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  1. CVD触摸详解

  2. CVD触摸详解，介绍CVD触摸原理 ，了解PIC 的触摸检测方法。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2014-04-11
    • 文件大小：1mb
    • 提供者：wei0516

  1. CVD的原理与工艺.ppt

  2. CVD技术，你懂得main(){ extern a,b,c; putchar(a);putchar(b);putchar(c);putchar('!*n'); } a'hell'; b'o,w'; c'orld';

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2015-04-17
    • 文件大小：8mb
    • 提供者：sinat_27476517

  1. Tetrakis(Dimethylamino)Zirconium， Products CVD & ALD Precursors

  2. Tetrakis(Dimethylamino)Zirconium， Products CVD & ALD Precursors

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2016-05-09
    • 文件大小：108kb
    • 提供者：heute2016

  1. 大脉冲能量单层CVD石墨烯被动调Q掺镱双包层光纤激光器

  2. 大脉冲能量单层CVD石墨烯被动调Q掺镱双包层光纤激光器，吴健，吴端端，报道了基于单层CVD石墨烯可饱和吸收体的大脉冲能量被动调Q双包层光纤激光器。采用三明治结构，将CVD法生长的单层石墨烯通过PMMA从铜�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-10
    • 文件大小：505kb
    • 提供者：weixin_38710557

  1. 用含钒催化剂CVD法制备多壁纳米碳管

  2. 用含钒催化剂CVD法制备多壁纳米碳管，张孟雄，刘宝春，本文以甲烷为碳源，分别以2CoO•5V2O5•456MgO、Fe2O3•5V2O5•456MgO和2NiO•5V2O5•456MgO为催化剂，采用CVD法在800 ℃制备了多�

  3. 所属分类：其它

  1. CO2为碳源CVD法直接合成石墨烯纳米结构

  2. CO2为碳源CVD法直接合成石墨烯纳米结构，赵文斌，胡宝山，本文以二氧化碳为碳源，以铜箔为金属基底，使用一段化学气相沉积（CVD）法合成了石墨烯岛和石墨烯纳米带，并使用光学显微镜、拉曼

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-24
    • 文件大小：330kb
    • 提供者：weixin_38717579

  1. 源温度对基于CVD的ZnO:N薄膜性能影响

  2. 源温度对基于CVD的ZnO:N薄膜性能影响，毛飞燕，邓宏，利用化学气相沉积 (CVD) 法，以Zn4 (OH)2(O2CCH3)6•2H2O为源，NH3为掺杂气体,在不同源温度下沉积ZnO:N薄膜，研究了样品的结构、光学、电学

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-05
    • 文件大小：472kb
    • 提供者：weixin_38734008

  1. 直流脉冲等离子体CVD制备碳氮薄膜的Ar离子原位应力抑制

  2. 直流脉冲等离子体CVD制备碳氮薄膜的Ar离子原位应力抑制，王琦，贺德衍，研究了不同Ar气流量下制备的含氢碳氮膜的结构和机械性能，并探讨了不同Ar气流量下对微结构和和相应机械性能的影响关系。实验发现�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-12-28
    • 文件大小：825kb
    • 提供者：weixin_38747946

  1. CVD金刚石的氮脱附和正电子敏感性缺陷

  2. 化学气相沉积（CVD）工艺可以生产高纯度或具有受控掺杂浓度的单晶或多晶金刚石样品。 可以通过加热样品来改变CVD金刚石中的缺陷类型。 控制缺陷类型可用于创建可用于辐射传感器和量子信息技术的量子金刚石开关的设备。 用电子枪在高真空下退火前后，用多普勒展宽正电子hil灭辐射（DBAR）对8个CVD金刚石样品进行分析。 在1700至1850 K的温度之间，钻石样品释放出氮气。 在这些高温下，表面被石墨化，并观察到金刚石的颜色和透明度的变化。 在有光和无光的情况下，使用DBAR分析了一些样品。 观察到缺

  3. 所属分类：其它

  1. CVD

  2. 化学气相淀积(Chemical Vapor Deposition) 是通过气态物质的化学反应在衬底上淀积一层薄膜材料的过程 CVD技术特点：具有淀积温度低、薄膜成分和厚度易于控制、均匀性和重复性好、台阶覆盖优良、适用范围广、设备简单等一系列优点CVD方法几乎可以淀积集成电路工艺中所需要的各种薄膜，例如掺杂或不掺杂的SiO2、多晶硅、非晶硅、氮化硅、金属(钨、钼)等 常用的CVD技術有：(1) 常压化学气相淀积（APCVD）；(2) 低压化學气相淀积（LPCVD）；(3) 等

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：92kb
    • 提供者：weixin_38748721

  1. 薄膜沉积技术可以分为化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）

  2. 薄膜沉积技术可以分为化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）。对于CVD工艺，这包括原子层沉积（ALD）和等离子体增强化学气相沉积（PECVD）。PVD沉积技术包括溅射，电子束和热蒸发。CVD工艺包括使用等离子体将源材料与一种或多种挥发性前驱物混合以化学相互作用并使源材料分解。该工艺使用较高压力的热量，从而产生了更可再现的薄膜，其中薄膜厚度可以通过时间/功率来控制。这些薄膜的化学计量性更高，密度更高，并且能够生长更高品质的绝缘体薄膜。PVD处理使用通过某种电能气化的固体前驱体金属。然后将气

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2021-01-07
    • 文件大小：1mb
    • 提供者：jfkj2021

  1. 通过CVD石墨烯/ TaC / Ta线和碳空心球实现的锂离子存储电容器

  2. 通过CVD石墨烯/ TaC / Ta线和碳空心球实现的锂离子存储电容器

  3. 所属分类：其它

  1. 定义等离子增强CVD的参数以表征异质结太阳能电池中硅表面钝化的影响

  2. 定义等离子增强CVD的参数以表征异质结太阳能电池中硅表面钝化的影响

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-18
    • 文件大小：719kb
    • 提供者：weixin_38601878

  1. CVD石墨烯锁模的大功率二极管侧泵浦Nd：YAG固体激光器

  2. CVD石墨烯锁模的大功率二极管侧泵浦Nd：YAG固体激光器

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：875kb
    • 提供者：weixin_38745003

  1. CVD石墨烯锁模的大功率二极管侧泵浦Nd：YAG固体激光器

  2. CVD石墨烯锁模的大功率二极管侧泵浦Nd：YAG固体激光器

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：875kb
    • 提供者：weixin_38639471

  1. cvd-源码

  2. cvd

  3. 所属分类：其它

  1. CVD生长的单层和多层MoS2薄膜的A1g模式激发机理和拉曼位移的非线性温度依赖性成因

  2. CVD生长的单层和多层MoS2薄膜的A1g模式激发机理和拉曼位移的非线性温度依赖性成因

  3. 所属分类：其它

  1. 在倾斜的铜箔上大面积且均匀地石墨烯的CVD生长，用于高性能柔性透明导电膜

  2. 在倾斜的铜箔上大面积且均匀地石墨烯的CVD生长，用于高性能柔性透明导电膜

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-09
    • 文件大小：708kb
    • 提供者：weixin_38688352

  1. 生长温度对使用非催化硼氮烷CVD在Al2O3上生长的hBN膜质量的影响

  2. 生长温度对使用非催化硼氮烷CVD在Al2O3上生长的hBN膜质量的影响

  3. 所属分类：其它

  1. 通过异质外延InGaAs / GaAs双层在Si平台上实现单轴应变，卷起的单层CVD石墨烯

  2. 通过异质外延InGaAs / GaAs双层在Si平台上实现单轴应变，卷起的单层CVD石墨烯

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-07
    • 文件大小：730kb
    • 提供者：weixin_38747818
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