赛普拉斯宣布推出首款非易失性SRAM（nvSRAM），该存储器在断电情况下，无需电池就能实现内部数据存储。由于不再需要外部电池，因此Cypress提供的符合RoHS标准的高速器件比其他备选解决方案所采用的封装尺寸更小。nvSRAM理想适用于要求连续高速数据写入且确保非易失数据绝对安全的任何应用，如独立磁盘冗余阵列 (RAID)应用、复印机、PoS终端、手持式仪表和消费类电子产品等。 　　赛普拉斯的nvSRAM采用外部电容上存储的电荷而不是电池供电，从而，我们就可以采用标准PCB组装工艺来制造

赛普拉斯半导体公司(Cypress Semiconductor Corp.)宣布推出首款非易失性SRAMs（nvSRAMs），该存储器在断电情况下，无需电池就能实现内部数据存储。由于不再需要外部电池，因此Cypress提供的符合RoHS标准的高速器件比其他备选解决方案所采用的封装尺寸更小。nvSRAM理想适用于要求连续高速数据写入且确保非易失数据绝对安全的任何应用，如独立磁盘冗余阵列 (RAID)应用、复印机、PoS终端、手持式仪表和消费类电子产品等。 赛普拉斯的nvSRAMs采用外部电容上存储

赛普拉斯推出了一款4-Mbit非易失性静态随机存储器（nvSRAM）产品。这款新器件产品的特色包括15 ns的快速存取时间、无限次读取、写入和调用循环、以及20年的数据保留期，十分适用于那些要求连续高速数据写入和绝对非易失性数据安全性的应用，包括RAID应用、严苛的环境下的工业控制设备以及汽车、医疗和数据通信系统内的数据记录功能。 　　nvSRAM可作为快速非易失性存储器的最佳替代产品。与需要备用电池的SRAM相比，nvSRAM能够减少板卡占用空间并简化设计，而且其经济性和可靠性都要优于磁性