FPGA已经被广泛用于实现大规模的数字电路和系统，随着CMOS工艺发展到深亚微米，芯片的静态功耗已成为关键挑战之一。文章首先对FPGA的结构和静态功耗在FPGA中的分布进行了介绍。接下来提出了晶体管的漏电流模型，并且重点对FPGA中漏电流单元亚阈值漏电流和栅漏电流进行了详细的分析。最后根据FPGA的特点采用双阈值电压晶体管，关键路径上的晶体管采用低阈值电压栅的晶体管.....

3 FPGA结构中基本单元漏电流分析 　　3.1 晶体管的漏电流原理 　　晶体管的漏电流主要包括源漏之间的亚阈值漏电流（Isub）和栅漏电流（Igate），但随着导电沟道的缩短，也带来了其他的漏电流。图5所示为在短沟道下所有的漏电流。 　　I1为pn结的反偏漏电流。 　　I2为源漏之间的亚阈值漏电流。它是在栅压低于阈值电压Vth时，在亚阈值区域有弱的反型而形成的电流。 　　I3为穿过栅氧化层形成的栅电流。它是由于栅氧化层厚度越来越薄，电子穿过栅氧化层产生的电流。 　　I4、I

3 FPGA结构中基本单元漏电流分析 　　3.1 晶体管的漏电流原理 　　晶体管的漏电流主要包括源漏之间的亚阈值漏电流（Isub）和栅漏电流（Igate），但随着导电沟道的缩短，也带来了其他的漏电流。图5所示为在短沟道下所有的漏电流。 　　I1为pn结的反偏漏电流。 　　I2为源漏之间的亚阈值漏电流。它是在栅压低于阈值电压Vth时，在亚阈值区域有弱的反型而形成的电流。 　　I3为穿过栅氧化层形成的栅电流。它是由于栅氧化层厚度越来越薄，电子穿过栅氧化层产生的电流。 　　I4、I