通过考虑GaAs的单光子吸收（SPA）和双光子吸收（TPA）过程，腔内光子密度和初始种群反转密度的高斯空间分布，以及在激发过程中的泵浦和自发发射脉冲形成，解决了GaAs饱和吸收器调Q激光器的新归一化速率方程。 确定了最佳耦合的GaAs可饱和吸收体调Q激光器的关键参数，包括最优的归一化耦合参数和最优的标准化GaAs可饱和吸收体参数，它们可以最大化脉冲能量，并为第一条曲线生成一组通用曲线。时间，清楚地显示出最佳关键参数对增益介质，GaAs饱和吸收器和谐振器的参数的依赖性。 此外，还显示了包括空间变化