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微型控制器实验报告1-8
实验一 清零程序与拆字程序设计 根据实验指导书之“第二章 单片机原理实验”(P17~P23页)内容,熟悉实验环境及方法,完成思考题1、2(P23)基础实验项目。 实验二 拼字程序与数据传送程序设计 汇编语言完成实验指导书P24思考题3、4题的基础实验项目。 实验三 排序程序与散转程序设计 汇编语言完成实验指导书P24思考题5、6题的基础实验项目。 实验四 静态存储器扩展实验 基本部分:阅读、验证C语言程序功能。使用汇编语言编程,完成实验指导书之“4.1 静态存储器扩展实验”基本实验项目(P57
所属分类:
硬件开发
发布日期:2010-05-30
文件大小:332kb
提供者:
fly347646198
基于FPGA的FLASH控制器系统设计及实现(
fpga的外部存储器扩展的设计,硬件电路的搭建
所属分类:
硬件开发
发布日期:2010-08-18
文件大小:600kb
提供者:
wcbcx1221
单片机课程设计 FLASH存储器扩展
编写实验程序对 FLASH ROM 进行操作,要求对 FLASH 的读/写、 数据保护功能、芯片擦除等特性进行验证。带保护写入 0~127 共 128 个数,不带保护写入 0x55 共 128 个。
所属分类:
Flash
发布日期:2011-03-03
文件大小:102kb
提供者:
loveenhua
nand flash驱动
大容量数据存储是单片机应用系统的瓶颈,受到容量、功耗、寻址方式的约束。突破容量限制,可以很大程度上扩展和提高应用系统的总体功能。Sumsung公司的NAND结构Flash存储器件是一款性价比很高的超大容量数据存储器件,在MP3、U盘、数码相机和PDA中有广泛的应用,且市场占有份额逐年加大。用该器件作为各种单片机尤其是嵌入式系统的数据存储器,可以完美地解决容量限制,实现灵活操作,势必成为数据存储的主流方向。
所属分类:
硬件开发
发布日期:2009-01-19
文件大小:28kb
提供者:
cache_wang
STM32-FSMC机制的NOR Flash存储器扩展技术
STM32作为新一代ARM Cortex-M3核处理器,其卓越的性能和功耗控制能够适用于广泛的应用领域;而其特殊的可变静态存储技术FSMC具有高度的灵活性,对于存储容量要求较高的嵌入式系统设计,能够在不增加外部分立器件的情况下,扩展多种不同类型和容量的存储芯片,降低了系统设计的复杂性,提高了系统的可靠性。
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-14
文件大小:166kb
提供者:
weixin_38725137
Flash损耗均衡的嵌入式文件系统设计
本文基于AVR单片机扩展Flash存储器和以太网控制器设计了一款嵌入式文件系统,实现数据存储和存储器使用的损耗均衡,为延长Flash存储器的使用寿命提供研究方法。
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-29
文件大小:74kb
提供者:
weixin_38584642
嵌入式系统/ARM技术中的基于FSMC机制的FlaSh存储器扩展
引 言 STM32是ST(意法半导体)公司推出的基于ARM内核Cortex-M3的32位微控制器系列,是基于专为要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式应用专门设计的ARM Cortex-M3内核。按性能分成两个不同的系列。Cortex-M3内核是为低功耗和价格敏感的应用而专门设计的,具有突出的能效比和处理速度。通过采用Thumb-2高密度指令集,Cortex-M3内核降低了系统存储要求,同时快速的中断处理能够满足控制领域的高实时性要求,使基于该内核设计的STM32系列微控制器能够以更优越的性价比
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-23
文件大小:101kb
提供者:
weixin_38616330
C8051F的超大容量Flash存储器扩展
摘要:NAND结构Flash数据存储器件是超大容量数据存储的理想选择,当前被广泛应用于U盘、MP3和数码相机的数据存储。本文对该类型Flash的基本操作进行研究并对实际应用系统给予验证,揭示了NAND结构Flash的操作规律。引
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-22
文件大小:219kb
提供者:
weixin_38628990
Flash损耗均衡的嵌入式文件系统设计
本文基于AVR单片机扩展Flash存储器和以太网控制器设计了一款嵌入式文件系统,实现数据存储和存储器使用的损耗均衡,为延长Flash存储器的使用寿命提供研究方法。
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-22
文件大小:330kb
提供者:
weixin_38703955
JTAG接口在线烧写Flash的实现
为了解决TMS320VC55X 系列DSP 系统程序代码的保存问题,设计了一种利用JTAG 接口,在线烧写Flash 并实现自举启动的方法。这种在线编程的方法利用并行外部存储器加载(EMIF)接口将TMS320VC5509 和Flash 芯片相连接, 通过搬移程序将应用程序的已初始化段按照C55X 系列DSP 引导表格式烧写进外部扩展的Flash 存储器中,从而实现自举启动。该方法为DSP 系统的软件维护和升级带来了方便,具有实际的应用价值。
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-20
文件大小:329kb
提供者:
weixin_38703468
STM32FSMC机制FlaSh存储器扩展
STM32是ST(意法半导体)公司推出的基于ARM内核Cortex-M3的32位微控制器系列。Cortex-M3内核是为低功耗和价格敏感的应用而专门设计的,具有突出的能效比和处理速度。通过采用Thumb-2高密度指令集,Cortex-M3内核降低了系统存储要求,同时快速的中断处理能够满足控制领域的高实时性要求,使基于该内核设计的STM32系列微控制器能够以更优越的性价比,面向更广泛的应用领域。STM32系列微控制器为用户提供了丰富的选择,可适用于工业控制、智能家电、建筑安防、医疗设备以及消费类电
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-26
文件大小:286kb
提供者:
weixin_38734993
STM32-FSMC机制的NOR Flash存储器扩展技术
Cortex-M3内核降低了系统存储要求,同时快速的中断处理能够满足控制领域的高实时性要求,使基于该内核设计的STM32系列微控制器能够以更优越的性价比,面向更广泛的应用领域。
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-24
文件大小:191kb
提供者:
weixin_38682054
单片机与DSP中的DSP+FLASH引导装载系统的设计与实现
摘要:介绍了利用DSP编程实现对FLASH的读写操作,设计并实现子一个引志装载系统的模型,给出了一个简单的测试用的实例。整个方案有较大的灵活性和实用性。 关键词:数字信号处理器 FLASH存储器 引导装载 在一些脱机运行的DSP系统中,用户代码需要在加电后自动装载运行。DSP系统的引导装载(Bootload)是指在系统加电时,DSP将一段存储在外部的非易失性存储器的代码移植到内部的高速存储器单元中去执行。这样既利用了外部的存储单元扩展DSP本身有限的ROM资源,又充分发挥了DSP内
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-11
文件大小:171kb
提供者:
weixin_38659248
C8051F的超大容量Flash存储器扩展
摘要:NAND结构Flash数据存储器件是超大容量数据存储的理想选择,当前被广泛应用于U盘、MP3和数码相机的数据存储。本文对该类型Flash的基本操作进行研究并对实际应用系统给予验证,揭示了NAND结构Flash的操作规律。 关键词:NAND Flash 数据存储 C8051F引 言 大容量数据存储是单片机应用系统的瓶颈,受到容量、功耗、寻址方式的约束。突破容量限制,可以很大程度上扩展和提高应用系统的总体功能。Sumsung公司的NAND结构Flash存储器件是一款性价比很高的超大容
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-10
文件大小:79kb
提供者:
weixin_38699726
用存储器映射的方法实现片外FLASH的擦写
1引言 在DSP系统的设计中,经常要使用片外存储器扩充系统存储空间。特别是当DSP的片内数据存储器和程序存储器容量比较小时, 必须把一部分数据,如常量、原始数据库等存储到片外的存储器中,从而节省DSP芯片内部的存储器资源。在实际应用中,片外存储器通常选择RAM或FLASH MEMORY。RAM数据掉电即丢失,不适合长期保存数据。对于一些无需频繁读写但需要长期保存的数据,如字模数据、端口地址等时,通常选择片外FLASH作伪扩展的数据存储器。使用片外 FLASH必须要解决对其擦写的问题。 在
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-08
文件大小:97kb
提供者:
weixin_38665944
单片机与DSP中的单片机的FLASH引导装载系统设计
前言 DSP系统的引导装载是指在系统加电时,由DSP将一段存储在外部非易失性存储器中的代码移植到内部高速存储器单元并执行的过程。这种方式即可利用外部存储单元扩展DSP本身有限的ROM资源,又能充分发挥DSP内部资源的高速效能。因此,引导装载系统的性能直接关系到整个DSP系统的可靠性和处理速度,是DSP系统设计中必不可少的重要环节。在装载系统中,外部非易失性存储器和DSP的性能尤为重要。FLASH是一种高密度、非易失性的电可擦写存储器,而且单位存储比特的价格比传统EPROM要低。为此,本文介绍了
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-07
文件大小:231kb
提供者:
weixin_38657353
串行DataFlash存储器及其与单片机的接口
摘要:DataFlash是Atmel公司新推出的大容量串行Flash存储器产品,具有体积小、容量大、功耗低和硬件接口简单的特点,非常易于构成微型测量系统。本文重点介绍此类存储器与单片机的接口,并给出实际的电路设计和软件代码示例。 关键词:串行Flash存储器 接口 AT45DB161B 1 概述 Flash存储器按其接口可分为串行和并行两大类。串行Flash存储器大多采用I2C接口或SPI接口进行读写;与并行Flash存储器相比,所需引脚少、体积小、易于扩展、与单片机或控制器连接简
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-13
文件大小:83kb
提供者:
weixin_38547151
C8051F的超大容量Flash存储器扩展
摘要:NAND结构Flash数据存储器件是超大容量数据存储的理想选择,当前被广泛应用于U盘、MP3和数码相机的数据存储。本文对该类型Flash的基本操作进行研究并对实际应用系统给予验证,揭示了NAND结构Flash的操作规律。 关键词:NANDFlash数据存储C8051F 引言 大容量数据存储是单片机应用系统的瓶颈,受到容量、功耗、寻址方式的约束。突破容量限制,可以很大程度上扩展和提高应用系统的总体功能。Sumsung公司的NAND结构Flash存储器件是一款性价比很高的
所属分类:
其它
发布日期:2021-02-03
文件大小:229kb
提供者:
weixin_38695773
基于Freescale 32位ColdFire系列微处理器MCF5249的Flash存储器扩展技术
基于Freescale 32位ColdFire系列微处理器MCF5249的Flash存储器扩展技术、电子技术,开发板制作交流
所属分类:
其它
发布日期:2021-02-03
文件大小:262kb
提供者:
weixin_38567956
基于Nand Flash的高速存储器结构设计
Nand Flash存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用。为了设计大容量、高存储速度、易扩展的存储系统,本文通过分析理论存储速度,结合直接存储器访问(DMA)技术、交替双平面编程和流水线技术,设计了一种高效的高速存储体系结构。本文同时利用并行存储技术来提高存储速度。通过对此存储系统的存储速度进行分析,结果表明理论最高存储速度可以达到319.2 MB/s,在某弹载存储器中能实现200 MB/s的实际数据存储速度。
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-28
文件大小:1mb
提供者:
weixin_38654348
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