碳纳米管场效应管的Stanford模型（HSpice版）

通过对文字运算电路和三值存储器原理的分析，结合碳纳米场效应晶体管(Carbon Nanotube Field Effect Transistor，CNFET)的特性，提出一种基于三值文字电路的碳纳米场效应晶体管SRAM设计方案。该方案首先利用三值文字运算真值表和开关信号理论设计文字运算电路；然后采用文字0、文字1和文字2非运算电路实现三值SRAM的功能，利用传输门控制反馈回路降低三值写操作的动态功耗；最后实验验证，所设计的电路逻辑功能正确且与传统交叉耦合SRAM相比写速度提高49.2%。

通过对碳纳米场效应晶体管(Carbon Nanotube Field Effect Transistor，CNFET)和多值存储原理的研究，提出一种基于CNFET的单端口三值SRAM设计方案。该方案首先利用碳纳米管的多阈值特性设计三值反相器，并采用交叉耦合方式实现三值数据的存储；其次结合读写共用的单端口方法，减少互连线数量；然后采用隔离和切断交叉耦合技术，增强三值数据存储的稳定性；最后通过HSPICE仿真，结果表明所设计的电路逻辑功能正确，且与传统CMOS设计的三值SRAM相比读写速度提高24%

基于CNFET的三重脉冲可逆计数器的设计。