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  1. GDMS 管理系统项目

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  3. 所属分类:Java

    • 发布日期:2010-08-03
    • 文件大小:967kb
    • 提供者:liwei472920331
  1. Ajax-GDMS-DeviceManagementSystem.zip

  2. Ajax-GDMS-DeviceManagementSystem.zip,网络,中国。|基于Web的设备管理系统,通用性强,前端和后端分离,开发…,ajax代表异步javascr ipt和xml。它是多种web技术的集合,包括html、css、json、xml和javascr ipt。它用于创建动态网页,其中网页的小部分在不重新加载网页的情况下更改。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-09-17
    • 文件大小:12mb
    • 提供者:weixin_38744435
  1. 掺Te的GaSb退火后的电学和光学性质

  2. GaSb是GaSb系统混合半导体外延生长中最合适的衬底。在这项工作中,将具有不同掺杂浓度的Te掺杂的GaSb块状晶体在环境锑中于550℃退火100小时。 通过霍尔效应测量,红外(IR),光透射,辉光放电质谱(GDMS)和光致发光(PL)光谱对退火样品进行了研究。 退火后,掺Te的GaSb样品表现出载流子浓度的降低和迁移率的增加,以及低于间隙IR透射率的改善。 原生受体相关的电补偿分析表明,能量水平较高的供体缺陷形成。 讨论了缺陷变化的机理及其对材料性能的影响。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-13
    • 文件大小:425kb
    • 提供者:weixin_38663169
  1. PVT法钨坩埚系统中自发生长自支撑AlN单晶及其表征分析

  2. 采用物理气相传输(PVT)法在AlN原料表面自发生长出大量毫米级尺寸的AlN单晶。本文对该工艺下AlN单晶的自然形貌、极性、杂质含量等进行了分析。实验及分析结果表明,在实验工艺条件下,原料表面生长的AlN晶粒具有规则的六方外形,晶粒沿C向择优生长且具有高的生长速率(约200~250 μm/h),但径向生长受限于{10-10}(m面)。不同颜色的AlN晶粒经机械切割及化学机械抛光(CMP)后,形成高表面质量的C轴取向抛光片。通过化学湿法腐蚀和SEM表征发现,淡黄色晶粒为Al极性晶体,暗棕色晶粒为N
  3. 所属分类:其它