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  1. F理论和750 GeV双光子中的类矢量外来物

  2. ATLAS和CMS实验发现,近750 GeV的双光子事件过剩,这可能暗示着TeV尺度周围存在与单线态耦合的新的类似矢量的带电物质。 当GUT对称性扩展为U(1)对称性(MSSM的希格斯场不像矢量一样)时,在某些类别的具有超荷通量的F理论GUT中不可避免地会出现这样的外来光谱。 在U(1)对称下,外来物体不是矢量状的,因此其质量自然与其断裂尺度有关。 以前,该比例尺被认为接近GUT比例尺,这导致了质子衰减,μ项幅值和太大的R奇偶性违规而引起的张力。 750 GeV的剩余量为考虑打破TeV规模附近
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-04-19
    • 文件大小:382kb
    • 提供者:weixin_38506138
  1. F理论GUT中的E 6过量750 GeV双光子

  2. 我们将750–760 GeV双光子共振解释为单峰超场的一个或多个无旋分量,这是由F理论中E6的三个27维表示所产生的,其中还包含三重三联体电荷∓1/ 3 矢量态费米子Di,Déi和惰性希格斯双峰可能与单峰耦合。 为了确定性,我们考虑(不做任何更改)前一段时间提出的模型,其中包含此类状态以及大量外来物,从而导致规范耦合统一。 该模型对吸烟枪的预测是存在其他类似的无旋转共振,质量可能接近750–760 GeV,并衰减成双光子,以及三个类矢量费米子Di,Di。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-03-26
    • 文件大小:424kb
    • 提供者:weixin_38591291
  1. F理论启发下的双光子共振翻转SO(10)

  2. 根据ATLAS和CMS实验报告的750 GeV的双光子过量,我们提出了F理论启发的E6中嵌入的翻转SO(10)模型。 低能谱包括三个MSSM手性族,类矢量三色态,几对带电SU(2)L单重态场(Ec,E¯c)以及MSSM单重态,其中一个或多个可能有助于 双光子共振。 多GeV范围内的总衰减宽度可能来自涉及单重态和MSSM的耦合
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-03-22
    • 文件大小:620kb
    • 提供者:weixin_38729607
  1. 来自D3膜的750 GeV双光子

  2. 基于最近报道的CMS和ATLAS观测到的在750 GeV处的双光子过量,我们研究了可适应该信号的基于字符串的粒子物理模型。 非常值得注意的是,尽管F理论中的大统一理论倾向于对候选的额外扇区施加严格的限制,但在E型汤河点附近的D3探测探针的情况自然会导致一类能够耦合观测到的强耦合模型。 签名。 在这些模型中,可见部分是
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-03-21
    • 文件大小:276kb
    • 提供者:weixin_38711778
  1. 小尺寸硅绝缘体光波导损耗测量

  2. 基于法布里珀罗(F-P)腔理论建立了一种简单有效的硅绝缘体(SOI)光波导损耗测量方法。该方法采用端面耦合,通过测试波导反射功率谱并利用傅里叶频谱信息,完成波导损耗的测量。推导中指出了无法直接利用反射谱F-P峰峰谷值求解损耗的限制因素。应用该方法实现了对刻蚀深度为750 nm和宽度为1200 nm的SOI脊形波导损耗的测量,表明该测量方法能够对小尺寸、低损耗波导实现较高精度的损耗测量。
  3. 所属分类:其它