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  1. CUPC安装使用手册

  2. CUPC安装使用手册!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2010-02-07
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:Leo_x
  1. C PU CupC PU CupC PU Cup

  2. C PU CupC PU CupC PU CupC PU CuC PU Cupp
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2011-08-04
    • 文件大小:564224
    • 提供者:sharptiger123
  1. 湖南省首届“湘邮科技杯”大学生程序设计大赛试题

  2. 湖南省首届“湘邮科技杯”大学生程序设计大赛试题试题1 n 个人围成一圈, 并依次编号1~n,。从编号为1 的人开始,按顺时针方向每隔一人选出一个,剩下的人重新围成一圈,如此循环直到剩下两人,这剩下的两人就是幸运儿。如果你想成为最后两个幸运儿,请问开始时应该站在什么位置?(设3<=n<=50)
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2008-06-19
    • 文件大小:184320
    • 提供者:liujuncz
  1. 湖南省第二届“软考杯”大学生程序设计大赛试题

  2. 湖南省第二届“软考杯”大学生程序设计大赛试题
  3. 所属分类:软考等考

    • 发布日期:2008-06-19
    • 文件大小:191488
    • 提供者:liujuncz
  1. 基于酞菁铜的红光无机/有机混合光敏二极管制备

  2. 基于酞菁铜的红光无机/有机混合光敏二极管制备,郑挺才,刘金凤,采用酞菁铜(CuPc)为有源层,P型(100)硅(p-Si)为衬底制备了有机-无机混合红外光敏二极管。这种光敏二极管具有与半导体工艺兼容,成本低�
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-03-10
    • 文件大小:525312
    • 提供者:weixin_38747566
  1. 基于CuPc:C60有机小分子太阳电池的制备和光电特性的研究

  2. 基于CuPc:C60有机小分子太阳电池的制备和光电特性的研究,刘晨曦,程传辉,在ITO/CuI/CuPc /C60/BCP/Al有机太阳电池中,通过在ITO与CuPc间引入CuI缓冲层,改变了CuPc分子的堆积方式增加了对太阳光的吸收并且对阳极ITO(i
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-02-29
    • 文件大小:515072
    • 提供者:weixin_38682406
  1. Effect of the structure and properties of poly (arylene ether nitrile) based composites

  2. 热拉伸对聚芳醚腈基复合材料结构与性能的影响,杜炫毅,尤勇,用氨基酞菁铜(NH2-CuPc)和羧基型聚芳醚腈(CPEN)修饰钛酸钡(BaTiO3)表面,制备得到了核壳结构的纳米粒子(CPEN-f-BaTiO3NH2-CuPc)。将获得的CPEN-
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-02-17
    • 文件大小:652288
    • 提供者:weixin_38571759
  1. ITO阳极修饰提高有机太阳电池效率

  2. ITO阳极修饰提高有机太阳电池效率,王利纲,程传辉,本文通过氨气等离子体处理的方法来提高有机太阳电池的阳极功函数,从而使电池的光电转换效率有了明显的提高。电池结构如ITO/CuPc/C60
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-02-11
    • 文件大小:558080
    • 提供者:weixin_38640985
  1. CuPc/TiO2复合气敏材料的制备及氨敏性能的研究

  2. CuPc/TiO2复合气敏材料的制备及氨敏性能的研究,贾鹏鹏,季惠明,采用电泳沉积法,分别将酞菁铜(CuPc)和TiO2粉体电泳沉积在镀有叉指电极的基片上制成复合气敏材料。制备出了具有常温、高选择性、快
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-01-08
    • 文件大小:711680
    • 提供者:weixin_38532139
  1. 氧化镓修饰倒置结构的有机太阳能电池

  2. 氧化镓修饰倒置结构的有机太阳能电池,乔建坤,刘维峰,本文通过用磁控溅射的方法生长一层氧化镓薄膜,用于修饰有机层为C60和CuPc的倒置结构有机太阳能电池。电池结构为ITO/Ga2O3/BCP/C60/CuPc/MoO3/
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-12-28
    • 文件大小:488448
    • 提供者:weixin_38704870
  1. 铜酞菁薄膜晶体管用于硫化氢检测

  2. 制造了使用沉积在硅片上的SiO2介电层的底部接触有机薄膜晶体管(OTFT),用于气体传感器应用。 酞菁铜(CuPc)用作OTFT器件的有源层,以测试该器件的电流-电压特性和气敏特性。 当器件在室温下暴露于硫化氢(H2S)气氛中时,在适当的栅极电压和漏极电压下,源极-漏极电流在几分钟之内发生变化。 研究了传感特性对绝缘层厚度的依赖性。 结果表明,与其他基于125 nm和300 nm绝缘层的器件相比,具有195 nm绝缘层的器件表现出最佳的电子和感测性能。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-17
    • 文件大小:1027072
    • 提供者:weixin_38747126
  1. 酞菁铜薄膜的折射率及吸收特性

  2. 通过真空镀膜法在单晶硅片上制备了酞菁铜(CuPc)薄膜,在波长扫描和入射角可变全自动椭圆偏振光谱仪上研究了CuPc薄膜的椭偏光谱并分析了其电子结构。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-05
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:weixin_38742647
  1. 基于CuPc单晶纳米线的CMOS兼容的具有功函数调制层的OFET分子气体传感器的研究。

  2. 基于CuPc单晶纳米线的CMOS兼容的具有功函数调制层的OFET分子气体传感器的研究。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-04
    • 文件大小:515072
    • 提供者:weixin_38535132
  1. 酞菁铜薄膜的光记录特性

  2. 研究了有机染料酞菁铜(CuPc)真空蒸镀薄膜在可见及近红外区域的吸收光谱和光学常数,发现酞菁铜薄膜在550~750 nm波长范围内具有较强的吸收.在静态测试仪上测试了酞菁铜薄膜的光存储记录特性,发现用低功率氦氖激光辐照样品时薄膜反射率变化较大.在酞菁记录层上覆盖金属反射层将提高写入激光的阈值能量并且增大反射率的对比度.
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-26
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:weixin_38552536
  1. CuPc / NPB界面中的三氧化钼降低有机发光二极管的驱动电压

  2. 通过将三氧化钼(MoO3)层插入空穴注入层酞菁铜(CuPc)和空穴传输层N,N'-二苯基-N,N'-bis()的界面中,制造出一种新颖的有机发光二极管结构。 1-萘基-苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)。 它具有ITO / CuPc(10 nm)MoO3(3 nm)/ NPB(30 nm)/三-(8-羟基喹啉)铝(Alq(3))(60 nm)/ LiF(0.5 nm)/ Al的配置。 电流密度-电压-亮度(JVL)性能表明,该结构有利于降低驱动电压和提高亮度。 与没有空穴注入层的器
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-24
    • 文件大小:259072
    • 提供者:weixin_38639471
  1. Electronic and structural properties at the interface between CuPc and graphene

  2. Electronic and structural properties at the interface between CuPc and graphene
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-21
    • 文件大小:2097152
    • 提供者:weixin_38659955
  1. CuPc/C60 bulk heterojunction photovoltaic cells with evidence of phase segregation

  2. CuPc/C60 bulk heterojunction photovoltaic cells with evidence of phase segregation
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-20
    • 文件大小:599040
    • 提供者:weixin_38689027
  1. Ambipolar organic heterojunction transistors based on F16CuPc/CuPc with a MoO3 buffer layer

  2. Ambipolar organic heterojunction transistors based on F16CuPc/CuPc with a MoO3 buffer layer
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-10
    • 文件大小:423936
    • 提供者:weixin_38527987
  1. 低压CuPc场效应晶体管的界面特性的见解

  2. 使用开尔文探针力显微镜研究了工作的有机场效应晶体管(OFET)中电介质表面附近CuPc的界面传输特性和状态密度(DOS)。 我们发现,在4.3 X 10(2)V / cm的沟道电场下,高k Al2Oy / TiOx(ATO)电介质上CuPc的载流子迁移率是SiO2上CuPc的载流子迁移率的20倍。 ATO基板上CuPc的最高占据分子轨道(HOMO)的DOS的高斯宽度为0.33 +/- 0.02 eV,并且ATO基板上CuPc的间隙中的陷阱DOS小至7 x 10( 17)厘米(-3)。 观察到HO
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-31
    • 文件大小:3145728
    • 提供者:weixin_38646914
  1. 具有Ni / ZnS / MgF2 / Ni增强对比度堆栈和CuPc / C60减反射双层的高对比度顶部发光有机发光二极管

  2. 具有Ni / ZnS / MgF2 / Ni增强对比度堆栈和CuPc / C60减反射双层的高对比度顶部发光有机发光二极管
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-20
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:weixin_38688906
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