这是为适应低功耗等需求而设计的模式。由于DRAM的刷新电路一般都设计在外部，因而即使在待机状态下，为了进行刷新操作也需要运行DRAM控制器电路。 　　对此，在DRAM内部嵌人刷新计时器以及刷新地址生成电路，使DRAM自身可以自动地进行刷新操作，这就是自刷新操作。  　　自刷新的操作如图所示。最初与CAS先于RAS有效刷新操作相同，但如果将RAS及CAS保持有效状态持续100μs后，DRAM内部的自刷新电路开始运行，然后自动进行刷新操作。如果RAS及OAS无效而开始存取操作，则自刷新操作停止，恢复

在惟RAS有效刷新的操作中，DRAM控制器必须知道个别的DRAM具有多少刷新地址，这是非常不方便的，因雨又设计了CAS先于RAS有效刷新的方法。该方法在DRAM内部内置刷新地址的发生电路，由DRAM控制器来指示开始刷新操作。 　　在普通的存取操作中，是按照RAS先有效、OAS再有效的顺序进行的。改变这种顺序，通过CAS先有效、RAS再有效的顺序，指示刷新操作Q如图所示，改变RAS／CAS的顺序需要切换电路，但刷新地址是在DRAM内部自动生成的，外部不需要准各用于刷新地址的计数器，也不需要地址的多

SDRAM也具有RAS、CAS及WE信号，其名称与异步DRAM相同，功能上也存在相似的地方，但其实际的处理方式是通过3条线的结合，对SDRAM发出指令。在异步DRAM的情况下，例如，如果使CAS信号在RAS信号前有效，则成为CAS先于RAS有效刷新，形成按顺序赋予指令的形式。但在SDRAM的情况下，通过各个控制线状态的组合而形成指令，这是SDRAM与异步DRAM较大的不同。表示各信号的组合与操作列表。 　　表 SDRAM的指令表 　　通过这些指令，SDRAM内部发生状态的迁移，如所示，不