仍旧以前面的非门为例，我们制定了以下规则：1.a n 阱(well) n 阱的最小宽度 4.8u1.b 阱与阱之间的最小间距 1.8u1.c ndiff 到nwell 的最小间距 0.6u1.d pdiff 到nwell 的最小间距 1.8u1.e p mos 器件必须在nwell 内2.a 有源区（active） 有源区的最小宽度 1.2u2.b 有源区之间的最小间距 1.2u3.a 多晶硅（poly） 多晶硅的最小宽度 0.6u3.b 多晶硅间的最小宽度 0.6u3.c 多晶硅与有源区的最小