伯克利大学团队开发的BSIMSOI模型的最新版，其中NMOS和PMOS模型都是以VA语言编写，注意，虽然文档中没有说明使用尺寸，但是我试了一下，最小适用于0.18μm，沟长再小，短沟道效应比较严重，器件特性变化明显。

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ARM,Globalfoundries, IBM, 意法半导体, 法国Soitec以及法国CEA-Leti公司等公司的联盟，为了在下一代晶体管技术竞赛中位居前列，宣布了对FD-SOI技术（全耗尽型SOI技术,有些文献上也写成ETSOI即超薄型SOI）的*估结果和有关的参数特性，并称这项技术适合 20nm及更高级别制程的移动/消费电子产品使用。并演示了基于ARM处理器上的平面型FD-SOI技术的优势。 图1 基于ARM处理器上的平面型FD-SOI技术的优势 　　FDSOI如何克服SOI的弱

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