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  1. class-e功率放大器

  2. 可以开发比较哈的触摸式放大器,如u个 果你不下,呵呵,反正也可以用此类的胆识不见得效果很好
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2011-05-09
    • 文件大小:280kb
    • 提供者:gxnwyj
  1. 高效E类功率放大器的设计

  2. 很详细的一个关于高效率的E类功率放大器的PDF文档
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2014-10-26
    • 文件大小:3mb
    • 提供者:dhpp1
  1. 1.8GHz CMOS高效率E类功率放大器

  2. 1.8GHz CMOS高效率E类功率放大器
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2015-06-05
    • 文件大小:343kb
    • 提供者:tyjujjqaz
  1. D类和E类开关模式功率放大器

  2. 较完整的论述了这种放大器,有相应的电路图及详细的相关分析,是搞电子行业人员的优秀参考
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2008-11-24
    • 文件大小:1mb
    • 提供者:libing0808
  1. E类功率放大器设计

  2. E类功率放大器设计,采用load-pull技术,完成了整个E类pa的设计。
  3. 所属分类:电信

    • 发布日期:2018-07-15
    • 文件大小:248kb
    • 提供者:weixin_42700409
  1. 射频高效开关E类功率放大器研究.pdf

  2. 射频高效开关E类功率放大器研究.pdf
  3. 所属分类:硬件开发

    • 发布日期:2020-01-21
    • 文件大小:1mb
    • 提供者:u010505080
  1. 高效E类功率放大器设计

  2. 一种高效e类功率放大器的设计,高频电子技术
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2010-06-27
    • 文件大小:2mb
    • 提供者:ccj5071112
  1. 高效率低谐波失真E类射频功率放大器的设计

  2. 笔者采用了SiGe BiCMOS工艺实现了集成E类功率放大器,其工作频率为1.8GHz,工作电压为1.5V,输出功率为26dBm,并具有高效率和低谐波失真的特点,适用于FM/FSK等恒包络调制信号的功率放大。为了达到设计目标,该功率放大器采用了一些特殊的方法,包括采用两级放大结构,差分和互补型交叉耦合反馈结构。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-08-09
    • 文件大小:110kb
    • 提供者:weixin_38643307
  1. 高效率低谐波失真E类RF功率放大器设计

  2. 笔者采用了SiGe BiCMOS工艺实现了集成E类功率放大器,其工作频率为1.8GHz,工作电压为1.5V,输出功率为26dBm,并具有高效率和低谐波失真的特点,适用于FM/FSK等恒包络调制信号的功率放大。为了达到设计目标,该功率放大器采用了一些特殊的方法,包括采用两级放大结构,差分和互补型交叉耦合反馈结构。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-08-08
    • 文件大小:110kb
    • 提供者:weixin_38621553
  1. 基于SiC器件的高效E类功率放大器

  2. 本文设计,仿真并制作了基于SiC MESFET器件的L波段E类功率放大器,输入输出阻抗匹配电路均采用微带线实现。在工作电压设为35V,输入功率为2.5W的情况下,实际测量的输出功率可以达到32.5W,在频率为900MHz附近,漏极效率可以达到64%,增益可以达到10dBm。从以上特性可以看出,基于SiC器件的E类功放具有很好的性能,在新一代的无线通信中将会有广阔的应用前景。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-08-30
    • 文件大小:270kb
    • 提供者:weixin_38669093
  1. 一种新型串联电感并联调谐DE-1类功率放大器

  2. 提出了一种新型串联电感并联调谐DE-1类功率放大器,利用零电流转换(ZCS)和零电流斜率转换(ZCSS)条件对电路进行理论分析。推导出了理想条件下该功率放大器的各元件参数的计算表达式。计算分析了该放大器的性能。DE-1类功率放大器理论上具有100%的效率,既具有D类功率放大器的优点,又具有E-1类放大器的优点。设计了实验电路对理论分析进行验证。采用3 V电源,在110 kHz频率下,该功率放大器的效率达到了97.8%,且实验波形与理论分析一致。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-16
    • 文件大小:515kb
    • 提供者:weixin_38724535
  1. 数据转换/信号处理中的一款E类功率放大芯片性能测试电路的设计

  2. 导读:本文介绍了一款E类功率放大芯片性能测试电路的设计,简介了检测中用到的实验设备、器材,并给测试电路加上各种测试信号后观察显示结果,对输出结果进行分析从而判定芯片是否合格。   1.引言   随着无线通信技术的发展,功率放大器作为发射机最重要的部分之一,它的性能好坏直接影响着整个通信系统的性能优劣,而功率放大器性能好坏的判决和芯片检测有关。本文介绍了一款E类功率放大芯片性能测试电路的设计,简介了检测中用到的实验设备、器材,并给测试电路加上各种测试信号后观察显示结果,对输出结果进行分析从而判
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-20
    • 文件大小:216kb
    • 提供者:weixin_38706951
  1. 高效率低谐波失真E类射频功率放大器的设计

  2. 笔者采用了SiGe BiCMOS工艺实现了集成E类功率放大器,其工作频率为1.8GHz,工作电压为1.5V,输出功率为26dBm,并具有高效率和低谐波失真的特点,适用于FM/FSK等恒包络调制信号的功率放大。为了达到设计目标,该功率放大器采用了一些特殊的方法,包括采用两级放大结构,差分和互补型交叉耦合反馈结构。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-18
    • 文件大小:110kb
    • 提供者:weixin_38695471
  1. S波段E类功率放大器的设计

  2. 开关模式E类功率放大器的理论效率可达100%,可用于天气雷达发射机系统中。采用GaN HEMT器件,设计了一个在2.8 GHz频点下的E类功率放大器,输出功率达到40 dBm,PAE为67%,增益为13 dB。此外,设计的微带负载网络对谐波进行了有效抑制。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-17
    • 文件大小:372kb
    • 提供者:weixin_38662213
  1. CMOS伪差分E类射频功率放大器设计

  2. 分析了E类功放的非理想因素,其中着重分析寄生电感对系统性能的影响,采用伪差分E类功放结构有效地抑制寄生电感的影响。最后基于理想的设计方程和Load Pull技术,采用0.18μmCMOS工艺,设计出高效率的差分E类功率放大器。在电源电压1.8 V,温度25℃,输入信号O dBm条件下,具有最大输出功率26.1 dBm,PAE为60.2%。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-24
    • 文件大小:202kb
    • 提供者:weixin_38577922
  1. 模拟技术中的高效率低谐波失真E类射频功率放大器的设计(图)

  2. 引言 近年来,随着无线通讯的飞速发展,无线通信里的核心部分——无线收发器越来越要求更低的功耗、更高的效率以及更小的体积,而作为收发器中的最后一级,功率放大器所消耗的功率在收发器中已占到了60%~90%,严重影响了系统的性能。所以,设计一种高效低谐波失真的功率放大器对于提高收发器效率,降低电源损耗,提高系统性能都有十分重大的意义。 笔者采用了SiGe BiCMOS工艺实现了集成E类功率放大器,其工作频率为1.8GHz,工作电压为1.5V,输出功率为26dBm,并具有高效率和低谐波失真的特点,适
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-13
    • 文件大小:160kb
    • 提供者:weixin_38741996
  1. 具有扩展的最大工作频率的高效E / F3类功率放大器

  2. 具有扩展的最大工作频率的高效E / F3类功率放大器
  3. 所属分类:其它

  1. 一种高效率2.4 GHz CMOS E 类功率放大器

  2. 一种高效率2.4 GHz CMOS E 类功率放大器
  3. 所属分类:其它

  1. 扩展阻抗法设计非线性元件的E类功率放大器

  2. 扩展阻抗法设计非线性元件的E类功率放大器
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-06
    • 文件大小:949kb
    • 提供者:weixin_38641896
  1. 具有任意占空比的有限直流馈电电感器的E类功率放大器的“新”解决方案

  2. 通过改变电压和电流方程中引入的三个不同的设计参数来提出“新” E类解决方案,以扩展E类“设计空间”,其中“新”解决方案可应用于最优和次优解决方案手术。 详细分析了次优E类功率放大器(PA)的设计过程,然后设计了基于GaN HEMT CGH40010F的次优E类功率放大器,以证明“新”解决方案的正确性。 在2.6 GHz,输入功率为28 dBm的情况下,测得的最大输出功率为39.6 dB,功率附加效率为74.7%,漏极效率为78.9%。 这些测量结果表明,对于使用相同晶体管在较低频率下的最佳E类P
  3. 所属分类:其它

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