直接关系到芯片的功能稳定性,极为重要。随着工艺的发展,器件特征尺寸逐渐变小,栅氧也成比例缩小。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-19
    • 文件大小:140kb
    • 提供者:weixin_38665093
  1. 传感技术中的一种新型CMOS图像传感器的设计

  2. 金属氧化物半导体元件(Complementary Metal-Oxide Semiconductor,CMOS)图像传感器和电荷耦合元件(Charge Coupled Device,CCD)摄像器件在20年前几乎是同时起步的。CCD是应用在摄影摄像方面的高端技术元件,CMOS则应用于较低影像品质的产品中。由于CCD器件有光照灵敏度高、噪音低、像素小等优点,所以在过去15年里它一直主宰着图像传感器市场。与之相反,CMOS图像传感器过去存在着像素大,信噪比小,分辨率低这些缺点,一直无法和CCD技术抗
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-10
    • 文件大小:154kb
    • 提供者:weixin_38563871
  1. 传感技术中的监控用CMOS与CCD图像传感器对比

  2. CCD(Charge Coupled Device)图像传感器(以下简称CCD)和CMOS图像传感器(CMOS Image Sensor以下简称CIS)的主要区别是由感光单元及读出电路结构不同而导致制造工艺的不同。CCD感光单元实现光电转换后,以电荷的方式存贮并以电荷转移的方式顺序输出,需要专用的工艺制程实现;CIS图像感光单元为光电二极管,可在通用CMOS集成电路工艺制程中实现,除此之外还可将图像处理电路集成,实现更高的集成度和更低的功耗。   目前CCD几乎被日系厂商垄断,只有少数几个厂商
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-08
    • 文件大小:166kb
    • 提供者:weixin_38663701
  1. 传感技术中的基于一种新型CMOS图像传感器原理及设计

  2. 金属氧化物半导体元件(Complementary Metal-Oxide Semiconductor,CMOS)图像传感器和电荷耦合元件(Charge Coupled Device,CCD)摄像器件在20年前几乎是同时起步的。CCD是应用在摄影摄像方面的高端技术元件,CMOS则应用于较低影像品质的产品中。   由于CCD器件有光照灵敏度高、噪音低、像素小等优点,所以在过去15年里它一直主宰着图像传感器市场。与之相反,CMOS图像传感器过去存在着像素大,信噪比小,分辨率低这些缺点,一直无法和CC
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-08
    • 文件大小:153kb
    • 提供者:weixin_38519619
  1. 工业电子中的CMOS标准输入

  2. CMOS标准输入   金属—氧化物—半导体结构的晶体管简称MOS晶体管,有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路,而由PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS。   CMOS是互补型金属氧化物半导体的简称,与TTL一样,它也是一种半导体的制造工艺,电源电压可以是+3~+15V不等,对不同的电源电压其高电平和低电平的定义也是有区别的,高逻辑电平电压接近于电源电压,低逻辑电平接近于0V,而且具有很宽的噪声容限。   CMOS集成电路,单门静
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-15
    • 文件大小:35kb
    • 提供者:weixin_38717171
  1. 通信与网络中的意法半导体推出一款新的四通道上桥臂智能电源开关(IPS),这款型号为VNI4140K的新产品采用ST最新的VIPower™ 制造工艺,导通电阻Rds(on)比芯片大小相同的上一代产品降低了50%。

  2. u-Nav Microelectronics公司专门开发世界上最低功耗的小型全球定位系统(GPS)的集成电路和软件,日前宣布推出可投产的完整产品线,提供独立型和主机型两种性能。   该产品线生产一种全新的高灵敏度uN3010评估套件(EVK),采用经过实践检验的全功能GPS接收器参考设计,集成已面市的0.18u TSMC CMOS单芯片uN3010和Orion 2.2.4 GPS软件。   这种高灵敏度的EVK能够跟踪低于-160dBm的信号,而且功耗管理解决方案非常先进,在GPS接收器
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-30
    • 文件大小:64kb
    • 提供者:weixin_38737213
  1. CMOS标准输入

  2. CMOS标准输入   金属—氧化物—半导体结构的晶体管简称MOS晶体管,有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路,而由PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS。   CMOS是互补型金属氧化物半导体的简称,与TTL一样,它也是一种半导体的制造工艺,电源电压可以是+3~+15V不等,对不同的电源电压其高电平和低电平的定义也是有区别的,高逻辑电平电压接近于电源电压,低逻辑电平接近于0V,而且具有很宽的噪声容限。   CMOS集成电路,单门静
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-01-20
    • 文件大小:34kb
    • 提供者:weixin_38643401
  1. 半导体电镀工艺解析

  2. 金镀层具有接触电阻低、导电性能好、可焊性好、耐腐蚀性强,因而电镀金在集成电路制造中有着广泛的应用,例如:在驱动IC封装中普遍使用电镀金凸块;在CMOS/MEMS中应用电镀金来制作开关触点和各种结构等;在雷达上金镀层作为气桥被应用;电镀还被用于UBM阻挡层的保护层,以及用于各种引线键合的键合面等等。     1  电镀金工艺1.1 电镀金工艺流程集成电路中的金电镀工艺流程:     ①在硅片上溅射钛、钛钨等金属作为黏附层,再溅射很薄的一层金作为电镀的导电层;②涂布光刻胶,光刻显影出电镀所需的图
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-01-20
    • 文件大小:92kb
    • 提供者:weixin_38512781
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